16CN10N-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

VBsemi 16CN10N-VB TO252 是一款高效能的单N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和高电流能力，适用于各种高性能应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 16CN10N-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 10.5mΩ @ VGS=4.5V
  - 8.5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: 沟槽型

### 应用领域和模块

#### 电源管理
16CN10N-VB TO252 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流和电池管理系统等应用。这些应用场景需要高效率和低导通损耗的特性来提高系统性能和降低能耗。

#### 汽车电子
该型号MOSFET在汽车电子领域也有广泛应用，例如用于电动助力转向系统（EPS）、电机控制、灯光系统和电池管理。这些系统要求高电流处理能力和可靠的性能，以确保车辆的安全和稳定运行。

#### 工业控制
在工业控制系统中，16CN10N-VB TO252 可用于电机驱动器、继电器、变频器和机器人控制等。其高电流能力和低导通电阻能够有效提高设备的响应速度和控制精度，确保系统的高效运行。

#### 消费电子
该MOSFET还可应用于消费电子产品中，如计算机、智能家电和便携式设备的电源管理模块。其小封装和高性能特点使其成为紧凑型设计的理想选择，有助于延长设备的电池寿命并提高整体性能。

总之，VBsemi 16CN10N-VB TO252 MOSFET 凭借其优异的电气性能和广泛的应用领域，是各种高性能电力电子应用的理想选择。