2501NZ-VB一种Common Drain-N+N-Channel沟道TSSOP8封装MOS管

### 一、2501NZ-VB 产品简介

2501NZ-VB 是一款Common Drain-N+N-Channel MOSFET，封装形式为TSSOP8，采用了Trench技术，具有低压（20V）和中电流（6.6A）处理能力。该器件在2.5V和4.5V栅极驱动电压下分别具有32mΩ和22mΩ的导通电阻，适用于低压、中电流应用场合，如手机充电管理、LED驱动等，具有低导通电阻和高效能量转换的特点。

### 二、2501NZ-VB 详细参数说明

- **封装形式**：TSSOP8
- **配置**：Common Drain-N+N-Channel
- **漏源极电压 (VDS)**：20V
- **栅源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：32mΩ @VGS = 2.5V, 22mΩ @VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**：6.6A
- **技术**：Trench

### 三、2501NZ-VB 应用领域和模块举例

1. **手机充电管理**：
   - **应用说明**：2501NZ-VB 可以用于手机充电管理中的功率开关，提供低压降和高效能量转换。
   - **实例**：适用于手机快充适配器等模块。

2. **LED驱动**：
   - **应用说明**：在LED驱动系统中，2501NZ-VB 可以提供稳定的电流输出和高效的能量转换，确保LED灯具的长寿命和高亮度。
   - **实例**：适用于LED灯具驱动电路、LED显示屏等模块。

3. **便携式电子设备**：
   - **应用说明**：2501NZ-VB 在便携式电子设备中可以提供高效能量转换和稳定的电压输出，延长电池续航时间。
   - **实例**：适用于便携式音响、无线充电器等模块。

这些应用示例展示了2501NZ-VB 在低压、中电流应用中的广泛适用性和优越性能，能够满足多种便携式电子设备、手机充电管理和LED驱动等领域的需求。