ROM学习笔记2-NOR Flash和NAND Flash

本文有很多地方的介绍做了简化，比如结构，浮栅晶体管如何充电，如何放电……但是不影响你理解它，记住它。

1 NOR Flash

1.1 NOR Flash的浮栅晶体管

NOR Flash中的浮栅晶体管又叫快闪叠栅MOS管。其区分0、1的方式与EPROM、EEPROM并无区别，有区别的是它们充放电的方式以及原理。

编程时，是1变为0的过程。此时，在DS之间加一个大电压使得漏极和衬底之间雪崩（能雪崩一是因为工艺尺寸的变化，二是设计上有意而为之），产生高能沟道热电子。此时在控制栅加高电压，雪崩的热电子就能被吸引到浮栅。所以，编程使用的是沟道热电子注人(CHE)( Channel HotElectron Injection)效应。这也是为什么NOR Flash相比于 NAND Flash写入速率较低，不适用于频繁擦除/写入场合。
擦除时，是0变为1的过程。此时在源极加一个大电压，由于隧道区很薄，电子就能从隧道区回到衬底。与编程不同，擦除用的是F-N隧道效应(FowlerNordheim tunneling)

1.2 NOR Flash名字的由来

NOR Flash的NOR为NOT OR（或非）之意，NAND Flash的NAND则为NOT AND（与非）之意，而该名称的命名是与两种FLAHS的架构有关的，如图所示：

可以看到，NAND Flash的浮栅晶体管是串联在位线上的，而NOR Flash的浮栅晶体管则是并联在位线上的。如果假设字线上加逻辑电平1时导通，0时截止，则NAND架构必须全1才能在位线顶端读到0，即与非逻辑；NOR架构则是字线上全0才能在位线上读到1，即或非逻辑。

1.3 NOR Flash的结构

NOR Flash的结构原理图如下。每个位线下的基本存储单元是并联的，当某个字线被选中后，就可以实现对该4位的读取。左侧加个译码器，上方加个输入输出缓冲器，组成的就是最经典的存储器结构。

1.4 NOR Flash结构上的遗憾

由于NOR Flash采用并联在位线上的方式，其需要大量的空间存放金属位线，因此NOR Flash的存储密度较低，无法适用于需要大容量存储的应用场合。

2 NAND Flash

1.1 NAND Flash的浮栅晶体管

NAND Flash的浮栅晶体管与NOR Flash的浮栅晶体管在充电方式上也有区别。

编程时，是1变为0 的过程。此时，只需在控制栅加高电压，就能吸引衬底电子到浮栅。所以，编程用的是F-N隧道效应(FowlerNordheim tunneling)。

擦除时，是0变为1的过程。此时在源极加一个大电压，由于隧穿层很薄，电子就能被电场吸回衬底。与编程一样，擦除用的是F-N隧道效应(FowlerNordheim tunneling)。

最终的结果，就是导通电压的变化。vth小于Vread的即读到1，大于Vread即读到0。大于两种导通电压的电压叫Vpass，这里设定为10V。

2.2 NAND Flash的结构

NAND Flash中存在下面几个基本概念：die、plane、block、page(page对应于普通硬盘或NOR Flash中的sector，即常说的扇区)。

每个芯片包含一个或多个die。
每个die包含一个或多个plane(通常是1个或2个)。
每个plane包含多block，block是最小擦除单元。
每个block包含多个page， page是最小的读写单元。

下图是一个block的结构，每根字线连接的浮栅晶体管构成一个page ，整个面构成一个block。前面提到，NAND Flash采用并联的结构。这种结构与以往介绍的存储器结构都不同，其读擦写的方法也差别很大。

每个block的浮栅晶体管都制造在同一个P衬底上，擦除时只需要在衬底上接高电压即可。这也是为什么擦除的最小单位是block。

编程时，给需要编程的字线上施加20V的编程高压，其他字线上施加10V的Vpass，使它们导通。在位线的处理上，我们将要写0的位位线接0V，其他接2V。由于沟道效应的影响，这些位不会被写入0。这样，我们就写入了11111110。

读取时，在要读取的位线上施加5V Vread。如果此时该位线上有电流，说明该bit位为1；如果没有电流，说明该位经过编程，提高了浮栅晶体管的导通电压，导致5V不能使其导通。

实际上，为了增大NAND Flash的容量，一行（字线）上有成千上万个晶体管，这就是为什么一次编程的最小单位是page；一面也不可能只有八行；整个存储器也有上千个这样的block。

2.2 拓展：SLC、MLC和TLC

实际上，浮栅晶体管并不存在绝对的空和满状态，其中的电子数目可以处于空和满之间的任一个状态。

由此可见，可以根据晶体管中电子的数目来指示二进制的0和1。比如在SLC（Single Level Cell）中，晶体管中电子数目小于50%的时候代表1，大于50%的时候代表0。

SLC是对电子数目做的一阶量化，所以一个晶体管可以代表两个状态：0和1。如果我们对晶体管中的电子数目做二阶量化，一个晶体管就可以代表四个状态：少于25%代表00，25% ~ 50%代表01，50% ~ 75%代表10、大于75%代表11。这就是MCL(Multi Level Cell)的做法。

当然我们还可以对晶体管中的电子数目做三阶量化，一个晶体管就可以代表八个状态：000、001、010、011、100、101、110、111。这是TLC(Three Level Cell)的做法。

也就是说，量化等级越高，一个晶体管可以表示的状态越多，存储密度就越大，同等数量的存储单元组成的存储介质，存储容量也越大。

这样，原本一个bit的浮栅晶体管现在能存储3bit数据。这也是为什么如今的SSD容量如此之大的原因。

借鉴资料：
1: 固态硬盘的缓存是干什么的？

2: 存算一体的存储器基础（这个的简介区有很多科普视频）

3: SSD是如何存储数据的？

4: NAND Flash基础知识简介

5: Nand Flash学习笔记2-Program（有一系列NAND Flash相关的，都有点帮助）