SAM学习笔记-FIFO及FILO

最近学到PLD的结构，发现基本单元的结构和ROM是一样的，就看了很多存储器相关的东西，顺手记录一下。

顺序存储器（SAM）

SAM（Sequential Access Memory），其在存取信息时，只能按存储单元的位置，顺序地一个接一个地进行存取的存储器。最典型的例子是磁带。对其进行细分，又可分为FIFO和FILO。取名来看，其原本是和RAM（Ramdom Access Memory）对标的吧，但实际情况好像是变成ROM和RAM对标了hh。

1.FIFO

FIFO(First Input First Output)简单说就是指先进先出，即第一个进入其内的数据第一个被移出，其中一个是存储器的输入口，另一个口是存储器的输出口。FIFO由动态移存器组成，而动态移存器则是由基本的动态移存单元组成。

上图是一个动态移存单元，其再一个下降沿对数据进行记录。当处于高电平时，第一个传输门通，Ui传输到A点，假设Ui为1，则此时A点为1。栅电容（分布电容）充电快，放电慢，因此何以存储信息。经过一个cmos反相器，B点为0。过了一会儿，下降沿到来，电平CP变为了低电平，第二个传输门导通，C点为0，再经过一个cmos反相器，变为了1，实现了数据的存储。

上图则是一个1024位的动态移存器。将动态移存器与一些逻辑门相连接，便得到了如下所示的1位位宽的FIFO。RW端为0时，将D的数据写入，动态移存器的最后一位舍弃；RW端为1时，最后一位数据输出的同时，反馈回动态移存器的最左侧。

将8个这样的1位位宽的FIFO并联在一起，就构成了8位宽的FIFO。

2.FILO

FILO(First Input Last Output)顺序存储器与FIFO的结构类似，但使用到的是双向移位寄存器。当RW端为0时，下方的逻辑电路通，下方不通，使得IO口内容传输至G2，同时双向移位寄存器右移，将数据写入最左侧；当RW为1时，双向移位寄存器左移，将数据输出到G2端，上方的逻辑电路通，下方不通，使得数据从IO口输出。因此，每次写入或输出的都是最左侧的数据。PS：第一次看到这个想到的就是堆栈，确实是很相似的概念。

类比FIFO，将4个这样的1位位宽的FILO并联在一起，就构成了4位宽的FILO。

最简单的双向移位寄存器的基本存储位元，就是D触发器（实际上还需要一个四选一数据选择器），下面简单介绍其原理。当SL/SR = 1时，左移，此时S1S0为10，数据选择器选中FFm+1的输出。当CP脉冲到来，FFm+1的状态经数据选择器进入FFm，数据向左移动；当SL/SR = 0时，右移，此时S1S0为01，数据选择器选中FFm-1的输出。当CP脉冲到来，FFm-1的状态经数据选择器进入FFm，数据向右移动。