运算放大器与比较器的主要区别

 一、运算放大器与比较器的主要区别

【总结】运算放大器与比较器的区别_运放比较器-重要详细

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1、运算放大器与比较器的主要区别是闭环特性

     放大器大都工作在闭环状态，所以要求闭环后不能自激。而比较器大都工作在开环状态，更追求速度。对于频率比较低的情况，放大器完全可以代替比较器（要注意输出电平），反过来比较器大部分情况不能当作放大器使用。

    因为比较器为了提高速度进行优化，这种优化却减小了闭环稳定的范围。而运放专为闭环稳定范围进行优化，故降低了速度。所以相同价位档次的比较器和放大器最好是各司其责。如同放大器可以用作比较器一样，也不能排除比较器也可以用作放大器。但是你为了让它闭环稳定所付出的代价可能超过加一个放大器！

    换言之，看一个运放是当作比较器还是放大器就是看电路的负反馈深度。所以，浅闭环的比较器有可能工作在放大器状态并不自激。但是一定要作大量的试验，以保证在产品的所有工作状态下都稳定！这时候你就要成本/风险仔细核算一下了。

     运算放大器和比较器如出一辙，简单的讲，比较器就是运放的开环应用，但比较器的设计是针对电压门限比较而用的，要求的比较门限精确，比较器输出一般是OC方式，便于电平转换，比较后的输出边沿上升或下降时间要短，输出符合TTL/CMOS电平/或OC等，不要求中间环节的准确度，同时驱动能力也不一样。一般情况：用运放做比较器，多数达不到满幅输出，或比较后的边沿时间过长，因此设计中少用运放做比较器为佳。

2、运放和比较器的区别

    比较器和运放虽然在电路图上符号相同，但这两种器件确有非常大的区别，一般不可以互换，区别如下:

    1、比较器的翻转速度快，大约在ns数量级，而运放翻转速度一般为us数量级（特殊的高速运放除外）。

    2、运放可以接入负反馈电路，而比较器则不能使用负反馈，虽然比较器也有同相和反相两个输入端，但因为其内部没有相位补偿电路，所以，如果接入负反馈，电路不能稳定工作。内部无相位补偿电路，这也是比较器比运放速度快很多的主要原因。（比较器没有频补，Slew Rate比同级运放大，接成放大器易自激；比较器的开环增益比一般放大器高很多，因此比较器正负端小的差异就引起输出端变化。频响是一方面，另外运放当比较器时输出不稳定，不一定能满足后级逻辑电路的要求。）

    3、运放输出级一般采用推挽电路，双极性输出。而多数比较器输出级为集电极开路结构，所以需要上拉电阻，单极性输出，容易和数字电路连接。比较器（LM339）输出是集电极开路（OC）结构,需要上拉电阻才能有对外输出电流的能力。而运放输出级是推挽的结构，有对称的拉电流和灌电流能力。另外比较器为了加快响应速度，中间级很少，也没有内部的频率补偿。运放则针对线性区工作的需要加入了补偿电路。（比较器为集电极开路（OC）输出，容易输出TTL电平或CMOS电平，而运放有饱和压降，使用不便）

比较器和运放虽然在电路图上符号相同，但这两种器件确有非常大的区别，一般不可以互换，区别如下:

1、比较器的翻转速度快，大约在 ns 数量级，而运放翻转速度一般为 us 数量级(特殊的高速运放除外)（高增益带来低速度）。
　　一般比较两个输入模拟信号(例如一个输入信号和一个参考信号)并由此产生一个二进制输出，要求较快的响应速度。

2、运放可以接入负反馈电路，而比较器则不能使用负反馈，虽然比较器也有同相和反相两个输入端，但因为其内部没有相位补偿电路，所以，如果接入负反馈，电路不能稳定工作。内部无相位补偿电路，这也是比较器比运放速度快很多的主要原因。

3、运放输出级一般采用推挽电路，双极性输出。而多数比较器输出级为集电极开路结构，所以需要上拉电阻，单极性输出，容易和数字电路连接。

（3）比较器(LM339 和 LM393)输出是集电极开路(OC)结构, 需要上拉电阻才能有对外输出电流的能力 . 而运放输出级是推挽的结构, 有对称的拉电流和灌电流能力 . 另外比较器为了加快响应速度, 中间级很少, 也没有内部的频率补偿 . 运放则针对线性区工作的需要加入了补偿电路 . 所以比较器(LM339 和 LM393)不适合作运放用。

运放在开关电源中主要用于反馈电路、过流保护的采样放大等等。                        

原文链接：https://blog.csdn.net/Carol0630/article/details/124839133

3、符号都是一个三角形标着正负号

比较器用在施密特触发器里什么的，而运放主要是理想运放。先用瞬时极性法走一遍，看看是正反馈还是负反馈。正反馈的是比较器，负反馈的是理想运放。所谓比较器就是比较正负两端哪一个电压值大，从而使输出电压产生高低电平的转换。理想运放则是可以利用虚短虚断来做分析，主要功能当然就是放大。注意负反馈是可以利用虚短虚断，而正反馈是只能用虚断。

二、高侧配置中，有两种常用的电流测量方法

电流测量-电压|运算放大器 

高侧电流检测实现

　　在高侧配置中，有两种常用的电流测量方法：

　　• 使用差分运算放大器，如图1所示。

图1 用于高侧电流测量的运算放大器电路

 

　　使用电流检测放大器，如图2所示。

图2 用于高侧电流测量的电流检测放大器电路

 

　　这两种方法具有一些根本的区别，主要体现在电流检测放大器集成了增益电阻器网络，而运算放大器则使用外部分立式电阻器作为其增益网络。无论您使用哪种方案，基本系统传递函数都适用，如公式1所示：

公式1

　　其中

　　• y 是输出电压 (VOUT)。

　　• m 是系统增益，对于此系统为RSHUNT×G。G是为大多数电流检测放大器预定义的，而对于运算放大器，则为RF/RI。

　　• x 是输入电流(I)。

　　• b 是系统的失调电压。如果系统测量双向电流，当输入电流为零时，b 是输出电压。如果单向测量，b 在0A下的理想电压为0V，但它可能会受到放大器输出摆幅规格的限制。对于运算放大器和电流检测放大器，VOFFSET 通常是以输入为参考规格。因此，b 实际上还需要考虑系统的增益。

　　电流测量的传递方程可改写为公式2：

公式2

　　基于此基本传递函数，有两种误差类型：增益和失调电压。

　　增益误差

　　系统增益误差有两个主要来源：分流电阻器和放大器增益。分流电阻器误差对于运算放大器或电流检测放大器是常见的，通过查看电阻器规格表很容易确定，而放大器的增益误差则取决于选择的放大器方案。

　　对于差分运算放大器方案，如前所述，增益是两个电阻器的比率，即RF/RI。要计算误差，需查看电阻器的数据表。典型分立增益网络电阻器的容差为0.5%、100ppm/°C。要计算此比率的最大误差，需假设一个电阻处于最大值，而另一个电阻处于最小值。这会在室温下产生1%的误差，并且由于假设会发生反向漂移，因此在125°C下为3%。

　　对于电流检测放大器，增益误差通常列在数据表中。图3 显示了德州仪器(TI)INA186-Q1的增益误差。可以看到，室温下的增益误差为1.0%。温漂为10ppm/°C时，125°C下的增益误差为1.1%。

图3 INA186-Q1增益误差和增益误差漂移规格数据表

　　这是TI电流检测放大器的一个主要优势：精度匹配的集成增益网络可更大限度地减少温漂效应。对于运算放大器电路，您可以使用精度匹配的电阻器网络，但它们会显著提高方案成本。

　　偏移误差

　　如上所述，输出失调电压必须包括增益。由于失调电压通常指定为以输入为参考，因此公式3按如下所示计算失调电压误差：

公式3

　　从公式3中可以看出，当VSHUNT (IxRSHUNT) 接近失调电压值时，失调电压误差很重要，并且随着电流变为0，失调电压误差将接近无穷大。相反，如果VSHUNT >>VTOTAL OFFSET，那么此误差项将接近0。

　　总输入参考失调电压具有三个主要组成部分：

　　• 放大器VOFFSET 规格和漂移。

　　• 共模抑制比(CMRR)。

　　• 电源抑制比(PSRR)。

　　由于放大器的VOFFSET 通常在固定共模电压和电源电压下指定，因此CMRR和PSRR也是造成失调电压误差的因素。图4 显示了INA186-Q1的固定值，图5显示了常用运算放大器TI TLV2186的固定值。

图4 INA186-Q1在固定共模电压和电源电压规格下的CMRR和PSRR数据表

图5 TLV2186在固定共模电压和电源电压规格下的CMRR和PSRR数据表

　　正如信号链基础知识 #141 中所述，数据表中电流检测放大器的VOFFSET 指定方式与运算放大器不同。具体而言，电流检测放大器失调电压包括集成电阻器网络的影响，而运算放大器VOFFSET 仅适用于器件。运算放大器方案中的总失调电压需要将外部电阻器的影响考虑在内。

　　由于电流从共模电压流经外部电阻器，因此可将外部电阻器视为导致共模抑制误差的原因。假设所有四个增益电阻器具有相同的容差，根据公式4，电路的增益和电阻器的容差将确定“电阻器CMRR”：

公式4

　　图6 所示为不同增益和电阻器容差下计算出的电阻器CMRR（以分贝为单位），您可从中看到不同增益和电阻器容差所产生的影响。

图6 在三种不同增益配置、不同电阻容差下计算出的CMRR值

　　对于电流检测放大器，只需将CMRR和PSRR的影响添加到器件的失调电压规格中，即可计算出总输入失调电压。通常会在整个温度范围内指定CMRR和PSRR；因此，任何漂移影响都已考虑在内。但是，计算不同温度下的误差时必须考虑温漂。

　　总误差

　　理论上，最坏情况下的总误差只是各个误差项的总和。从统计学角度讲，所有误差同时发生的这种情况不太可能发生。因此，使用平方和根方法（公式5）计算一阶总误差：

公式5

　　图7 列出了使用INA186-Q1和TLV2186且增益为20时的关键性能指标。

图7 使用INA186-Q1或TLV2186实现高侧电流测量应用的关键性能指标

　　图8 展示了两种方案使用10mΩ、0.5%、50ppm/°C RSHUNT 分别在室温和125°C 时用公式5计算得出的以下误差曲线。

图8 高侧电流测量方案结合使用INA186-Q1或TLV2186以及10mΩ、0.5%、50ppm/°C RSHUNT 时的平方和根误差曲线

　　从图7和图8中可以看出，外部增益电阻器是分立式方案的主要误差源，在温度变化时尤为明显。校准可以更大限度地降低室温下的失调电压误差，但温漂不容易校准。

　　总结

　　通过增加可实现的设计裕度，提高电流检测方案的精度可以提高系统的诊断能力。但与任何电子系统一样，提高精度通常需要增加系统成本。通过了解不同工作条件下的误差源及其影响，您能够在成本和精度之间做出适当的权衡。