04CN10N-VB TO262一款N-Channel沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

04CN10N-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO262封装，主要特点包括100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、2.5V的阈值电压（Vth）、10mΩ@VGS=4.5V和9mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及100A的漏极电流（ID）。该产品采用Trench技术，适用于高压应用。

### 参数说明

- **封装：** TO262
- **结构：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 100V
- **栅极-源极电压（VGS）：** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON))：**
  - @VGS=4.5V: 10mΩ
  - @VGS=10V: 9mΩ
- **漏极电流（ID）：** 100A
- **技术：** Trench

### 应用领域和模块举例

1. **电源模块：** 由于04CN10N-VB具有较高的漏极电流和低的导通电阻，适用于高功率电源模块，如电源逆变器和开关电源。
   
2. **电动车控制器：** 电动车控制器需要快速、高效地开关，04CN10N-VB的低导通电阻和高漏极电流使其成为电动车控制器的理想选择。

3. **工业控制系统：** 在需要承受高电压和高电流的工业控制系统中，04CN10N-VB可用于电机驱动、照明控制和电源管理等领域。

4. **太阳能逆变器：** 太阳能逆变器需要处理高压和高电流，同时具有高效率和可靠性，04CN10N-VB可用于太阳能逆变器的功率开关电路。

5. **汽车电子：** 在汽车电子中，04CN10N-VB可用于电动汽车的电池管理系统、发动机控制单元（ECU）和电动助力转向等模块。