硬件基础之二极管篇

PN结理论

一、技术理论

1.PN结

        一块一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，中间二者相连的接触面称为PN结 （p-n junction），PN结是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

拓展：

        N区——四价的硅晶体中掺入五价元素形成N型半导体，自由电子为多子，空穴为少子；

        P区——四价的硅晶体中掺入三价元素形成N性半导体，空穴为多子，自由电子为少子。

PN结的形成过程：

        N区的自由电子向P区扩散，P区的空穴向N区扩散，在中间复合形成内电场，内电场阻碍扩散运动，同时使少子产生漂移运动，无外电场的作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。

        由此得出，PN结的单向导电性是因为 外加电场和内电场方向不一致 引起的。

2.PN结伏安特性曲线（重点）

分析上图：

        1.PN结不加外部电压

        内部处于平衡状态，多子扩散运动等于少子漂移运动，电流 i = 0

        2.PN结外加正向电压

        u < Uon时，正向电流 i ≈ 0；

        u > Uon时，正向电流 i 随电压 u 随指数增长；

        3.PN结外加反向电压

        |u| < |  |时，反向电流 i = ， 很小，通常可忽略不计

        |u| > |  |时，反向电流 i 急剧增加，称为反向击穿，此原理制成稳压管，TVS管

         其中， 为正常开启电压， 为反向击穿电压

        得出结论：

        PN结具有单向导电性，外加正向且大于  开启电压时，PN结导通；外加正向且小于

或外加反向且小于  时，PN结截止；外加反向电压且大于 时，PN结反向击穿。

        下面链接的文章大概讲述了PN结更详述的原理：

百度安全验证

3.二极管构成

        将 PN 结用外壳封装起来，并加上电极引线构成半导体二极管，即二极管。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极。

 4.二极管的伏安特性曲线

        注意：

        PN结导通时的结压降通常只有零点几伏，而导通电流随外加电压的增大呈指数增长，应用时，需要串联电阻等元器件限制回路的电流，防止PN结因正向电流过大而损坏。

通用二极管

1.通用开关型二极管

特点：电流小、工作频率高

选项依据：正向电流、正向压降、功耗、反向最大电压、反向恢复时间、封装等(都是PN结特性)

应用电路：

        低电平复位电路，而此二极管的作用：当我们上电时，我们需要低电平复位；当我们电源快速断电再上电时，这时C1电容放电没放完时可能会引起复位异常。

        而有了二极管，电容可通过二极管快速放电，所以可使MCU可靠复位。

        总结：应用于低电平复位电路中，当电源快速断电再上电时，开关二极管提供电容C1的快速放电回路，让MCU进行可靠复位。

2.通用整流型二极管

特点：电流大，工作频率低

选项依据：正向电流、正向压降、功耗、反向最大电压、封装等

                  1A （比开关二极管大很多）                                          50-1000V 

应用电路：

         整流二极管电路：将交流电，经常桥路整流，再滤波成直流电。

肖特基二极管

1.定义

        肖特基二极管不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成 PN 结原理制成的，而是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

补充：势垒是什么？

        在PN结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层，两侧的势能差，就称为势垒。

2.优缺点

优点：开关频率高，正向压降低（低至0.2V，电流越大，压降越大）

缺点：反向击穿电压低（所以肖特基只能用于低电压电路，不能用于高压场合，如AC-DC整流就不可以用了），反向漏电流偏大（做低功耗时需尤为注意，漏电的问题）（温度越高，漏电流越大）

3.应用场合

        肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、高频、大电流，比如BUCK降压的续流二极管，BOOST升压的隔离二极管等。

4.选型依据

        正向电流、正向压降（越小越好，功耗就越低了）、功耗、反向最大电压（必须大于我们的输入电压）、封装等

 （上述肖特基规格说明书属立创）

         上述用于电源的防反接，当电流不大时，可用肖特基二极管作防反接；而电流大于3A时，这时需要用PMOS/NMOS管。

        还能做电源隔离。

 D14的要求，电流大、频率高。

 

        综上，以后看到高频、低压、大电流，需要续流、隔离的，需要想到肖特基二极管。用到肖特基二极管时，需要注意其反向电压，反向电流，漏电流对产品电路的影响。

发光二极管

1.定义

        LED（Light-Emitting-Diode，发光二极管），是一种能够将电能转化为光能的半导体，主要由支架、银胶、晶片、金钱、环氧树脂五种物料所组成。

        当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。

2.应用场合

        在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。

        数码管（共阴与共阳），LED点阵，LED广告屏，LED显示屏等均是LED灯构成的。

3.选型依据

颜色：红、绿、蓝、黄、白、三基色等

封装：单颗（贴片、插件），数码管（各种尺寸），点阵，定制等

功率：小功率（一般用于指示灯），大功率

亮度：普通亮度，高亮度

4.注意事项

        正向压降：发光二极管的正向压降大致为1.5V至3.3V。红色的压降是1.6V~1.8V；绿色为2~2.4V；蓝/白为3V~3.3V

        正向电流：小功率的一般最大20mA，使用时需要串联限流电阻。

5.产品应用

        D15的亮度可根据R67电阻阻值大小来调整。

稳压管

一、定义

        稳压二极管（又叫齐纳二极管）是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

        稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。

        稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或者电压基准元件使用。

         二极管的反向电压没有超过击穿电压时，其阻抗是非常大的；一旦超过反向电压时，就击穿从而稳压了。

 二、需要关注稳压管的参数：

稳定电压（重要）（前后0.3V电压误差）,根据电路选择；

反向电流，实际使用，不能超过反向电流值，需要串联电阻来限流

        相关公式：

         上述，从而会把U8（MOS管）烧掉。

        稳压管D5限制NMOS管的电压最大值为5.1V，避免输入电压过大，导致

电压值过大损坏MOS管。 

TVS管

1.定义

        TVS管（Transient Voltage Suppressor，瞬变电压抑制二极管），是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品（所以也是利用反向击穿的原理），其电路符号和普通稳压二极管相同。当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然下降，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压调整在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元器件免受瞬间高能量的冲击而损坏。

        

2.伏安特性曲线

 

TVS讲的很详细：

硬件设计:电路防护--TVS管 - Wcat - 博客园

3.选型依据

         注意：浪涌不方便测试，根据电路选择参数后，进行测试，根据实验效果进行验证。