**产品简介:**
100N10F7-VB是一款TO220封装的单路N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负值),3V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻为5mΩ(RDS(ON)),以及120A的漏极电流(ID)。该产品采用槽沟道(Trench)技术制造。
**详细参数说明:**
- 封装:TO220
- 极性:N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):100V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 导通电阻(RDS(ON)):5mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):120A
- 技术:槽沟道(Trench)
**适用领域和模块:**
- 电源管理:100N10F7-VB适用于需要高电压和大电流的电源管理,例如工业电源、UPS等。
- 电机控制:由于其高漏极电流和低导通电阻,这款MOSFET可以用于电机驱动电路中,实现高效率的电机控制。
- 逆变器:对于需要高效率的逆变器,100N10F7-VB可以用作逆变器的关键元件,实现高效率的能量转换。
- 电动汽车:在电动汽车的驱动系统中,这款MOSFET可以用作电机控制器的开关元件,实现高效率的能量转换。
以上只是一些例子,实际上,100N10F7-VB还可以用于许多其他领域和模块,具体取决于应用的要求和设计的需要。