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基本概念数字电路分为组合逻辑电路和时序逻辑电路。逻辑门电路的基本器件：电子开关（如二极管、三极管）— 时而导通，时而截止，构成电子开关。SoC（System on Chip）片上系统：将电子系统中所有不同的功能块集成在一个芯片中。ASIC（Application Specific Integrated Circuit）专用集成电路：根据用户特定要求和电子系统的特定需要而设计制造的专用集成电路。ASIC芯片的制作可以采用全定制或半定制的方法：全定制：适用于生产批量的成熟产品，由半导体生产厂家制

十进制珠算盘就是一个十进制计数器，任何一个数都可以用0，1，2，3，4，5，6，7，8，9这10个数码中的一个或几个，按照一定的规律排列起来表示，其计数规律“逢十进一”。10=1×101+0×100，以10为基数的计数体制。如4587.29可以表示为：4587.29=4×103+5×102+8×101+7×100+2×10-1+9×10-2，其中103、102、101、100分别为千位、百位、十位和各位数码的权，而小数点以右数码的权值是负幂。一般地说，任意十进制数可以表示为：(N)D=∑i=−∞∞

基本门电路基本门电路有3种：与门（AND）、或门（OR）和非门（NOT）。与门电路结构只有两个开关AB都闭合时，指示灯才会亮；逻辑与（逻辑相乘）：决定事物结果的全部条件同时具备时，结果才发生。真值表真值表：用来列举电路各种输入值和对应输出值的表格。 输入 输出 A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0

波形发生器概念蓄积翻转方波发生器TINA-TI仿真概念波形发生器（信号源发生器），就算能够自己产生确定性波形的电路。一般来说，信号源电路包括矩形波（方波）、锯齿波（三角波）、正弦波发生电路，理论上还不包括噪声波形产生，以及任意波形的产生。特点：没有输入信号，能够自己产生输出信号。蓄积翻转-蓄积翻转的思想：“玩跷跷板的小蚂蚁”—有个跷跷板，一头沉，一头翘，小蚂蚁总是匀速向高处爬，爬到跷跷板单臂长度的一半时，蚂蚁自身的重量让跷跷板翻转，蚂蚁继续向高处爬，跷跷板不停的翻转，周而复始。方波发生器

编码编码：用二进制数表示各种数字或符号的过程。编码由编码电路来完成的。BCD码：利用4位二进制数组合表示十进制10个数的编码，称为二-十进制编码。BCD码8421BCD码一种有权码，它的4位二进制从高到低的位权依次为23=8、 22=4、 21=2、 20=1。8421BCD码转十进制数：(0110)8421BCD=0×23+1×22+1×21+0×20=(6)10十进制数转8421BCD码：(7)10=(0111)8421BCD2421BCD码与5421BCD码与84

RC型正弦波发生器自激振荡的概念自激振荡是如何产生正弦波的结构图与频率特性有关知识说明文氏电桥自激振荡电路电路简图理论分析TINA-TI仿真选频电路自激振荡电路可控制的正弦波发生器完整结构图电路简图工作原理TINA-TI仿真其他RC型正弦波发生器电路一选频网络分析放大电路分析电路二工作原理简述备注说明自激振荡的概念自激震荡是指不外加激励信号而自行产生的恒稳和持续的振荡。如果在放大器的输入端不加输入信号，输出端仍有一定的幅值和频率的输出信号，这种现象就是自激震荡。图解（卡拉OK—自激振荡）自激振

比较器概念用运放实现比较器简单的运放比较器关于比较器的灵敏度问题迟滞比较器多种形态的迟滞比较器概念比较器，具有两个模拟电压输入端UIN+和UIN-，一个数字状态输出端UOUT，输出端只有两种状态，用以表示两个输入端电位的高低关系：UH代表高电平，UL代表低电平，具体的电位值，取决于系统的定义。常见的数字系统中，3.3V代表高电平，0V代表低电平；也有12V/5V代表高电平，0V代表低电平。高低电平的本质：可以明显区分的电位。实现比较器的方法：专门的比较器运放实现比较器（不推荐）用

峰值检测电路概念峰值检测电路（PKD, Peak Detector）概念：及时发现被检测波形的正峰值（或负峰值），且能立即输出一个与正峰值完全相等的直流电压。作用：对输入信号的峰值进行提取，产生输出Vo=Vpeak。应用：在AGC（自动增益控制）电路和传感器最值求取电路中广泛应用。说明：理论上的峰值检测电路不受被测信号幅度大小、频率高低影响。包括：峰值识别、峰值采样、峰值保持电路。最简单的峰值检测利用TINA TI软件仿真最简单的峰值检测： 示波器测试波形：说明：如果都是理想

晶体三极管的H模型与Π模型BJT内部交流（动态）电阻电容示意图

BJT放大电路的分析方法BJT 放大电路的图解法放大电路图解法分析步骤放大电路图解法分析等效电路法（小信号模型分析法）小信号建模相关知识分析前的思考等效电路分析法步骤（小信号模型分析）举个例子备注在了解BJT放大电路的构成与工作原理后，我们应该怎么去分析它们呢？前面我们知道了半导体二极管存在图解法与等效模型分析法，同理对于三极管，我们也可以采用这两种方法分析。给出一下电路图，用于分析实例：BJT 放大电路的图解法放大电路图解法分析步骤遵循先静态、后动态原则先分析直流，利用直流通路求出静

什么是放大电路

金属-氧化物-半导体（MOS）

半导体基本知识

三极管（晶体管）结构与符号结构：三个区（基区/集电区/发射区），三个极（基极/集电极/发射极），两个PN结（发射结/集电结）基区：“控制区” — 掺杂浓度一般比较低，还有就是区域非常薄。集电区：“收集载流子的区域” — 收集载流子，不能有过高的载流子（不能有过高的掺杂浓度），但是面积最大。类似仓库，不能放满东西也不能太小。发射区：“发射载流子的区域” — 往外发射载流子，要有足够的载流子发射，此区域的载流子浓度最高，也就是掺杂浓度最高。三体管的作用基本共射放大电路（ 发射结正偏

半导体二极管常见结构与PN结对比存在体电阻，电流比PN结电流小反向电流大一些（封装外壳存在漏电）伏安特性温度对其影响温度上升，正向导通伏安曲线左移，反向饱和电流下移。室温下，每升高1℃，正向电压下降2-2.5mV；每升高10℃，反向饱和电流增大一倍。二极管的主要参数最大整流电流：IF，二极管正向通过电流平均值的最大值–工作时能承受的功率最大值对应的电流。反向击穿电压：VBR，管子反向击穿时的电压值，一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的50%：反向电流：IR，