DDR3内存参数配置

最新推荐文章于 2025-03-25 19:37:55 发布
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分类专栏： FPGA 文章标签： DDR3
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版权
详细介绍 DDR3基础知识、参数、命令、时序等
03-09
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Hi3516CV500 DDR3 参数配置方法1
08-03
本文档是关于Hi3516CV500芯片DDR3内存参数配置的详细指南，由上海海思技术有限公司编写并发布。Hi3516CV500是一款高性能的芯片，广泛应用于视频监控等领域，其内存性能的优化对于系统整体运行效率至关重要。本文档的...
DDR3内存参数
weixin_34067049的博客
04-23 533
[url]http://diy.pconline.com.cn/cpu/reviews/0706/1029812_11.html[/url] 我们先来看一看技术规格对比表，从表中可以看到DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。 DDR1 DDR2 DDR3 电压 VDD/VDDQ 2.5V/2.5V 1...
DDR技术（简易篇）
最新发布
weixin_45331044的博客
03-25 188
简单介绍DDR技术及市面上几种不同DDR之间的区别。
HI3531的DDR3配置流程 分类： arm-linux-Ubunt...
weixin_30672295的博客
12-14 488
DDR3 初始化配置流程 系统上电之后，必须先完成DDR3 SDRAM 的初始化操作，系统才能访问DDR3 SDRAM。在进行初始化之前需要注意以下几点： 对DDR3 SDRAM 进行上电操作时，需要遵循JEDEC 标准。即先提供VDD，然 后提供VDDQ，最后提供VREF 和VTT。 该初始化过程需要在系统进入NORMAL 模式后进行。 在DDRC 32bit...
DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）
weixin_33933118的博客
04-01 322
首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。    DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格...
Hi3516DV300 DDR3 参数配置方法1
08-03
在嵌入式系统设计中，DDR3内存的参数配置是至关重要的步骤，它直接影响到系统的性能和稳定性。本文将详细介绍Hi3516DV300芯片上DDR3内存的参数配置方法，帮助技术支持工程师和软件开发工程师更好地理解和实施相关...
海思3531的uboot移植（含DDR3参数配置修改）.pdf
09-01
通过以上步骤，成功移植和配置的UBoot不仅能够引导Hi3531芯片，还能有效地管理DDR3内存并实现网络功能，为后续的系统开发和应用程序运行提供坚实的基础。对于嵌入式系统开发者来说，理解并掌握这个过程至关重要，...
Hi3519AV100 DDR4 参数配置方法_ddr4_海思_
09-30
本文将深入探讨Hi3519AV100芯片与DDR4内存的参数配置方法，旨在帮助开发者更好地理解和优化其系统性能。 首先，我们要了解Hi3519AV100这款处理器。这是一款由华为海思设计的高性能、低功耗的嵌入式视觉处理器，主要...
FPGA（XILINX） DDR3 内存条 读写测试 仿真通过 （VIVADO 2015.2）
05-10
DDR3内存条在FPGA（XILINX）上的读写测试是嵌入式系统设计中的一个重要环节。本文将深入探讨使用XILINX FPGA进行DDR3内存接口设计及测试的相关知识点，以及如何利用VIVADO 2015.2工具实现仿真验证。 首先，了解DDR3...
Genesys2开发板DDR3引脚约束文件.ucf文件，并带有原理图，用户手册
03-07
自用的Genesys2开发板DDR3引脚约束文件.ucf文件，根据官方文档自用的配置文件
内存模式浅解
u011608645的博客
08-25 1505
什么是地址映射方式？ 地址映射方式：就是将一个内存地址转换对应到相应的物理存储单元的过程，就是映射 内存BRC模式和RBC模式：就是两种不同的地址映射方式 B：代表bank，既数据块 R: 代表Row，既行 C：表示Column，既列 1.BRC模式：最高位对应的是Bank地址，然后接着对应的是Row地址，最后是Column地址 2.RBC模式：最高位对应的是Row地址，之后是bank地址，最后是column地址, 这样同一个地址经过不同的映射方式之后，那么他表示在内存中的地址可能完全不一样， BRC模式和
DDR3 SO-DIMM 内存条硬件总结（三）
weixin_42306014的博客
07-15 4091
2.可以看到，ddr3内存条总位宽为64位，内存条的尺寸也做了规定，为67.6mm*30mm，总pin为204脚。组成内存条容量支持256MB, 512MB, 1GB, 2GB, 4GB, 8GB，也就是说ddr3单内存条最大能买到8GB的，不可能再大。我们可以看到上面的内存条图片，他上面标识为B类卡，我们看下上面列表，B类卡最大4G，我们使用的是2GB的大小，所以组织形式也唯一，为256M。以上是对前两节内容的补充。16，2Gb大小，8位。3.ddr3内存条被分为5种形式，分别为A,B,C,D,E,F。
DDR3学习（一）
Caramel_biscuit的博客
05-06 1401
static radom access memory，静态随机存储器，这里的“静态”是指只要SRAM上电，那么SRAM里面的数据就会一直保存着，直到SRAM掉电。对于RAM而言需要可以随机的读取任意一个地址空间内的数据，因此采用了地址线和数据线分离的方式。地址线，一共A0~A18，也就是19根地址线，因此可访问的地址大小就是2^19=524288=512KB。数据线，16根数据线，一次访问可以访问16bit的数据，也就是2个字节。
一文简单看懂DDR芯片规格书
weixin_43605493的博客
02-23 8621
DDR全称：Double data rate，顾名思义为双倍数据速率。所谓的双倍数据速率传输，是由于时钟周期存在两个数据的传输，分别在上升沿和下降沿上，因此总线传输速率为输入时钟频率的两倍。 DDR3L和DDR3的区别在于工作电压，DDR3L工作电压1.35V，性能相对于DDR3较差一些，但更省电。DDR3的工作电压为1.5V，性能比DDR3L更优。 DDR管脚分为： 一、控制线 （1）ODT:片上终端使能，在fly by拓扑结构上需要接终端匹配电阻，在T型拓扑结构上不需要接终端匹配电阻。 （2）ZQ:
IMX6ULL裸机篇之DDR3参数配置分析
wojiaxiaohuang2014的博客
05-22 1876
DDR3参数配置分析
DDR3笔记
钟山翼
01-14 348
bank地址线位宽为2，则有4个bank; bank地址线位宽为3，则有8个bank; 行列地址分时复用，列地址一般为10位，即A0~A9；行地址位宽决定容量大小 16位（4）+15行（15）+10列（10）+3个bank(3)=32=4G 15行（15）+10列（10）=32M 32M*16*8=256M*16 ...
DDR3 关键时间参数
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monkea123的博客
11-27 1万+
1、传输速率 比如 1066MT/S、 1600MT/S、 1866MT/S 等，这个是首要考虑的，因为这个决定了 DDR3 内存的最高传输速率。 2、 tRCD 参数 tRCD 全称是 RAS-to-CAS Delay，也就是行寻址到列寻址之间的延迟。 DDR 的寻址流程是先指定 BANK 地址，然后在指定行地址，最后指定列地址确定最终要寻址的单元。 BANK 地址和行地址是同时发出的，这个命令...
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