MOS管漏电流对电阻选择的影响

针对电路调试过程中遇到的问题，进行仿真试验。

以下实验结论：在一定条件下，电压较高，MOS管的电阻选择反而要选较小阻值的。

1.PMOS的输出电阻R12对比：

输出电阻100k，漏电压5.82V；输出电阻10k，漏电压0.63V。

      

 2.二级NMOS上拉电阻R8对比：

上拉电阻1k，PMOS的Vgs为63.3-64=-0.7V，未达到阈值电压-2.5V，未导通，漏电压0.63V；

上拉电阻10k，PMOS的Vgs为57.7-64=-6.3V，超过阈值电压-2.5V，已导通，漏电压64V。