第一篇博客 MOS驱动

    目前我用过三种驱动，其中298n内阻最大，效率最低，BTS7970价格贵，相比之下自己利用NMOS搭的驱动更便宜，功耗更小，不易烧毁。
  我们使用IR2104来驱动mos管，具有硬件死去，用来驱动两个MOS管，防止上下桥臂同时导通，MOSFET的开启电压是栅极对源极电压即Vgs，当半桥或全桥中MOS管导通对电机供电时，电机两个端子电压分别是地和电机供电电压，这时电机下面和上面两个MOS的源极电压是不一样的，分别是地和电机供电电压。这时下面MOS依旧可以使用恒压开启方式，而上面MOS的开启电压就等于电机供电电压加上原有Vgs才行，要不就不导通或不完全导通发热或烧坏了。所以VS端做上MOS的电压基准（高地），每周期的PWM都会以VS为基准给自举电容（应该是VB端）充电。充电电压对VS也是2104的工作电压，这时VB端电压就是VS+VCC了，上面MOS的Vgs=VS+VCC-电机供电电压（电池电压），由于上面MOS基准电压VS就是电机供电电压，所以上面MOS的Vgs=VS+VCC-VS=VCC，也就是说这时的上下MOS开启电压Vgs都是2104的供电电压了。就是保证足够的电压开启MOS管。
自举电容的取值我推荐实验取值，又快有准。