MOSFET的性质在IC设计中的体现

1、MOSFET介绍

MOS场效应管时是场效应管的一种，另一种为结型场效应管。MOS场效应管又分为耗尽型与增强型两种，大部分集成电路中使用的是增强型MOSFET。因此本文主要介绍增强型MOSFET及其特性在设计中的体现。在介绍MOSFET之前，首先需要了解一下PN结的相关知识。

1.1   PN结

1.1.1  什么是PN结 

        如果把一块本征半导体的两边掺入不同的元素，使一边为P型，另一边为N型。则在它们的交界处就产生了电子和空穴的浓度差，电子与空穴都会向浓度低的地方做扩散运动。则P区失去空穴的负离子与N区失去电子的正离子会产生内建电场，这个内建电场的电位差称为势垒高度。内建电场的电场力会阻止空穴或电子的移动，在内电场力的作用下，当多数载流子扩散与少数载流子的漂移运动两者相同时，达到动态平衡，此时没有电流。此种状态下，这些不能移动的正负粒子所在的空间电荷区称为PN结（又称为耗尽层）。

1.1.2  PN结的单向导电性

        PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。由于PN结的特性，当给PN结加正偏压时，内建电场的电位差减小，即势垒高度的降低。此时破坏了PN结的动态平衡，多数载流子的扩散运动会大于少数载流子的漂移运动，因此会产生扩散电流又称正向电流。相反地，若加反向电压，内建电场的势垒高度会进一步升高，则多数载流子的扩散运动进一步受到抑制，此时少数载流子的漂移运动会大于多数载流子的扩散运动，会形成漂移电流也称反向电流。反向电流比正向电流小得多，但受温度影响较大。

1.2   增强型MOSFET

1.2.1  增强型N沟道MOSFET

        增强型N沟道 MOSFET其结构如下图所示。它以一块低掺杂的P型硅为衬底，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。在不通电时，两个N+区与P型衬底都会存在耗尽层，源极与漏极两者相当于断开，没有电流产生。

         在常见的N沟道增强型 MOSFET的分析中，一般会将源级和衬底短接后接地。同时为了方便分析假设Uds=0，此时若给栅极一个正向电压，金属栅极于P型衬底之间相当于一个平板电容器，在正向栅极电压的作用下，便产生垂直于衬底表面的电场，这个电场排斥空穴并吸引电子。如果不考虑两个N+区，则随着栅极电压的增大，该电场首先排斥上表面的空穴形成耗尽层，如果继续增大电压，则会继续吸引电子，上表面出现类似N型半导体的特征。此时出现的N型层称为反型层，即MOS管名字中的N沟道。现在再来考虑两个N+区的影响，若两个N+区的电压为0，在栅极电压的影响下，N+的多数载流子会被吸引，此时靠近栅极部分的耗尽层的多数载流子的扩散运动会大于少数载流子的漂移运动。因为多数载流子的移动方向为栅极， 其扩散运动并不是在源极与漏极之间，因此源极漏极之间仍没有扩散电流。但此时两个N+区即源极与漏极已经通过反型层相连了，很显然，若源极与漏极间存在电势差，那么反型层的多数载流子会在水平方向上做扩散运动，此时源极与漏极之间则会产生电流。

        通过上文的分析，好像可以知道MOS是如何导通的，但其实上文的分析存在一个问题，即我们一开始假设Uds为0，但产生电流时Uds是不为0的，因此最开始分析时的基础条件改变了。因此在我们来分析一下反型层形成时，若Uds不为0，会发生什么。假设Uds大于0，很显然，若Uds大于0，由于源极与衬底是短接接地的，那么漏极与衬底之间是反偏的，那么漏极的N+区的耗尽层会偏大，即靠近漏极的反型层宽度会较窄，如下图所示：

        看到这里，我相信大家会有疑惑，觉得源极与漏极之间的反型层通道几乎被切断了，那么源极与漏极之间还存在扩散电流吗？答案是仍然存在扩散电流，而且不会比反型层通道较宽时的电流下，因为随着Uds的增大，虽然源极与漏极之间的通道会逐渐变窄，但两者的电势差变大，对电子的吸引也会增大。只要增大的吸引力产生的影响大于通道变窄的影响，那么电流依然会增大，此时MOS工作在可变电阻区。若Uds继续增大，而电流基本不发生变化时，则此时通道变窄与吸引力变大两者就极为接近了，但总体还是吸引力略大。若一直增大电压，则MOS管会进入击穿区，这并不是数字集成电路中使用的范围，不作过多分析。通过上文的分析可以发现，各个电极之间的电压变化是很灵活的，因此我们要抓住PN结的特性，灵活地进行分析 。

 1.2.2  CMOS传输门

       通过上面的基础，我们来分析一个MOS管应用的实例——CMOS传输门。CMOS传输门（Transmission Gate）是一种既可以传送数字信号又可以传输模拟信号的可控开关电路，由一个PMOS和一个NMOS管并联构成，上面的MOS管是增强型P沟道MOSFET，下面的MOS管是增强型N沟道MOSFET。CMOS传输门具有很低的导通电阻（几百欧）和很高的截止电阻（大于10^9欧），其结构如下图所示。

        D触发器是 IC芯片的重要组成部分，在CMOS工艺中，D触发器通常由传输门组成。分析CMOS传输门的工作原理之前，我们首先要提一个概念——开启电压,开启电压是指开始出现反型层时的电压， 如果根据上文的分析，我们可能会认为开启电压时指栅极与衬底之间的电压，其实并不是，开启电压是指源极与栅极之间的电压。很显然，我们之前的分析源极与衬底都是短接的，如果源极与衬底并未短接，那么此时的开启电压与 源极与衬底短接时的开启电压是不同的。这种情况属于MOSFET二级效应中的衬偏效应，又叫体效应，对于增强型N沟道MOSFET而言，导通条件仍然是Vgs>Vt。

        我们先分析下面的增强型N沟道MOSFET，C对应栅极G极，Vi对应源极S极，它的衬底接地。当C=0时，很显然无论输入Vi是0还是1（数字信号非0即1），Vgs都是达不到开启电压的。当C=1时，若Vi=0，此时Vgs可以达到开启电压，MOS管导通；当C=1时，若Vi=1，此时Vgs等于0无法达到开启电压，MOS管关断。总结下来就是 当C=1，且Vi=0时，增强型N沟道MOSFET可以导通，其他情况下都不导通。

        下面的增强型P沟道MOSFET导通条件分析与上面的分析类似，总结下来就是总结下来就是 当C非=0，且Vi=1时，增强型P沟道MOSFET可以导通，其他情况下都不导通。

        对两个MOS管分别进行分析后发现，当C=0时，两个MOS管都是不导通的。当C=1时，若Vi=0，下面的强型N沟道MOSFET导通；若Vi=1，上面的强型P沟道MOSFET导通。两个MOS管一起作用保证当C=1时，输入信号总是可以通过输出门；而当C=0时，两个MOS管都截止，传输门相当于开路。

        一般而言，数字电路工作在可变电阻区和截止区。截止区很好理解，即MOS管不导通，MOS管阻抗可以看作无限大，相当于MOS管开路。可变电阻区上文已经作过介绍，即电流随着电压的变大而变大，此时MOS管呈现导体的性质，MOS管阻抗可以认为很小，那么源极与漏极的电压是十分接近的，可以认为它们相等，这就是CMOS传输门的原理。因为MOS是对称的，因此CMOS传输门输入和输出可以对调，即源极漏极可以对调。

2、MOS管性质在数字设计中的体现

2.1 建立时间

        移除时间与恢复时间本质上也是触发器需要满足建立时间与保持时间。

        下面两幅图分别为建立时间与保持时间存在的原因示意图。（原文链接：Setup and Hold Time Explained）

（2021/9/28   华为笔试题中关于建立时间的解释： setup time实际上主要是由寄存器内部主Latch的K1,u1,u2引入的delay ）

u1与u2应该是指两个反相器，K1应该是指传输门。当绿色圆圈的传输门导通、蓝色圆圈的传输门关闭时，此时两个反相器首尾相连，相当于storage。

若不满足set up time，则当传输门导通后，反相器Z的左右两侧则可能为同一个值，电路会在0与1之间震荡。

 2.2 保持时间

        与set up time相同，若不满足hold time，由于蓝色圆圈的传输门其关断需要时间，在这个过程中若D发生改变，则会出现与不满足set up time时相同的问题，反相器的左右两侧可能会是同一个值，电路会在0与1之间震荡。实际上也需要考虑走线的延迟，时钟的skew及反相器的延迟等因素，但需要保持时间的原理还是相同的原因，即反相器的左右两侧值可能相同。

2.3 低功耗问题

2.3.1 动态功耗

动态功耗来源于：
（1）翻转功耗 ：当门翻转时，负载电容充电和放电，称为翻转功耗。
（2）短路功耗 ： pmos和nmos管的串并联结构都导通时的有短路电流，称为短路功耗。

        以下图的CMOS非门为例，上面的MOS管为增强型P沟道MOSFET，下面的MOS管为增强型N沟道MOSFET，Vin为0时，上面的MOS管导通，下面的MOS管关闭，上面的MOS管源极接高电平，则导通时输出为高电平。 由上文的对MOS管的分析可以知道，MOS管的导通与截止的前提条件时需要导电沟道的。导电沟道的形成需要电子的运动，需要一定的时间，且是个连续过程，因此到信号变化时，两个MOS管时会在某些时刻都导通的，此时会产生短路电流。而信号翻转时，负载电容的充放电的功耗则很好理解。除此之外，我们知道MOS管的沟道形成时，其实相当于一个平板电容器，这个等效电容应该也会产生一定的功耗（个人想法，未求证）。

1.1 翻转功耗
有以下办法可以降低翻转功耗：

（1）使用回写结构

         可以看出，使用回写结构，data_out驱动的组合逻辑会降低动态功耗，如上文的CMOS非门，若输入不变，则动态功耗降低。
（2）使用门控时钟

        使用回写结构可以降低触发器输出驱动的组合逻辑的动态功耗，但是D触发器本身因为时钟的翻转而导致内部的MOSFET不停的翻转，因此门控时钟大大降低D触发器的动态功耗，同时由于触发器的输出没有改变，也能减少后继组合逻辑的功耗。

（2）减小负载电容
        电容来自于电路中的连线以及晶体管。缩短连线长度，良好的平面规划和布局可以使连线电容减小。选择较小的逻辑级数以及较小的晶体管可以减小器件的翻转电容。
（3） 减小毛刺
        毛刺会增大活动因子，有可能使门的活动因子增加到1以上。

（4）降低电压
        动态功耗与电压有平方的关系，降低电源电压可以显著降低功耗。将芯片划分成多个电压域，每个电压域可以根据特定电路的需要进行优化。例如，对于存储器采用高电源电压来保证存储单元的稳定性，对于处理器采用中等大小的电压，对运行速度较低的IO外围电路采用低电压。解决跨电压域信号传输的方法是使用电平转换器。

（6）降低频率
        动态功耗正比于频率，芯片只应当工作在所要求的频率下，不能比所要求的还要快。由前面小结可以，降低频率还可以采用较低的电源电压，大大降低功耗。

（7）谐振电路
        谐振电路通过使能量在储能元件如电容或电感之间来回传送而不是将能量泄放到来减小翻转功耗。

1.2 短路功耗
短路功耗发生在当输入发生翻转时，上拉和下拉网络同时部分导通的时候。如果输入信号翻转速率比较慢，那这两个网络将同时导通较长的一段时间，短路功耗也会比较大，增大负载电容可以减小短路功耗，原因是负载较大时，输出在输入跳变期间只翻转变化很小的一个量。

短路电流一般为负载电流的10%。当输入边沿变化速度很快时，短路功耗一般只占翻转功耗的2%-10%。

2. 静态功耗
静态功耗主要来源于：
（1）流过截止晶体管的亚阈值泄漏电流（subthreshold leakage）
（2）流过栅介质的泄漏电流（gate leakage）
（3）源漏扩散区的p-n节泄漏电流（junction leakage）
（4）在有比电路中的竞争电流

2.1 亚阈值泄漏电流
        亚阈值泄漏电流是晶体管应当截止时流过的电流。在90nm节点之前，泄漏功耗主要在休眠模式下才考虑，这是因为它与动态功耗相比可以忽略不计。但是在低阈值电压和薄栅氧的纳米工艺中，泄漏电流占到总工作功耗的1/3。

        亚阈值泄漏电流与多种因素有关。提高源极电压或应用一个负的体电压可以减小泄漏。泄漏电流还与温度有关，限制芯片温度对于控制泄漏至关重要。另外，通过两个或更多个串联晶体管的泄漏电流会应堆叠效应（stack effect）而大大减小。例如两输入与非门，两个NMOS堆叠在一起。

2.2 栅泄漏电流
        栅极泄漏电流发生在一个电压加到栅上时（例如当门导通时）载流子遂穿通过薄栅介质的情况下。泄漏电流与介质厚度有极强的关系。工艺中通过选择合适厚度的介质将栅泄漏电流限制到一个可接受的水平上。泄漏电流还取决于栅极电压。通过使晶体管堆叠起来并使截止晶体管靠近电源/地线可以使栅泄漏电流减小。

2.3 结泄漏电流
        结泄漏电流发生在源或漏扩散区处在与衬底不同电位的情况下。结泄漏电流与其他泄漏电流相比时通常都很小。

2.4 竞争电流
        静态CMOS电路没有任何竞争电流，但其他某些电路甚至在静态时本身就会吸取电流。电流模式逻辑和许多模拟电路也会吸取静态电流。这样的电路应该在休眠模式时通过禁止上拉或电流源工作来关断他们。

2.5 降低静态功耗办法
（1）电源门控
减小静态电流最容易的方法就是关断休眠模块的电源。这一技术称为电源门控。
（2） 多种阈值电压和栅氧厚度
有选择的应用多种阈值电压可以使具有低Vt晶体管保持性能而又使具有高Vt晶体管的其他路径减少泄漏。
大多数纳米工艺的逻辑管采用薄栅氧，IO晶体管采用厚的多的栅氧以使它们能够承受较大的电压。
（3）可变阈值电压
通过体效应可以调制阈值电压。在休眠模式下应用一个反向体偏置减小泄漏。在工作模式下利用一个正向体偏置来提高性能。
（4）输入向量控制
由前面可知，堆叠效应和输入排序会引起亚阈值泄漏和栅泄漏的变化。因此，一个逻辑模块的泄漏与门的输入有关。输入向量控制是当模块置于休眠模式时，应用一组输入图案使模块的泄漏最小。这些输入向量可以通过寄存器上的置位/复位输入端或通过扫描链加入。

参考链接 ：

（1）静态功耗与动态功耗_zhong_ethan的博客-CSDN博客_静态功耗

（2）芯片设计进阶之路——低功耗深入理解（一） - 知乎

（3）动态功耗计算 - 春风一郎 - 博客园