I2C的总线电容 总线的最大电容 400pF限制

手机原理设计中，上拉电阻常用在中断，GPIO控制，I2C等信号上，本文希望能通过实例分析加深对上拉电阻的理解。如果有错误，请大神们提出来。

    中断，GPIO,I2C等一般都是OC或者OD门，芯片内部无上拉电阻时，则外部必须加上拉电阻才能输出高电平。一般I/O端的驱动能力在2～4mA量级，OC或者OD门的导通电压为0.4V左右，手机中加在上拉电阻上的电压一般都是2.8V，上拉电阻的最小值不能低于800R（2.8-0.4V/3mA=0.8K），5V电压时，则不能低于1.5K(5-0.4V/3mA=1.5K)。中断和GPIO信号本身，只需要产生一个高电平即可，不需要驱动设备，上拉电阻可以取大点，减小功耗，但须注意上拉电阻不能太大，否则会和PCB走线，器件等负载电容影响信号上升时间。经验值一般在4.7~100K之间。

    I2C上拉电阻阻值计算:

    I2C的接口一般都是OD机制，同样需要加上拉电阻才能输出高电平。上拉电阻的最小值须符合上文。下面计算下上拉电阻的最大值。

    

 

 I2C总线图

    I2C总线的传输速率分为标准模式（100Kbit/s）和快速模式（400Kbit/s），负载的最大容限分别是400pF和200pF，根据I2C总线协议，上拉电阻的最大值被总线电容所限制。

    下面两个图可以看出上拉电阻的取值(Rs是I2C设备串联在I2C总线上的电阻，可以防止SDA和SCL的高电压毛刺波，例如电视的显像管击穿产生的高压毛刺)

  

    由上图可以看出，上拉电阻的最小值由上拉电源决定，最大值由总线电容决定。

    最大值网上有个计算公式，Rmax=T/0.874*C，C=200pF时，T=1us；C=400pF时，T=0.3us。但是根据这个公式计算出来的值都不怎么对，另外常数0.874怎么来的？请懂得人指教下。手机等低功耗设备一般选择4.7K

 

 

 

（1）

    总线电容Cb是一条总线线路连接和管脚的总，单位是pF。由于规定了上升时间，这个电容限制了上拉电阻Rp 的最大值，而电源电压限制了上拉电阻Rp 的最小值，输出级在VOLmax=0.4V 时指定的最小下拉电流是3mA。
如果总线线路的电容负载升高，位速率将逐渐下降，总线的电容负载是400pF 时的，允许最大位速率是1.7Mbit/s 。总线电容负载在100pF~400pF 时时序参数必须呈线性增加。

（2）

    在我们的实际设计中，需要清楚I2C的总线的两个特征：
1、串行数据SDA和串行时钟SCL线都是双向线路，通过一个电流源或上拉电阻Rp连接到正的电源电压+VDD，当总线空闲时这两条线路都是高电平。连接到总线的器件输出级必须是漏极开路或集电极开路才能执行线与的功能。I2C 总线上数据的传输位速率，在标准模式下可达100kbit/s，快速模式(F/S)下可达400kbit/s，高速模式(Hs)下可达3.4Mbit/s。
2、连接到相同总线的IC数量只受到总线的最大电容400pF限制。如果总线线路的负载电容升高，位速率将逐渐下降。
总线规定使用非标准电源电压,不遵从I2C 总线系统电平规定的器件，必须将输入电平连接到有上拉电阻Rp 的VDD电压。

1，总线输入电平的定义：低电平噪声容限是0.1VDD，高电平噪声容限是0.2VDD。VOL定义为在漏极开路或集电极开路时，有3mA下拉电流时的低电平输出电压，最大值取VOLmax=0.4V，这个3mA是指定的最小下拉电流。在一定范围内，下拉电流越大，驱动能力越强。Rpmin是电源电压的函数，即电源电压越高，Rpmin值越高。Rpmax是负载电容的函数，总线电容越大，即负载越大，Rpmax越低。
2，总线电容是线路连接和管脚的总电容，规定总线输入电流的最大值是10uA，同时规定了上升时间tr的最大值，由于高电平要求0.2VDD的噪声容限，这个输入电流限制了Rp 的最大值。总的高电平输入电流是Rpmax的函数。在电源电压一定时，总的高电平输入电流越大，Rpmax越小。总线的负载电容和上拉电阻的值决定了信号的上升时间tr，规定
trmax=300ns。creasy讲得对：时间常数等于源端阻抗和总线电容的乘积，上拉电阻太大会造成时间常数过大，从而使上升沿的斜率变小，增大了总线上升时间。

小结：上拉电阻Rp的值由三个参数决定：电源电压、总线电容和连接器件的数量（输入电流+漏电流）。