VBsemi SI2307BDS-T1-GE3-VB 是一款 P-Channel 沟道场效应晶体管,具有以下主要参数:
- **电压等级(VDS):** -30V
- **电流等级(ID):** -5.6A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 47mΩ(在VGS=10V, VGS=20V时)
- **阈值电压(Vth):** -1V
**封装:** SOT23
**应用简介:**
该器件适用于各种电源管理和开关应用,特别是在需要 P-Channel MOSFET 的场合。由于其低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能量转换的场景。
**主要领域和模块:**
1. **电源管理模块:** 用于开关电源、电池管理系统等。
2. **电流控制模块:** 适用于需要 P-Channel MOSFET 的电流控制电路。
3. **DC-DC 变换器:** 用于构建高效的 DC-DC 变换器。
4. **电源逆变器:** 在逆变器电路中起到关键作用,帮助实现直流到交流的转换。
此器件可广泛应用于电子设备中,为各种应用提供高效的电源管理和开关控制。