TTL，CMOS，LVTTL，LVCMOS电平标准

最新推荐文章于 2025-03-12 22:25:07 发布
最新推荐文章于 2025-03-12 22:25:07 发布
阅读量5.2k 收藏 16
点赞数 6
分类专栏： FPGA IC设计 文章标签： ttl fpga
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/c17611255160/article/details/119185319
版权
本文详细介绍了TTL和CMOS电平标准，包括VCC、VOH、VOL、VIH、VIL等参数的具体数值，并提到了不同电压下的LVTTL和LVCMOS标准。同时，讨论了噪声容限的概念，它是确保电路在存在噪声干扰时仍能正确工作的关键指标。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

TTL电平

VCC：5V

数字电路中，由TTL电子元器件组成电路使用的电平。电平是个电压范围。

标准输出高电平（VOH)：2.4V

标准输出低电平(VOL)：0.4V（0.5V）

通常输出高电平：3.5V(3.6V)

通常输出低电平：0.2V

最小输入高电平(VIH)：2.0V

最大输入低电平(VIL) ：0.8V

对TTL器件规定输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。

在室温下，TTL器件一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。

最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。（什么是噪声容限）

3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。

2.5V LVTTL： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。

CMOS电平标准

 

Vcc：5V；

VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。

3.3V LVCMOS：

Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。

2.5V LVCMOS：

Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。

思考题：（1）噪声容限是如何计算的?

（2）电位，电压，电平有什么区别？

常用的电平标准（TTL,RS232,RS485）
weixin_60324241的博客
01-05 3657
输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0V就认为是1。于是TTL电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V，高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V。电平标准：是数据1和数据0的表达方式，是传输线缆中人为规定的电压与数据的对应关系，串口常用的电平标准有三种：TTL,RS232,RS485。逻辑1：两线压差：+2V ~ +6V。逻辑0：两线压差：-2V ~ -6V。，两线压差：-2V ~ -6V表示。两线压差：+2V ~ +6V表示。逻辑0：+3V ~ +15V。
TTL电平、CMOS电平、RS232电平的介绍
weixin_44730555的博客
07-03 589
TTL电平 TTL电平信号规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”(采用二进制来表示数据时)。这样的数据通信及电平规定方式，被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统。这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 系列 说明 54/74系列标准TTL 输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V...
常用电平标准之LVCMOS
richardhuang1123的专栏
02-20 2843
mDDR的IO用的是lvcmos电平标准，不同于标砖的DDR的SSTL电平。 LVCMOS特点：电压容限高。需要较高的电压摆幅。
CMOS电平标准详解
SDJ_success的博客
03-10 1281
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体）电平标准是一种基于CMOS工艺的数字逻辑电平规范，用于定义逻辑高电平（HIGH）和低电平（LOW）的电压范围。其核心特点是低功耗、高噪声容限和宽工作电压范围，已成为现代数字电路设计的通用标准。CMOS电平标准凭借低功耗、高集成度和电压灵活性，已成为现代电子系统的基石。其应用覆盖从纳米级处理器到工业控制设备的全场景，并与LVDS、POD等衍生标准共同推动着高速、低功耗技术的发展。
LVTTL LVCMOS电平标准
06-02
介绍了LVTTL LVCMOS电平标准,对LVTTL LVCMOS电平认识不清楚的推荐。
TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS等常见的电平标准
10-28
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。本文简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
常用电平标准——LVTTL、LVCMOS、LVDS等
qq_19551913的博客
10-13 5214
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL 全名：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL=2
1.16 常用电平标准（TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL）
医疗电子的博客
04-13 5536
电路设计中，经常遇到各种不相同的逻辑电平。常见的逻辑电平如下：TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。
常用电平标准（TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232）
热门推荐
萧瑟一笑的专栏
05-30 5万+
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。  TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。  Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL=2V
TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS逻辑电平介绍及其互连
weixin_47611236的博客
07-20 3965
CMOS是MOS管逻辑（就是一个NMOS和一个PMOS互补输出），由于MOS管是压控器件，且输入电阻极大，因此CMOS电平的器件速度较慢，但功耗较小（这也是现在集成电路广泛使用CMOS工艺的原因之一），同时由于CMOS器件输入阻抗很大，外界微小的干扰就可能引起电平的翻转，因此在CMOS器件上未使用输入引脚应该做上下拉处理，避免浮空。如图所示，IC1的IO口是5V电平，IC2的IO口是3.3V电平，IC2的IO口驱动电流为20mA，则电阻应该有1.7V压降，计算该电阻值为85Ω。
TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS都是神马
08-03
在电子设计领域，TTL...总之，理解TTL、CMOS、LVTTL和LVCMOS等逻辑电平标准的差异和特性，是电子工程师设计数字电路时的基本功。正确地使用这些标准并注意相关的使用注意事项，能够确保电路的可靠性和效率。
TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232电平标准
09-10
TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232电平标准
TTL_CMOS_LVTTL_LVCMOS门电路接口规范.pdf
11-30
总的来说，TTL、CMOS、LVTTL和LVCMOS之间的接口规范涉及电平匹配、电流能力及兼容性问题。设计电路时，确保这些参数在相互连接的设备间正确匹配，是确保电路可靠性和高效运行的基础。在实际应用中，可能还需要考虑...
电子工程师成长：从零开始掌握LVTTL与LVCMOS电平标准
参考资源链接：[LVTTL LVCMOS电平标准](https://wenku.csdn.net/doc/6412b6a2be7fbd1778d476ba?spm=1055.2635.3001.10343) # 1. 电子工程师入门：理解LVTTL与LVCMOS ## 1.1 LVTTL与LVCMOS简介 在电子工程领域，逻辑...
接口电平
yuanxi的专栏
12-12 1433
232电平或者说串口电平，有的甚至说计算机电平，所有的这些说法，指得都是计算机9针串口 （RS232）得电平，采用负逻辑，－15v ~ －3v 代表1＋3v ~ ＋15v 代表0RS485电平 和RS422电平 由于两者均采用 差分传输（平衡传输）的方式，所以他们的电平方式，一般有两个引脚 A,B发送端 AB间的电压差＋2 ～ ＋6v 1 －2 ～ －6v  0接收
LVCMOS（Low Voltage Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）电平详解
最新发布
SDJ_success的博客
03-12 1441
LVCMOS（低压互补金属氧化物半导体）是CMOS技术的低电压版本，专为现代低功耗、高集成度芯片设计，支持等多种电压等级。其通过优化晶体管结构和供电电压，显著降低功耗并提升噪声容限，成为数字电路设计的核心电平标准。核心特性电平范围输入电平阈值VIH（输入高电平）：≥0.7×VCC ≈2.31VVIL（输入低电平）：≤0.3×VCC ≈0.99V输出电平阈值VOH（输出高电平）：≥VCC -0.4V ≈2.9VVOL（输出低电平）：≤0.4V技术优势超低静态功耗：纳安级漏电流，适合电池供电设备。
LVDS,LVTTL,LVCOMS等常见电平标准
三思的博客
04-29 1万+
文章目录前言一、数据传输速率与距离二、电平标准1.差分信号2.单端信号 前言 我们常见的电平标准有很多，单端的例如LVTTL,差分的例如LVDS。但在实际使用时，却有以下几个问题。 1.应该在哪里使用？ 2.有什么好处？ 3.有什么限制？ 一、数据传输速率与距离 在高速率传输情况下，我们基本使用差分信号进行数据传输。我们得考虑数据需要传输多远，传输多快。 从图中可以看出CML(Current-Mode Logic ) 和 LVPECL(Low-Voltage Positive-Emitter-C
详解信号逻辑电平标准: CMOS、TTL、LVCMOS、LVTTL、ECL、PECL、LVPECL、LVDS、CML
sunarmy的专栏
06-06 7929
Refer:常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。供电电源、电平标准以及使用注意事项。
LVCOMS (Low Voltage CMOS) 电平采样
Cfx1998的博客
01-13 513
通常定义为输入电压达到或超过 2.5V 电源电压的。，需要尽量避免输入信号落入此范围，以防止逻辑门误判。在 0.75V 和 1.75V 之间的电压为。通常定义为输入电压小于等于电源电压的。时，信号被判定为高电平。时，信号被判定为低电平。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值