100N03A-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100N03A-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），在VGS=4.5V时的导通电阻（RDS(ON)）为2.7mΩ，在VGS=10V时的导通电阻（RDS(ON)）为2.4mΩ，最大漏极电流（ID）为98A。该产品采用Trench技术。

详细参数说明如下：
- 产品型号：100N03A-VB
- 封装：TO263
- 极性：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：30V
- 栅极-源极电压（VGS）：20（±V）
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- 导通电阻（RDS(ON)）：2.7mΩ @ VGS=4.5V；2.4mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：98A
- 技术：Trench

该产品适用于以下领域和模块：
1. 电源管理模块：用于高功率的开关电源、DC-DC转换器等模块。
2. 电动车辆领域：用于电动汽车的电池管理系统、电机驱动器等模块。
3. 工业控制领域：用于工业设备的功率开关控制，如变频器、UPS等设备。
4. 太阳能逆变器领域：用于太阳能逆变器的DC-AC转换控制。

以上是100N03A-VB MOSFET的简介、详细参数说明和适用领域和模块的语段形式举例。