CMOS开关以及仿真

最近在看allen的书，发个帖当做课堂笔记。

图1所示是NMOS开关，MOS管的漏极和源极选择为A或者B取决于两端点电压，也可以认为是电流流向（对于NMOS来说，我们认为漏极电压大于源极电压即B点电位高于A点电位）。

在开关电路中，导通电阻由rD、rs和沟道电阻组成，rD、rs相对于沟道电阻来说，影响较小，暂且忽略。开关导通时，开关两端的电压较小，Vgs较大，因此MOS管并没有工作在饱和区。小信号电流和导通电阻公式为：

下面对NMOS开关在virtuoso中进行仿真验证：

图2为建立NMOS管V_I特性曲线testbench，NMOS管宽长比W/L=2/1，A点电位固定为0.5V，理想电压源V1的作用是确定A、B两点电位的高低，从而确定输入输出（也就是确定A和B哪个是漏极哪个是源极）。当V1为正时，B点为漏极，A点为源极，VGS由VG确定，当V1为负时，B点为源极，A点为漏极，随着V1的减小，VGS变大，导致电流变大，也就导致了仿真波形并不是中心对称图形。

接下来，我们看一下VGS和W/L对于导通电阻的影响

图4中假设B点为漏极，A点为源级，VBS=0.5V，NMOS的宽长比W/L设置为变量，可以看到，随着宽长比W/L变大，相同VGS下ron越低，当VGS减小到小于Vth时，MOS管关断，ron会无限趋近于无穷大，事实上，在MOS管关断时，还是会有漏电流流过，所以截止状态下MOS管表现为大电阻电阻值随着vgs减小从而变大，并不能等效成完全关断。

对于MOS开关还有一个重要特性是，G,S,D三端电压的变化范围，对于NMOS而言，栅极电压需要大于源极和漏极电压，对于PMOS而言，栅极电压应该小于源极和漏极电压，此电压暂时理解为MOS管的阈值电压Vth。

正因为单沟道MOS开关，会限制动态范围，在CMOS技术中，可以使用PMOS和NMOS并联构成MOS开关，图6中当φ为低时，两个管子均截止，当φ值为高时，两只管子均导通，MOS开关闭合。此电路可以有效的增加信号的动态范围。

对互补性MOS开关进行仿真：

对NMOS和PMOS的尺寸进行合适的选取，就可以得到CMOS互补开关的“马鞍形”曲线。