MOS管的作用及原理介绍+MOS管应用电路

MOS管工作原理的应用驱动电路详解

MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

MOS管工作原理

MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止。

MOS管的实际应用
应用MOS管前，理解MOS管每个参数的具体意义后，再额外注意一下管子本身的体二极管，本身Vf=1.6V，导通后管子本身阻抗一般是mΩ级；管子厂工作于以下三种状态：导通，截止和可变电阻区（又有线性放大区的说法）。

1、作电平转换用

电路设计时，不同的子系统之间无可避免的需要数字信号传递，不同的系统之间或者设备之间，数字接口电平经常不一致，故需要用到电平转换电路，有专门集成的IC实行电平转换，从省成本的角度来看也可以用MOS管或者三极管搭建，如下为MOS管搭建：

 

需要注意电平的高低，外接电路电平是否确定，是否双向通信和通信速率等均影响具体电路的细节考虑，上述只是模型。

2、作开关管用

作为电子开关控制电源的通断，一般正极用PMOS管，负极用NMOS管控制；

 

3、 缓启动用

在有大电容负载时，比如电解电容和大功率设备电源（电机、马达等）需要对电源作缓启动设计，否则会有很大的浪涌电流，电源电压跌落导致系统复位，反复重启等严重缺陷。

 

4、防反接用

在电源接口设计时，有很多场合需要考虑反接的问题，没有相应的电路设计的话很容易将电路烧坏，造成损失；

 

PMOS管常用在正极，NMOS管常用在负极；上面电路只是一个模型，具体电路还需要增加相应的阻容器件调理。

5、作逻辑转换用

信号除了电平高低的转换，很多时候需要电平逻辑高低转换，MOS管和三极管都可以实现，下面是MOS管的方式；

MOS管应用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。

现在的MOS驱动，有几个特别的应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3、双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。

三、相对通用的电路

电路图如下：

NMOS管驱动电路

 

PMOS管驱动电路

 

这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：

Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。

Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。

Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。

最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。

这个电路提供了如下的特性：

1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3，gate电压的峰值限制

4，输入和输出的电流限制

5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路
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