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RSS订阅原创 拉扎维RFIC总结与笔记
这段时间经过保研、暑期实习、进组学习天线，最近才有时间开始读Razavi的这本RF microelectronics。其实天线方面也看了不少书和文章，做了很多仿真，也想记下来来着，但是实在没动力，很多都是经验公式和仿真结果，调参数就完了，有些老文章里详细的推导又太晦涩了，实在没动力记下来，就用脑子记住吧。而且这个网址比较好https://www.antenna-theory.com/，能解答很多疑惑，如果再有不懂的就查查文章吧，根本看不完哈哈。说跑题了，决定以后使用notion作为编辑器，不好的一点就是之
2021-12-09 21:41:08
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原创 RazaviChap12&13
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap12&13(Razavi)Chap12 Bandgap ReferencesGeneral Considerations参考源一般要求三种温度特性：PTAT（与绝对温度成比例）、constant Gm、temperature independentSupply-Independent Biasing自举电路（bootstrapped），可以实现supply-independent假定了V
2021-05-15 16:52:36
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原创 RazaviChap11
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap11(Razavi)Nanometer Design StudiesTransistor Design Considerations纳米尺度的MOSFET的大信号behavior与前面推导的长沟器件模型有比较大的差别，存在短沟效应，平方律不能很好拟合。小信号模型仍然成立，但gm、rO的表达式和偏置条件都要重新定义40nm工艺下晶体管饱和区和线性区分界点不明显，一个大概的分界点是Vds=200mV。（奇怪的一
2021-05-14 21:04:49
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原创 RazaviChap10
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap10(Razavi)Stability and Frequency CompensationGeneral Consideration反馈环路处理大信号时存在很多非理想因素，比如压摆、非线性放大等等，这些非理想因素实际上会导致零极点随时间移动，所以对于大信号来说，对反馈环路进行时域分析比对开环放大器进行小信号分析更有用比如Fig10.14对应的unity-gain buffer，即使存在65°的PX，阶跃响
2021-05-13 17:57:03
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原创 RazaviChap9
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap8(Razavi)Operational Amplifiers运算放大器增益、带宽都与PVT、偏置有关，为什么能用于运算呢？因为负反馈General Considerations很久之前，运放的设计是以通用为目标的，但是各种性能之间都存在着trade-off，所以如今的运放都以特定的性能要求为设计目标，设计专用化关键的性能指标：增益。不用说，高增益对反馈系统非常重要，能减少误差，提高线性度小信号
2021-05-13 12:11:27
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原创 RazaviChap8
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap8(Razavi)FeedbackGeneral ConsiderationsY(s)X(s)=H(s)1+G(s)H(s)=A1+βA≈1β(βA>>1)\frac{Y(s)}{X(s)}=\frac{H(s)}{1+G(s)H(s)}=\frac{A}{1+\beta A}\approx\frac{1}{\beta}(\beta A>>1)X(s)Y(s)=1+G(s)H(s)H
2021-05-11 20:27:03
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原创 RazaviChap6
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap6(Razavi)Frequency Response of AmplifiersBasic Concepts对于系统函数H(s)，只要知道H(s)在s平面中零极点的分布情况，就可以预言该系统在时域方面h(t)波形的特性H(s)的每一个极点决定一项对应的时间函数h(t)=L−1[H(s)]=L−1[∑i=1nKis−pi]=∑i=1nhi(t)=∑i=1nKiepith(t)=\mathcal{L
2021-05-09 12:47:10
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原创 RazaviChap5
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap5(Razavi)Current Mirrors and Biasing TechniquesBasic Current Mirrors基本思想是两个管子Vgs相等则Id之比等于尺寸之比With the aid of these observations, we can understand why a circuit such as that in Fig. 5.6 does not perform
2021-05-08 17:04:49
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原创 RazaviChap4
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap4(Razavi)Differential Amplifiers差分操作对应着单端操作，单端操作测量值是相对于一个固定的值得出抗噪声能力强（共模噪声）、能滤除偶次谐波失真电压摆幅大（单端操作的两倍）差分对电阻负载的差分对，输入输出曲线如下图所示：输出端的最大最小值定义明确差分输入相等时增益最大大信号分析比较繁琐，总之极限情况是Iss全部从一侧流过，对应两个差分输入阈值（互为相
2021-05-08 01:03:14
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原创 RazaviChap3
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap3(Razavi)Single-Stage Amplifiers这一章比较基础，讲的主要是单级放大器的几种组态（CG、CS、CD）和基本的电路分析技巧。强弱反型区1、耗尽型：栅极偏压加反了，比如P型衬底，该加正向栅压让电子聚集在介质层界面的，却加成了负栅压，使得势垒更高的一种状态。2、弱反型：栅极偏压加对了，但大小上仍然小于Vth，导电沟道还没有形成，但存在少量载流子的状态（P型衬底时，靠近介质层的衬底开始
2021-05-07 23:10:19
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空空如也
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