逆变器专题（2）-逆变器损耗分析

白衣微茫

已于 2024-05-06 10:42:55 修改

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文章标签：单片机嵌入式硬件硬件工程驱动开发

于 2024-02-06 12:23:29 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/cyc19980105/article/details/136013499

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文章探讨了在设计阶段如何通过计算分析功率器件的损耗，特别是开关器件的通态损耗和开关损耗（包括开通和关断损耗），以优化逆变器的设计。作者介绍了常用的损耗计算方法，强调了开关频率、通态压降和直流电压对损耗的影响。

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为了选择合适的功率模块，设计合理的散热装置等，在设计阶段应当对其功率损耗进行分析

计算。近年来，国内外对功率器件的损耗计算方法作了大量的研究和探索。

开关器件作为逆变器的主要功率器件，其损耗也为逆变器的主要损耗之一，主要为开关损耗 $P{cond}$ 与通态损耗 $P{sw}$ ；开关损耗又分为两种损耗，即开通损耗与关断损耗。

现如今，有很多的损耗计算方法，但都是简便的进行计算。

通过对一个周期内进行开关损耗与通态损耗的计算是如今比较权威的计算方法，即

$P=\tfrac{1}{T{}}\int_{}^{}P{cond}+P{sw}$

通态损耗

通态损耗主要与通态压降与流过器件的电流有关

输出电流为正时，在一个开关周期内，即占空比为D时，开关器件导通时间即为 $DT$ ，续流二极管续流时间为 $T-DT$ ，输出电流为负时则导通时间与其相反，因此，要想计算一个基波周期内的开关器件与其续流二极管的导通损耗，只需要计算半个周期的导通损耗即可，即

$Pcond=\frac{1}{To}\int_{0}^{\frac{1}{To}}Uon*i*Ddt$

逆变器输出电流即为正弦电流，可近似表示为：

$i=I*sin\omega t$

在工作范围内，管压降与输出电流为线性关系，即

$Uon=Uor+ro+ro*i$

Uor为开关器件的恒定管压降，ro为开关器件的等效动态电阻，占空比并不是单纯的数字，而是一个与时间、调制比以及相位角相关的函数。其表达式为：

$D=\frac{1}{2}(1+m*sin(\omega t+\varphi ))$

m为其调制系数，进而可得到其简化损耗公式为

$PcondI=(\frac{1}{2\pi }+\frac{1}{8}*mcos\varphi )*Uor*I+(\frac{1}{8}+\frac{1}{3\pi}*mcos\varphi )*ror*I^{2}$

同样，续流二极管的导通损耗计算同上

$PcondD=(\frac{1}{2\pi }-\frac{1}{8}*mcos\varphi )*Uof*I+(\frac{1}{8}-\frac{1}{3\pi}*mcos\varphi )*rof*I^{2}$

$cos\varphi$ 为其功率因数。

开关损耗

开关损耗是指在开关过程中产生的损耗，其值与开关频率成正比。当开关频率很低时，器件产生的损耗主要是导通损耗，当开关频率提高，开关损耗在整个器件损耗中的比例便相应上升，当开关频率增加到一定值，将成为器件功率损耗的主要部分。器件的开关损耗包括开通损耗和关断损耗两部分，可以用开关瞬间全部开通和关断能量的积分表示

$Psw=fsw*\frac{1}{To}\int_{0}^{\frac{To}{2}}(Won(t)+Woff(t))dt$