电感下方是否需要敷铜呢?

电感通过交变电流,电感底部铺铜会在地平面上产生涡流,涡流效应会影响功率电感的电感量,涡流也会增加系统的损耗,同时交变电流产生的噪声会增加地平面的噪声,会影响其他信号的稳定性。 在EMC方面来看,在电感底部铺铜,完整的地平面铺铜有利于EMI的设计;现在的电感的生产工艺升级,电感采用屏蔽型电感,泄露的磁感线很少,对电感的感量影响不大,还能有利于散热。 实际工作中又该如何去选择呢? 工作中该如何选择,首先要了解电感的构造。我们常用电感有非屏蔽工字型电感、半屏蔽电感、一体成型电感。那它们有什么特点呢?

工字型电感、半屏蔽电感、一体成型电感

工字型电感,磁路由磁芯和空气共同构成,其磁感线会完全暴露在空气中,没有任何的磁屏蔽。

半屏蔽电感,由其骨架结构可以看出,在工字电感的基础上,在电感外围增加了磁屏蔽材料。因为磁屏蔽材料的磁阻小,磁感线基本被锁定在导磁材料中,只有很少一部分的磁场会从气隙中泄露出来,所以能起到一定的屏蔽作用。

一体成型电感,在电感生产时将绕组和导磁材料一次铸造而成,内部只有很小的气隙,防止电感饱和,所以这种电感基本没有什么磁感线溢出。 实验非屏蔽工字电感和屏蔽电感铜皮对电感量的影响。

实验发现非屏蔽工字电感有铜皮的条件下,电感量有减小,而屏蔽型电感几乎没有影响。

那电感底部敷铜与否对电源有什么影响呢? 思考这个问题前得先了解下涡流效应。磁感线由N到S级,存在交变磁场经过导体表面时,由电磁感应定律可知,在导体表面形成感应电流,感应电流产生的磁场方向总是会起到消弱原磁场大小的作用

涡流效应

举例一个Boost升压DC/DC电路电流环路的情况,来聊聊电感底部敷铜对电源设计的影响。 当Boost升压正常工作时,电感中流过负载电流,形成回路。由于开关管的存在,电流是动态变化的,由此可形成电感的磁感线,在导体的表面部分磁感线回形成封闭的磁回路,部分磁路会形成漏磁溢出到空气中。如果电感底部没有敷铜时,从电感中溢出的磁感线会在整个电源系统中存在,使系统没有相对安静的空间,会造成EMI的性能下降。

电感底部-敷铜-不敷铜

如果电感底部敷上完整的铜时,在电感的底部平面会产生涡流效应,涡流会将抵消部分漏感产生的磁场,使得原漏磁感应线消弱。电感底部敷铜,产生的涡流就如同电磁屏蔽罩一样,阻断了磁感应线向下传播,因而可以将电感产生的高频磁场屏蔽在导体的一面,这样极大地减小高频磁场对空间中其他元器件的影响

电感底部敷上完整敷铜

从两个角度来看,站在EMI的角度,建议敷铜;站在电感感量的角度,屏蔽型电感感量没有影响,所以也建议敷铜,而仅工字电感底部敷对电感感量有少许影响,所以在实际的工程中视情况而定。

在实际的PCB布局中,开关出的滤波器放在与电感相反的PCB平面,更有利于避免高频干扰滤波元器件,防止高频干扰通过线传输出去。

1. 电源电路设计 ​24V降压至3.3V/5V ​方案选择:采用 ​DC-DC降压模块​(如LM2596、MP1584),支持宽输入电压(4-40V)和高效率(>90%); ​关键设计: 输入侧需添加 ​TVS二极管​(如P6KE系列)和 ​自恢复保险丝​(500mA),防止过压和短路; 输出侧需并联 ​大容量电解电容​(如100μF)和 ​陶瓷电容​(0.1μF)以滤除高频噪声; 使用 ​磁珠或0Ω电阻 隔离数字电源与模拟电源(如VDDA); ​防反接与滤波 使用 ​NMOS防反接电路​(如AO3400)替代传统二极管,降低压损; 在24V输入端增加 ​LC滤波网络​(10μH电感+100μF电容),抑制电源纹波; ​电源稳定性验证 测试不同负载下(如继电器动作)的电压波动,确保3.3V误差<±5%; 添加 ​电源指示灯​(如LED串联1kΩ电阻)以直观监控供电状态; ​2. PCB布局与布线 ​功能分区 ​高压区(24V输入)​:远离敏感信号区,布局在PCB边缘,与其他区域间距≥2mm; ​MCU核心区:STM32、晶振、复位电路需紧凑布局,减少信号路径长度; ​通信模块区:ESP8266和RS485接口靠近STM32对应USART引脚,避免交叉走线; ​关键信号处理 ​时钟电路:外部8MHz晶振靠近STM32的OSC_IN/OSC_OUT引脚,下方并避免过孔; ​RS485总线:差分线(A/B)等长并行,终端加120Ω电阻,两侧加TVS保护; ​继电器控制信号:GPIO至继电器驱动电路(如ULN2003)走线短且粗(≥20mil),避免电磁干扰; ​地平面与 采用 ​单点接地:数字地、模拟地、电源地通过0Ω电阻或磁珠汇接; 大面积(Top/Bottom层)并添加过孔阵列,增强散热和抗干扰能力; ​3. 继电器驱动与隔离设计 ​驱动电路 使用 ​光耦隔离​(如PC817)或 ​ULN2003达林顿阵列 驱动继电器线圈; 继电器线圈两端并联 ​续流二极管​(1N4007),吸收反电动势; ​隔离措施 继电器电源(24V)与STM32电源(3.3V)独立供电,仅在GND端共地; 控制信号线跨隔离区时,通过光耦或数字隔离器(如ADuM1201)传输; ​4. 散热与抗干扰设计 ​散热优化 DC-DC芯片底部并添加散热过孔,必要时加装散热片; 继电器模块布局在PCB边缘,利用自然空气对流散热; ​抗干扰措施 在STM32电源引脚附近放置 ​多个退耦电容​(每个VDD引脚对应0.1μF电容); 敏感信号线(如晶振、复位)避免平行于高频或大电流走线;
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