147N12N-VB TO262一种N-Channel沟道TO262封装MOS管

### 147N12N-VB TO262 产品简介

147N12N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO262 封装技术。该器件具有 100V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，阈值电压 (Vth) 为 2.5V。在栅源电压为 4.5V 时，其导通电阻 (RDS(ON)) 为 10mΩ，在栅源电压为 10V 时为 9mΩ。这款 MOSFET 采用 Trench 技术制造，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于一些高功率的应用场合。

### 详细参数说明

| 参数 | 规格 |
| --- | --- |
| 产品型号 | 147N12N-VB |
| 封装 | TO262 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 100V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 2.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 10mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 100A |
| 技术 | Trench |

### 应用领域和模块示例

147N12N-VB 这款 MOSFET 可适用于一些高功率的应用场合，例如：

1. **电源管理模块**
   - 适用于高功率的开关电源和 DC-DC 转换器，提供高效的能量转换和电流控制。

2. **电机驱动**
   - 可用作电机驱动电路中的关键开关元件，提供高功率的电机控制功能。

3. **电动汽车充电系统**
   - 可用作电动汽车充电系统中的关键开关元件，确保充电系统的高功率安全和稳定性。

4. **工业高频电源**
   - 适用于一些工业高频电源中的关键开关元件，提供高频操作和高功率能力。

通过以上示例，可以看出 147N12N-VB MOSFET 在一些高功率的应用场合具备较好的性能和稳定性，是许多高功率电子系统中的重要组成部分。