STM32学习笔记9---FLASH操作

FLASH的擦与写

STM32 FLASH介绍

FLASH的容量很多种，这里主要说的是大容量产品256K字节；

STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。

主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。

闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

闪存的读取

内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何 32 位数据的读操作都能访问闪存模块的
内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个 AHB 接口与 CPU 衔
接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取 CPU 要求的指令块，预取指令块仅用
于在 I-Code 总线上的取指操作，数据常量是通过 D-Code 总线访问的。这两条总线的访问目标
是相同的闪存模块，访问 D-Code 将比预取指令优先级高。

这里要特别留意一个闪存等待时间，因为 CPU 运行速度比 FLASH 快得多，STM32F103
的 FLASH 最快访问速度≤24Mhz。72MHz的住频率等待的周期及必须设置为2。

我们要从地址 addr，读取一个半字（半字为 16 为，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：

data=*(vu16**)addr; 这是将addr强制转换为指针，然后把它指向的地址给data。

闪存的编程和擦除

STM32 的闪存编程是由 FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含 7 个
32 位寄存器，他们分别是：
 FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)
 选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)
 闪存控制寄存器(FLASH_CR)
 闪存状态寄存器(FLASH_SR)
 闪存地址寄存器(FLASH_AR)
 选择字节寄存器(FLASH_OBR)
 写保护寄存器(FLASH_WRPR)
其中 FPEC 键寄存器总共有 3 个键值：
RDPRT 键=0X000000A5
KEY1=0X4567012
KEY2=0XCDEF89AB

STM32 复位后，FPEC 模块是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块（即写入 KEY1 和 KEY2），只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。

对闪存的编程必须写入十六位，当 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC 都会产生总线错误。在编程过程中(BSY 位为’1’)，任何读写闪存的操作都会使 CPU暂停，直到此次闪存编程结束。

注意：STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（其值必须是 0XFFFF），否则无法写入，在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告

到闪存的编程顺序如下：
 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作
 设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’
 在指定的地址写入要编程的半字
 等待 BSY 位变为’0’
 读出写入的地址并验证数据

FLASH的擦除

闪存的擦除分为整片擦除和页擦除。
STM32 的页擦除顺序为：
 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的闪存操作

 设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为’1’
 用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页
 设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为’1’
 等待 BSY 位变为’0’
 读出被擦除的页并做验证

读写擦除相关的寄存器说明

FPEC 键寄存器：FLASH_KEYR。32位只写寄存器，通过向该寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2）解锁后，才能对 FLASH_CR 寄存器进行写操作。

闪存控制寄存器：FLASH_CR，高16位保留，主要用到四个位：

LOCK 位（第7位）：该位用于指示 FLASH_CR 寄存器是否被锁住，该位在检测到正确的解锁序列后，硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后，在下次系统复位之前，该位将不再改变。
STRT 位（第6位）：该位用于开始一次擦除操作。在该位写入 1 ，将执行一次擦除操作。
PER 位（第1位）：该位用于选择页擦除操作，在页擦除的时候，需要将该位置 1。
PG 位（第0位）：该位用于选择编程操作，在往 FLASH 写数据的时候，该位需要置 1。

闪存状态寄存器：FLASH_SR，只有【5:0】被利用：

位5，EOP：每次闪存操作结束后该位被置1，写1可以清除这个状态。
位4，WRPRTERR：对未擦写的区域进行写操作时该位会被置一，写1可以清除这个状态。
位3，保留
位2，PGERR：对未擦除区域进行编程操作时该位被置一，········
位1，保留
位0，BSY：正在进行闪存操作时该位被置1，操作结束或者发生错误会被清零。

闪存地址寄存器：FLASH_AR，低16位有效，当要进行编程是选择要编程的地址，当进行页擦除时选择要擦除的页。

使用库函数操作FLASH

1. 锁定解锁函数
   在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2）,固件库函数实现很简单：void FLASH_Unlock(void)；，在对 FLASH 写操作完成之后，我们要锁定 FLASH，使用的库函数是：void FLASH_Lock(void)；

2. 写操作函数
   FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
   FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
   FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);

3. 擦除函数
   FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
   FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
   FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);

4. 获取 FLASH 状态

FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)；
typedef enum
{ 
 FLASH_BUSY = 1,//忙
 FLASH_ERROR_PG,//编程错误
 FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误
 FLASH_COMPLETE,//操作完成
 FLASH_TIMEOUT//操作超时
}FLASH_Status;

5. 等待操作完成函数

FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)

在操作FLASH的过程中，要计算好整个程序的大小，防止声的程序被擦除。

程序代码：

#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else 
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是 2K 字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos; //扇区地址
u16 secoff; //扇区内偏移地址(16 位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16 位字计算) 
u16 i; 
u32 offaddr; //去掉 0X08000000 后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*
STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2 个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小 
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1) 
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,
STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除 
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);
//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i]; 
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,
STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区 
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);
//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.