PA的热设计基础知识1

热导率值单位：W/mK（瓦特每米开尔文）或W/inK瓦特每英寸开尔文

如果已知材料的热导率，采用下面公式可以计算材料单位体积的热阻θ（单位是C/W或K/W）

θ=Length/（k*Area）

Length表示材料的长度或厚度，单位是米；k是材料的热导率；Area表示横截面积，单位㎡。

本身具备热阻并且支持热流动的材料温差如下：

Delta T表示材料不同区域间的温差（K/℃）;Q表示热流（W）;θ表示材料的热阻（C/W或K/W）

实际器件的热阻比较复杂，与温度呈现非线性的关系，这里引出等效热阻的概念，等效热阻是对期特定条件下获得的。器件的绝对最大额定值表可以查看这一数值。

对于LFCSP和法兰封装，假定封装外壳是封装底部的金属块。

以下举例

        最大结温一般是由器件的半导体工艺决定的。上表的225℃就是最大结温，一般都适用于GaN器件，超过这一数值导致器件寿命缩短且永久性损坏。

        工作温度范围Tcase是封装底部金属块的温度，注意工作温度不是器件周围的空气温度。如果已知Tcase和Pdiss，就可以计算出结温Tj。如果Tcase=75℃，Pdiss=70W，那么Tj=Tcase+θjc*Pdiss=75℃+1.57℃/W*70W=184.9℃。注意Tj是绝对不允许超过的，但是如果可以降低Pdiss并且保持Tj在极限值之下，Tcase是可以超过指定的绝对最大额定值。上面例子中，如果外壳温度超过指定最大值85℃时，需要使用减额值636mW/℃来计算最大可允许的Pdiss。当Pdiss限制为83W时，可允许的最大Tcase为95℃。Pdiss=89.4W-636mW/℃*10℃=83W,使用这一Pdiss，可以计算225℃的结温，Tj=Tcase+θjc*Pdiss=95℃+1.57℃/W*83W=225.31℃