### 一、产品简介
**型号:240N12N-VB**
VBsemi的240N12N-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造。它具有100V的漏源电压、35.5A的漏极电流承载能力,适用于中高功率应用。该产品封装在DFN8(3X3)中,具有优越的热性能和电气特性,适用于各种电力和电子领域。
### 二、详细参数说明
- **型号**:240N12N-VB
- **封装**:DFN8(3X3)
- **配置**:单N沟道
- **VDS(漏源电压)**:100V
- **VGS(栅源电压)**:±20V
- **Vth(阈值电压)**:1.8V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:17mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流)**:35.5A
- **技术**:Trench
### 三、应用领域和模块举例
1. **电源管理模块**
- **电源开关控制**:240N12N-VB适用于电源管理模块中的开关控制,实现高效的电源管理和稳定的电流输出。
- **DC-DC转换器**:用于DC-DC转换器中的开关控制,提供高效的电能转换和稳定的电压输出。
2. **汽车电子**
- **车载充电器**:在汽车电子系统中,240N12N-VB可用于车载充电器的电源控制和管理,提供高效的充电解决方案。
- **汽车照明系统**:适用于汽车照明系统中的LED驱动控制,实现高效的照明效果和能源利用。
3. **工业控制**
- **工业电源**:用于工业电源模块中的电源管理和开关控制,提供可靠的电力供应和稳定性。
- **工业自动化系统**:适用于工业自动化系统中的电力管理和驱动控制,确保系统的稳定运行和高效能耗。
4. **通信设备**
- **通信基站**:在通信基站中,240N12N-VB作为关键元件,提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
- **网络设备**:适用于各种网络设备中的电源管理和开关控制,确保设备的稳定运行和高效能耗。
通过以上领域和模块的应用,240N12N-VB展示了其在中高功率环境下的稳定性和可靠性,是多种高性能电子设备和系统的理想选择。