SiC开关管驱动用隔离电源

已于 2024-09-19 09:10:28 修改
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于 2024-09-18 18:00:44 首次发布
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        SiC开关管是第三代半导体器件的典型代表，其主要应用于高压大电流的场景，如光伏逆变、车载电机、列车组逆变牵引等，其相对于传统的IGBT器件可以实现更高频率的控制以及更小的体积设计。

        由于器件的特性决定了SiC器件需要正压驱动开启和负压关断，尤其在高边侧的开关管，则需要一个浮地的正负压产生电路。下图1是基于无锡明芯微电子的隔离推挽驱动电路MX6501T和无锡明芯微的隔离变压器MXPP8-30-1509设计的隔离正负压产生电路，其输出正电压为15V，负电压为-9V，满足SiC器件的驱动逻辑。

图1 基于无锡明芯微MX6501+MXPP8-30-1509设计的高边SiC隔离驱动电源

图2是基于上述方案测试的+15V和-9V的实际波形。

图2 隔离电源产生的+15V和-9V电压波形

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