RazaviChap12&13

最新推荐文章于 2024-07-07 16:39:48 发布
最新推荐文章于 2024-07-07 16:39:48 发布
阅读量2.6k 收藏 3
点赞数 1
分类专栏： 拉扎维CMOS Analog Design总结与笔记
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/baoziaad/article/details/116855168
版权
本文介绍了Razavi的《Design of Analog CMOS Integrated Circuits》第12章和第13章内容，涵盖了带隙参考的原理，包括自举电路、温度独立参考设计，以及开关电容电路的基础，如采样开关、开关电容放大器和积分器。文章详细讨论了带隙参考中的温度特性、电源独立偏置和减小失调电压的方法，并探讨了开关电容电路在处理离散时间信号中的应用，如开关电容放大器的虚地概念和开关电容积分器的工作原理。
摘要由CSDN通过智能技术生成

Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap12&13(Razavi)

Chap12 Bandgap References

General Considerations

参考源一般要求三种温度特性：PTAT（与绝对温度成比例）、constant Gm、temperature independent

Supply-Independent Biasing

  • 自举电路（bootstrapped），可以实现supply-independent

在这里插入图片描述

  • 假定了Vth1=Vth2，由于体效应会有误差

  • 由于沟道长度调制效应，电源会有略微影响，解决方案是选用长沟器件（TODO)，长沟器件也可以减小flicker noise

  • 两边电流都为0电路也能工作，也就是在电流为0的原点存在一个简并点，因此需要启动电路。电路正常工作后启动电路应该停止工作

最低0.47元/天 解锁文章
baoziaad
关注
  • 1
    点赞
  • 踩
  • 3
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
RazaviChap9
baoziaad的博客
05-13 700
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap8(Razavi) Operational Amplifiers 运算放大器增益、带宽都与PVT、偏置有关，为什么能用于运算呢？因为负反馈 General Considerations 很久之前，运放的设计是以通用为目标的，但是各种性能之间都存在着trade-off，所以如今的运放都以特定的性能要求为设计目标，设计专用化 关键的性能指标： 增益。不用说，高增益对反馈系统非常重要，能减少误差，提高线性度 小信号
RazaviChap4
baoziaad的博客
05-08 516
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap4(Razavi) Differential Amplifiers 差分操作 对应着单端操作，单端操作测量值是相对于一个固定的值得出 抗噪声能力强（共模噪声）、能滤除偶次谐波失真 电压摆幅大（单端操作的两倍） 差分对 电阻负载的差分对，输入输出曲线如下图所示： 输出端的最大最小值定义明确 差分输入相等时增益最大 大信号分析比较繁琐，总之极限情况是Iss全部从一侧流过，对应两个差分输入阈值（互为相
Design-of-Analog-CMOS-Integrated-Circuits-B.-Razavi.pdf
10-14
Design-of-Analog-CMOS-Integrated-Circuits-B.-Razavi
模拟电路设计必读：模电四大名著（可下载）
nuoweishizi的博客
02-22 2059
以上四本书籍构成了模拟电路设计领域的经典套装，无论是初学者还是资深工程师，都值得一读。
带隙基准电压的仿真实现
最新发布
weixin_44209170的博客
07-07 1059
本文主要介绍如何将书中最基础的Bandgap结构在Cadence仿真软件进行复现。其中VBE为双极晶体管的基极（B）到发射极（E）电压，该电压为负温度系数。而VT lnn为两工作在不同电流密度下双极晶体管的VBE的差值（请参考拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》P463）,该电压为正温系数。将两电压以合适的比例α相加，从而将正温系数和负温系数相抵消就可得到一个零温系数的电压。
带隙基准
qq_34324044的博客
10-02 1万+
带隙基准 目的建立一个与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压或者电流。 在大多数应用中，所要求的温度关系有以下三种形式： 1、与绝对温度成正比（PTAT）; 2、常数Gm特性即一些晶体管的跨导保持常数； 3、与温度无关。 因此，设计带隙基准的问题可以分为两种：与电压无关的偏置和温度变化关系的确定。除了随电源、工艺、温度波动引起的性能变化外，基准的其他参数也是关键的输出阻抗、输出噪声和功耗。 +++ 1、与电源无关的偏置 如上图12（a）所示，如果Iref不随VDD变化，并且忽略M2和M3的沟道长度调
Chapter 20 Current Mirrors
2304_76736886的博客
07-23 350
前面的章节在讲数字, 从这一章开始我们转向模拟了! 先介绍电流镜
模拟集成电路的经典教材
菜头
03-25 9589
1.《Analysis and design of analog integrated circuits》, P.R. Gray, P.J. Hurst, Lewis and R.G.Meyer. 4TH. 这是模拟设计的最经典的教材。以前的版本主要是双极型晶体管设计，第4版增加了许多CMOS的内容。这本书推导分析非常详细，但对新手也许内容太多了一些。 2.《Design of Anal
世界《模拟电路》四大名著，传说中的圣经，经典中的经典。
ctrigger的专栏
11-30 9284
1.《Analysis and design of analog integrated circuits》, P.R. Gray, P.J. Hurst, Lewis and R.G.Meyer. 4TH. 这是模拟集成电路设计的最经典的教材。这本书侧重于理论分析，但对新手来说内容全面但有些深奥。 强烈建议大家看英文原版，高教社的引文版似乎已经脱销！高教社出版的的中文版（北航翻译）太垃圾了，误导人！ 2.《Design of Analog CMOS integrated Circuits》，Behzad
【笔记：模拟MOS集成电路】偏置电路（基本原理+结构分析）
热门推荐
qq_45689790的博客
09-04 2万+
首先，对于一个单级双极性晶体管放大电路，为了使其可以将信号不失真的放大，我们必须将晶体管置于合适的工作条点。最基本的放大条件：“集电结正偏，发射结反偏”，当然如果想要其实现放大不失真，则需要更加精确的设置晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位。而这些外部电路就称为偏置电路。在大规模的电路设计中，为了使电路各部分处于合适的工作条件，从而达到预期性能，我们往往需要对电路的各部分都提供合适的偏置，因此，偏置电路很重要。
SAR ADC 系列9：采样上机实践（2023.8.1更新版）
qq_41545745的博客
04-02 3188
上机实践，采样
Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Behzad Razavi
07-20
Behzad Razavi 的 模拟CMOS集成电路设计，模电的抗鼎之作，设计人员常备。本文档是具有最佳清晰度的原版PDF，并附有目录索引和完整习题解答。
Design of Analog CMOS Integrated Circuits, 2nd -by Behzad Razavi
03-11
Extreme excellent book of Analog IC Design Engineers.
design of analog cmos integrated circuits
10-30
design of analog cmos integrated circuits
Design of Analog CMOS Integrated Circuits（razavi) answer（3-1）
02-03
ANSWER OF Design of Analog CMOS Integrated Circuits,非常好，pdf格式
保持放大器的增益和相位特性
qq_51618334的博客
06-27 260
增益特性： ∣G(jωn)∣=2ζKKsKD=2×1072×5=200|G(j\omega_n)|=\frac{2 \zeta K }{K_sK_D}=\frac{2\times 10^7}{2\times 5}=200∣G(jωn​)∣=Ks​KD​2ζK​=2×52×107​=200 相位特性： ∠G(jωn)=−180∘−∠H(jω)=−90∘\angle G(j\omega_n)=-180^{\circ}-\angle H(j\omega)=-90^{\circ}∠G(jωn​)=−180∘−∠H
RazaviChap3
baoziaad的博客
05-07 3620
Design of Analog CMOS Integrated Circuits Chap3(Razavi) Single-Stage Amplifiers 这一章比较基础，讲的主要是单级放大器的几种组态（CG、CS、CD）和基本的电路分析技巧。 强弱反型区 1、耗尽型：栅极偏压加反了，比如P型衬底，该加正向栅压让电子聚集在介质层界面的，却加成了负栅压，使得势垒更高的一种状态。 2、弱反型：栅极偏压加对了，但大小上仍然小于Vth，导电沟道还没有形成，但存在少量载流子的状态（P型衬底时，靠近介质层的衬底开始
场效应三极管及其放大电路学习笔记
ztx15272300643的博客
03-23 3851
场效应三极管及其放大电路1、 场效应三极管介绍2、 金属-氧化物-半导体-场效应三极管（MOS）2.2、N沟道增强型MOSFET 1、 场效应三极管介绍 三端放大器件有FET（场效应三极管）和BJT（双极结型晶体管）,产效应三极管（FET）,简称产效应管。FET主要有两种类型：金属-氧化物-半导体效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。结型FET中的结可以是一个普通的PN结；也可以是一个...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值