16N50C3-VB TO247一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**16N50C3-VB TO247**是一款单N沟道MOSFET，具有高漏极-源极电压和低导通电阻，适用于要求高电压和电流的功率电子应用。采用SJ_Multi-EPI技术，具备出色的开关性能和热稳定性，适合于各种高效能、高可靠性的应用场景。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO247
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：500V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：80mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：40A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

**电源转换器**：
- 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻特性，16N50C3-VB TO247适用于高效率电源转换器。例如，用于工业和通信设备中的高压直流电源模块。

**电动汽车充电桩**：
- 在电动汽车充电桩中，需要处理高电压和电流。16N50C3-VB TO247可以用于电动汽车充电桩中的功率转换模块，确保高效能量转换和稳定输出。

**太阳能逆变器**：
- 在太阳能逆变器中，需要处理高电压和电流的情况。16N50C3-VB TO247可以用于太阳能逆变器的功率模块，提供高效率的能量转换。

**工业电机驱动**：
- 适用于工业电机驱动器，如工业风扇、泵和压缩机等。16N50C3-VB TO247的高电压和电流特性使其能够有效地控制工业电机的运行。

**电力传输与配电**：
- 在电力传输与配电领域，16N50C3-VB TO247可以用于各种高压电力设备和系统中，确保高效能量转换和稳定的电力传输。