08CN10N-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、08CN10N-VB 产品简介

08CN10N-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造。该器件封装为TO263，具备卓越的电气特性，适用于各种高电压高电流应用场合。其设计确保了在高电压下的可靠运行，同时保持较低的导通电阻，使其在功率转换和电源管理等领域表现出色。

### 二、08CN10N-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 140A
- **技术**: Trench

### 三、08CN10N-VB 的应用领域和模块

1. **电源管理**: 08CN10N-VB 适用于高功率电源管理模块，如服务器电源、工业电源和电动汽车充电器。其低导通电阻和高电流能力能够有效提高电源转换效率。

2. **电动汽车驱动**: 在电动汽车的电机驱动系统中，08CN10N-VB 可以作为电流控制器，确保电机高效、稳定地运行，提升汽车的性能和续航里程。

3. **工业自动化**: 在工业控制系统中，08CN10N-VB 可用于控制大功率设备，如电机、加热器等，确保设备的高效运行和稳定性。

4. **LED照明**: 08CN10N-VB 也可用于高功率LED照明系统中，提供稳定的电流驱动，提高LED的亮度和寿命。

5. **直流-直流转换器**: 由于其低导通电阻和高电流能力，08CN10N-VB 可以用于DC-DC转换器中，提高转换效率，减少能量损耗。

08CN10N-VB 具有出色的性能和可靠性，适用于需要高功率、高效率的电子设备和系统。