DrMOS电路仿真

最新推荐文章于 2024-05-17 03:57:25 发布
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分类专栏： DrMOS Buck DCDC
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本文链接：https://blog.csdn.net/chulan3207/article/details/118066063
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DrMOS即是将驱动电路与功率MOS集成化。

之前文章中的自举升压同步BUCK高低侧栅驱动电路+高低侧功率MOS+死区时间控制部分可视为简易DrMOS结构。如下图所示，将其封装为一个symbol。其中加入了一个简单的EN使能引脚。

在SW到GND间外接电阻电容及负载电阻后构成Buck结构，如下图所示。

VDD=VDRV=3.3V，VIN=6V，PWM为周期2us占空比1/4的控制信号。0-2us：EN为3.3V高电平，2-4us：EN为0V低电平。

仿真结果：

使能信号EN为高时，SW跟随PWM控制信号开始工作，输出Vout（负载电阻电压）逐渐上升到一稳定值，实现B

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Srambler
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瑞萨发布第二代集成驱动器MOSFET（DrMOS）
12-02
瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）”实现CPU稳压器应用的业界最高效能 。  　　与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 　　瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。　　R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET（DrMOS）”封装标准（以下称作“DrMOS”）。它集成了一个驱动器IC和两个高端
借助DrMOS多芯片模块实现高性能、小型化的DC/DC应用设计
02-03
借助DrMOS多芯片模块实现高性能、小型化的DC/DC应用设计、电子技术,开发板制作交流
大数据云计算，人工智能概念兴起，多相Buck电源不容错过
kkhic的博客
06-28 234
矽力杰采用行业领先的工艺技术，设计创新的混合信号及模拟芯片，产品广泛用于汽车，工业，消费类，云计算和通信设备中，旨在提高效率并节约或衡量能源使用，始终致力于为客户提供更高性能，更高可靠性的模拟芯片解决方案。多相控制器连接DrMOS可实现多相拓补结构的大电流DC/DC系统，可大幅提升供电功率，优化能耗，提升整体性能，简化系统电源设计，是大功率供电芯片的核心，是GPU的主流供电形式。常说的多相Buck电源包含控制器和DrMOS，是一种多路交错并联的同步Buck拓扑，被公认为是此类应用场景的最佳解决方案。
MOS管驱动电路，看这里就啥都懂了！_mos管负压驱动电路
2401_85015097的博客
05-17 742
其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压2.5～3.6V），因此，电源芯片的工作电压较低。本驱动电路的设计思想是，利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB>VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 **减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
MOSFET（五）：DrMos
既有随处可栖的江湖，也有追风逐梦的骁勇！
10-21 4636
DrMos（Driver + MOSFET）技术是 Intel 于2004年推出的服务器主板节能技术，即把2个MOSFET和1个MOS驱动器三合一，集成在一个封装中。集成后的 DrMos 面积是分离MOSFET的，功率密度是其 3倍，通过搭配多相控制器使用，可以在相同电压下增大电流，满足低压大功率应用需求。
硬件基础（三）
qq_52331099的博客
01-28 6224
我要坚持这每天学习呜呜呜呜呜我要咸鱼翻身呜呜呜 这一期我们主要是补充万恶的mos管 MOS管 mos管的体二极管 在很多情况下，我们会看见这样的mos管符号： 那个粉红色的就叫做——mos管的体二极管(Body-diode)，他是一个工艺上（设计上）造成的问题： 它（Body-diode）如何出来的呢？ 在之前我们了解了：单独的pn结具有单向导电性的特点因而制造了二极管。那么MOS管也是由p、n、p或n、p、n型半导体结合而成的，那么就有这种：（举个例子：这是个耗尽型Nmos） .
MOS管死区时间
嵌入式之斋
08-22 2066
当需要改变电流方向或切换到下一个相位时，需要保证前一个相位的功率开关完全关闭，后一个相位的功率开关完全打开。然而，由于开关器件的特性和电路传导延迟，存在一个短暂的时间间隔，称为死区时间。死区时间的引入是为了防止上下桥臂之间出现短路，以及减小功率开关由于交叉导通而带来的过渡电压和电流冲击。在设置死区时间时，需要考虑开关器件的反应时间、电源电压等因素，以确保足够的时间间隔来避免冲突和损坏。在无刷电机控制系统中，合适的死区时间能够提高电机的控制精度、减少功率损耗和噪音，并保护驱动器和电机不受损坏。
Vishay推出尺寸更小且更高效的VRPower DrMOS
01-20
宣布，推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower集成DrMOS新品---SiC620.Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A,尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%,但效率更高出3%,可达95%。...
飞兆DrMOS FET加驱动器多芯片模块面向同步降压转换器
12-04
FDMF6700的6mm x 6mm MLP封装比市面上其他同类DrMOS器件的体积小了44%，这在寸土寸金的电路设计中具有极大的优势。此外，该器件符合无铅回流焊接和湿度敏感度的IPC/JEDEC J-STD-020标准，且完全满足欧盟RoHS指令对...
FDMF68xx：DrMOS多芯片模块.pdf
07-26
FDMF68xx：DrMOS多芯片模块.pdf
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09-16
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微星主板不用DrMOS了？
柳鲲鹏
10-10 1872
柳鲲鹏 　　最早了解这个词，是从微星 P45主板上。宣传说DrMOS这样好那样好，用了之后腰不酸了腿不痛了。吾后来也买了一个白金板，应该说是很不错的。 　　既然DrMOS好，那应该大量使用，促使成本不断降低（产量增加一倍，成本降低到8成）。结果发现，别的厂家很少用，微星自己的主板，包括高档主板，用的也越来越少（偶尔用了宣传上也不突出了）。这真是怪事。 　　比如说这几天看了一个微星主板的评测，...
MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路设计
m0_50560976的博客
05-23 5666
其原理是当MOS要关断瞬间，Cgs寄生电容电压是电源电压，三极管的e极连接的是Cgs寄生电容的负极，三极管的b极经R10连接电源为高电平，所以三极管Q2导通，Cgs寄生电容的电荷经Q2---R4快速放电，同时也经R2进行放电，迅速消耗Cgs寄生电容的电荷，减少MOS的关断时间，提高MOS的开关频率。二是在MOS关断时给Cgs寄生电容一个快速放电的回路，提高关断速度，泄放电阻一般取值为10K，也可根据实际情况做调整，阻值大，MOS关断速度慢。改进后的电路，MOS的开关频率提升10倍左右。话不多说，线上电路。
如何仿真MOS电容的电压-电容曲线？
是抹茶味的啊的博客
01-08 3769
按照上面内容设置完port源之后，在ADE L中选择sp仿真，在Ports一栏选择原理图中的port器件，然后在固定频率下扫描电容的偏压「VB」，其中频率固定为 f=12π.需要注意的是sp仿真得到的是阻抗值，按照上面公式所述，由于仿真时取频率为 f=12π ，所以得到的阻抗值在数值上与电容值的倒数一样，那么对仿真结果取倒数即可得到电容值。下图为处理后的sp仿真结果，黄色曲线为理想电容，接近1pF，其中误差值来源于固定频率的值使用了近似数，红色曲线为MOS电容的电压-电容曲线。
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TSINGHUAJOKING
09-14 1075
本文对于 MOS 管工作在开关状态下的 Miller 效应的原因与现象进行了分析。巧妙的应用 Miller 效应可以实现电源的缓启动。
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嵌入式创客工坊的博客
07-16 2276
本篇文章介绍基于MOS管的防反接电路设计，前面发过基于MOS的过压保护，其核心原理就是控制MOS的导通与关断。在防反接方面，也可以基于这一原理进行电路设计。
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一些医疗检测仪器在检测时需要模拟人体温度环境以确保检测的精确性，本文以STM32为主控制器，电机驱动芯片DRV8834 为驱动器，驱动半导体致冷器(帕尔贴)给散热片加热或者制冷。但由于常规的温度控制存在惯性温度误差的问题，无法兼顾高精度和高速性的严格要求，所以采用模糊自适应PID控制方法在线实时调整PID参数，计算PID参数Kp、Ki、Kd调整控制脉冲来控制驱动器的使能。从simulink仿真的和
DrMOS的工作原理
最新发布
06-07
DrMOS是一种电源管理器件，它是由一些功率MOSFET、驱动电路和控制逻辑等组成的模块化解决方案。它的工作原理是将输入电压通过直流至直流转换器（DC-DC）转换为所需的输出电压，并通过控制驱动电路中的MOSFET来实现对...

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