16N50C3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

VBsemi 16N50C3-VB TO263 是一款高压、高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI 技术，具有低导通电阻和高漏极电流能力，适用于各种要求高电压和高效率的应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 16N50C3-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 300mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块

#### 电源管理
16N50C3-VB TO263 适用于高压开关电源（SMPS）、逆变器、功率因数校正（PFC）等应用。这些应用需要高电压耐受和低导通损耗的特性来提高系统效率和稳定性。

#### 工业电子
在工业控制领域，该MOSFET可用于电机驱动器、高压开关和电源逆变器等。其高耐压和高电流能力使其能够应对工业环境中的各种高压负载需求。

#### 照明系统
16N50C3-VB TO263 也可应用于高压LED驱动器和电源模块，以提供高效率的照明解决方案。其高漏极电流和低导通电阻有助于降低系统的能耗并提高照明质量。

#### 电动车充电桩
在电动车充电桩中，该型号MOSFET可用于功率控制和电池管理系统，具有高效率和高功率处理能力，确保充电桩的稳定性和安全性。

总之，VBsemi 16N50C3-VB TO263 MOSFET 适用于各种高压高功率应用，具有优异的性能和稳定性，是工业、电源管理、照明和电动车充电桩等领域的理想选择。