集成电路设计
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集成电路世界的简单入门记录
江南小作坊
做一个安安静静学习的兔头美男子
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版图基本知识
版图层次定义层英文(缩写)版图层有源区Active (diff / thin oxide)TON阱NwellTB场注入—PT正常Vth沟道注入—BC低Vth NMOS沟道注入LVN低Vth PMOS沟道注入LVPPS耗尽型NMOS沟道注入VDNND耗尽型PMOS沟道注入VDPPD纵向NPN基区注入P-baseBA多晶硅Poly1GTN型源/漏N+SNP型源/漏P+SP原创 2021-06-09 00:40:54 · 42267 阅读 · 12 评论 -
Cadence IC layout学习笔记二
layout练习记录实例1 二极管的伏安特性曲线分析实例2 双极型晶体管的伏安特性实例1 二极管的伏安特性曲线分析进入工作环境,打开软件:通过以下方式(File > New > Cellview)为二极管创建一个cell view:进入原理图模式,创建以下电路:进行仿真,选择Tools > Analog Environment:为模型库建立仿真路径(一般这个需要前期安装,已装好,选择默认即可):通过Analysis > Choose,选择dc直流分析模式,并原创 2021-05-31 22:03:26 · 2895 阅读 · 1 评论 -
CMOS基础知识(一)
MOS管器件符号MOS器件结构结构:红色:多晶硅形成的栅极G(gate);绿色:源极S(source)和漏极D(drain);黄色:衬底B(bulk);物理尺寸:源-漏极之间有一定距离,称为沟道长度;Leff:有效沟道长度;Ldrawn:沟道绘制长度;LD:栅横向扩散长度;tox:栅极绝缘层;NMOS和PMOS组成反相器剖面图NMOS管:源漏极是N型材料,浅绿色的N+表示;衬底电位由右边的P+提供;栅极即红色ploy;PMOS管:源漏极原创 2021-04-21 01:25:41 · 21522 阅读 · 3 评论 -
Cadence IC设计学习笔记一
Virtuoso Schematic Editor学习通过实验的方式掌握Schematic Edtior的设计方法启动进入自定义的文件夹,打开终端,输入icfb & (加&表示可以后台运行)建立新库、新单元及新视图在CIW中,File > New > Library,在弹出的 New Library 窗口中,输入Name :mylib,选中Don’t need techfile -> OK查看CIW窗口:Tools > Librart Ma原创 2021-04-12 11:24:18 · 5329 阅读 · 1 评论