针对电路调试过程中遇到的问题,进行仿真试验。
以下实验结论:在一定条件下,电压较高,MOS管的电阻选择反而要选较小阻值的。
1.PMOS的输出电阻R12对比:
输出电阻100k,漏电压5.82V;输出电阻10k,漏电压0.63V。
2.二级NMOS上拉电阻R8对比:
上拉电阻1k,PMOS的Vgs为63.3-64=-0.7V,未达到阈值电压-2.5V,未导通,漏电压0.63V;
上拉电阻10k,PMOS的Vgs为57.7-64=-6.3V,超过阈值电压-2.5V,已导通,漏电压64V。