模电—初探MOSFET

• FET有两种主要类型：金属-氧化物-半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）和结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，JFET）
• 按照基本结构分：MOSFET和JFET
• MOSFET中，从导电载流子的带电极性来看，有N（电子型）沟道和P（空穴型）沟道MOSFET；按照导电沟道形成机理不同，NMOS和PMOS各有增强型（简称E型）和耗尽型（简称D型）两种。
• 四种MOSFET：E型NMOS管、D型NMOS管、E型PMOS管、D型PMOS管。
• 场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。
• 特点：体积小、重量轻、耗电小、寿命长；输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单等
• MOSFET在大规模和超大规模集成电路中占有重要地位。

N沟道增强型MOSFET

结构及电路符号

• 以一块掺杂浓度较低、电阻率较高的P型硅半导体薄片作为衬底，利用扩散的方法在P型硅中形成两个高掺杂的N⁺区。然后在P型硅表面生长一层很薄的二氧化硅绝缘层，并在其表面及N⁺区的表面上分别安置三个铝电极—栅极g（gate）、源极s（source）、漏极d（drain）。
  
• 结构简图
  
• 符号
  
• 说明：由于栅极与源极、漏极均无电接触，故称绝缘栅极。因此，MOSFET也成为绝缘栅型场效应管。 上图表示N沟道增强型MOSFET，箭头方向表示由P（衬底）指向N（沟道），图中垂直短画线表示沟道，短画线表明在未加适当栅极电压之前漏极和源极之间无导电沟道。
• 如果衬底B单独，那么d、s可以互换，电气对称的。一般使用时都会把与衬底B连接的极为s极。

工作原理

• v_GS=0，没有导电沟道
  • 栅源短接（即栅源电压v_GS=0）时，源区（N⁺型）、衬底（P型）和漏区（N⁺型）就形成了两个背靠背的PN结二极管。
  • 无论v_DS是何极性，中有一个PN结是反偏的，也就是d、s之间没有形成导电沟道，所以i_D=0。
• v_GS≥V_TN（V_GS(th)）时，出现N型沟道
  
  • 这里很好解释哦，如图，加上v_GS，栅极（铝层）和P型硅片相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中变产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向P型衬底的电场（由于绝缘层很薄，即使只有几伏的栅源电压也能产生高达10⁵~10⁶ V/cm数量级的强电场），但不会产生i_c。
  • 这个电场排斥空穴而吸引电子，所以，使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，留下不能移动的（受主离子）负离子，形成耗尽层，同时P型衬底中的少子（电子）被吸引到栅极下的衬底表面。
  • 当正的栅源电压达到一定数值时，这些电子在栅极附近的P型硅表面形成了一个N型薄层，电子反型层，也就构成了源、漏两极之间的N型导电沟道。
  • 增强型FET：由于一开始没有导电沟道，必须依靠栅源电压的作用，才能产生感生沟道的FET。
  • 一旦出现感生沟道，原来被隔开的两个N⁺区就被感生沟道连通了。此时只要由v_DS，就会有i_D产生。把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压v_GS称为开启电压V_TN，有的书也称为V_GS(th)。
  • 做个比喻：这像不像牛郎织女见面的鹊桥。
  • 当v_DS较小时，i_D相对于v_DS的特性曲线，近似看称直线：
    
• 可变电阻区和饱和区
  • 如图所示，当v_GS>V_GS(th)时，外加较小的v_DS时，漏源极电流i_D随着v_DS的上升迅速增大，反映在输出特性曲线的OA段，斜率较大。随着v_DS上升，由于沟道存在电位梯度，从源极到漏极的电位逐渐升高，而栅极电位沿着沟道长度方向是相同的，因此沟道厚度不均匀：靠近源端厚，靠近漏端薄，类似楔形。最左边的靠近N⁺区域电压为v_GS，最右边靠近N⁺区域电压为v_GS-v_DS。场效应管完全导通时其G极电压就比D极电压高。
    
  • 当v_DS增大到一定数值，靠近漏端反型层消失，v_DS继续增加，将形成一夹断区（反型层消失后的耗尽区），夹断点向源极方向移动。
    
  • 虽然沟道夹断，但是由于夹断区长度比沟道长度短得多，而夹断处电场强度很高，仍能将电子拉过夹断区（耗尽层）形成漏极电流。
  • v_DS继续增加时，v_DS增加的部分主要降落在夹断区，导电沟道上面的电压基本不变。（你可以想象成一个电阻与一个和稳压管串联，v_DS升高的电压作用在其中一个电阻上，稳压管上压降基本不变。）i_D趋于饱和。从而进入过饱和区。
  • 进入饱和区那点的夹断称为预夹断，此时电压：$$v_{GS}-v_{DS}=V_{GS(th)}$$这是可变电阻区和饱和区的分界点，称为临界点。
    

I-V特性曲线

转移特性

• FET是电压控制器件，除了用输出特性及一些参数来描述其性能外，由于栅极输入端基本上没有电流，故不能像讨论三极管那样讨论输入特性曲线，没有意义。
• 转移特性：指的是在漏源电压v_DS一定的条件下，栅极电压v_GS对漏极电流i_D的控制特性，即：$$i_D=f(v_{GS}){\mid }_{v_{DS}=常数}$$
  
• 转移特性曲线描述的是i_D与v_GS一一对应的关系，它是有条件的：从恒流区（饱和区）得来的，因为饱和区内i_D已经不随v_DS变化了。
• 饱和区内（转移特性）的I-V特性表达式：$$i_D=I_{DO}(\frac{v_{GS}}{V_{GS(th)}}-1{)}^2$$

输出特性及特性方程

• MOSFET的输出特性是指在栅源电压v_GS一定的情况下，漏极电流i_D与漏源电压v_DS之间的关系，即：$$i_D=f(v_{DS})\mid$$