21N50C3-VB TO247一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 21N50C3-VB TO247 产品简介

21N50C3-VB TO247 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，设计用于要求高电压和高电流的应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术，具有较低的导通电阻和高的漏极电流能力，适用于各种高性能电源管理和开关应用。

### 21N50C3-VB TO247 详细参数说明

- **封装类型**: TO247
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 500V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **门限电压 (Vth)**: 3.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 80mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 40A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块举例

**电力传输**:
21N50C3-VB TO247 可用于高压电力传输系统中的开关和保护装置。其高额定电压和电流能够满足高压环境下的需求。

**太阳能逆变器**:
在太阳能逆变器中，该产品可用于高压开关和功率逆变器。其高可靠性和高性能使其成为太阳能逆变器制造商的理想选择。

**电动汽车充电桩**:
在电动汽车充电桩中，21N50C3-VB TO247 可用于高压开关和电源管理。其高额定电压和电流确保了电动汽车充电桩的高效率和可靠性。

**工业控制**:
在工业控制领域，该产品可用于高压开关和逆变器。其低导通电阻和高漏极电流能力确保了在高负载条件下的稳定性和效率。

21N50C3-VB TO247 通过在多种高压高性能应用中的广泛应用，展示了其作为高性能 MOSFET 的优越性能，为工程师提供了一种可靠的解决方案。