垂直结构LED芯片制造工艺

垂直结构LED芯片制造工艺

1. 研究背景与意义

• LED优势：体积小、发光效率高、节能环保，广泛应用于照明与显示领域。

• 垂直结构LED优势：

  • 散热性能更优，电流扩展能力更强。

  • 适用于大功率场景（如特种照明、车用照明）。

  • 兼容硅基集成电路，具有产业化潜力。

• 研究目标：优化垂直结构LED的光学性能，提升光提取效率（LEE）与内量子效率（IQE）。

---

2. 制造工艺与表征方法

关键制造工艺

1. 外延生长：

   • 使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长GaN基LED外延层。

   • 包括低温GaN成核层、n-GaN层、超晶格缓冲层、多量子阱（MQW）有源区、p-AlGaN电子阻挡层、p-GaN层。

2. p型金属电极：

   • 离子束溅射Ag/TiW堆栈层作为高反射率p型欧姆接触电极。

3. 晶圆键合：

   • 采用Au-In共晶键合将LED外延层转移至硅衬底。

4. 激光剥离：

   • 利用KrF准分子激光（248 nm）剥离蓝宝石衬底，残留Ga通过HCl清洗。

5. 表面粗化：

   • KOH湿法腐蚀n-GaN表面，形成纳米锥形结构，提升光提取效率。

表征方法

• TEM：观测量子阱界面与晶体质量。

• 拉曼光谱：分析外延层应力状态。

• 光致发光光谱（PL）：表征量子阱发光特性。

• SEM：分析表面形貌。

---

3. 制造工艺对光学特性的影响

3.1 衬底转移与量子限制斯塔克效应（QCSE）

• QCSE机制：蓝宝石衬底上生长的GaN外延层存在面内压应力→InGaN量子阱中产生极化电场→能带倾斜→电子空穴波函数分离→辐射效率下降。

• 实验结果：

  • 衬底转移至硅后，压应力从512 MPa降至155 MPa。

  • 峰值波长蓝移（471 nm→456 nm），辐射复合效率提升。

3.2 表面微结构对光提取效率的影响

• 复合微结构：

  • 激光剥离：形成微米级半球凹坑。

  • KOH腐蚀：形成纳米级锥形结构。

• 仿真与实验结果：

  • 复合微结构通过倾斜侧壁减小入射角，并通过散射打破全反射。

  • 光输出功率提升11.4%（350 mA下达到468.9 mW）。

---

4. p-GaN层厚度的光学仿真研究

4.1 干涉效应与Purcell效应

• 光提取效率（LEE）周期性振荡：

  • 振荡周期≈GaN中光波长的1/2（约96 nm）。

  • 极大值处LEE达35%（2D仿真）或15%（3D仿真）。

• Purcell因子振荡：

  • 周期约90 nm，极大值1.36（辐射速率增强），极小值0.73（辐射速率抑制）。

4.2 不同表面形貌的影响

表面结构	光提取效率特点	Purcell效应特点
平滑表面	全反射限制，LEE极低（极小值≈0）	振荡幅度大，极大值1.36
微米凹坑/凸起结构	打破全反射，LEE提升（达60%）	局部Purcell因子显著变化
纳米锥形结构	散射作用显著，LEE最高（达69.4%）	极小值Purcell因子更低
纳米柱形结构	折射率渐变，LEE与平滑表面接近	Purcell因子变化趋势一致

---

5. 总结

主要成果

1. 实现4英寸硅衬底垂直结构LED芯片制备，光输出功率达468.9 mW。

2. 揭示衬底转移缓解QCSE的机制，辐射效率提升。

3. 复合微结构显著提高光提取效率。

4. p-GaN层厚度优化可同步提升LEE与IQE。

未来研究方向

1. 进一步抑制QCSE。

2. 优化表面微结构参数（尺寸、形状）。

3. 开发3D仿真模型验证实际性能。

4. 研究Micro-LED侧壁对光学特性的影响。