190N12NS3-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的190N12NS3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。这款器件适用于需要高电压和高电流的应用场合，如电源管理和电机控制。

### 参数说明：

- **包装**: DFN8(5x6)
- **VDS**: 100V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.8V
- **RDS(ON)**: 17mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 30A

### 应用领域和模块示例：

1. **电源管理**: 由于其高电流特性，190N12NS3-VB适用于开关电源和逆变器模块，可实现高效的能量转换。
   
2. **电机控制**: 在工业和汽车应用中，这种MOSFET可用于电机控制，实现高效的电动机驱动。

3. **充电器**: 190N12NS3-VB可用于高功率充电器中的功率开关，实现快速充电和高效能量转换。

4. **电动车辆**: 在电动汽车和电动自行车等电动车辆中，这种MOSFET可用于电池管理和电动机控制，提供高效的能源利用率。

5. **工业控制**: 190N12NS3-VB可用于工业控制系统中的开关和电源管理模块，提供可靠的性能和长期稳定性。