笔记 -- 逆变电感设计3

2021-9-17 12:56:52
2021-9-22 09:32:28
1、$LLC$谐振频率
　　
　　$Z=Z_{pre}+Z_{LLC}=Z_{pre}+j\omega L_r+j\omega L_m+\frac{1}{j\omega C_r}=Z_{pre}+j(\omega (L_r+L_m)-\frac{1}{\omega C_r})$
　　$\Rightarrow Z_{min}\to Z_{LLC}=0$
　　$\Rightarrow \omega =\frac{1}{\sqrt{(L_r+L_m+C_r)}}$
2021-9-23 07:59:48
　1、磁芯材料
　　$\bullet$磁滞回曲线
　　$†$磁畴：磁性材料内部存在的包含大量原子的元区域，且元区域内部的磁矩相同。在未加外磁场时，磁材料中所有元区域的磁矩为零（不同磁畴之间的交界面为磁畴壁）
　　$†$磁化：磁材料在外磁场作用下，磁畴磁矩整体规则分布而对外显示磁性（磁矩合方向与外磁场方向一致）
　　$†$起始磁化曲线（磁芯磁感应强度随外磁场强度变化曲线）
　　　$\diamond$开始磁化时，外磁场较弱，磁感应强度缓慢增加
　　　$\diamond$随外磁场增强，大量磁畴转向且趋于外磁场方向，磁感应强度整体趋于直线增加
　　　$\diamond$外磁场强度继续增加，磁材料内部可转向磁畴逐渐减少，磁感应强度增长率放缓渐至饱和（磁感应强度增长率的切换点$\to$膝点）
　　　$\diamond$磁感应强度饱和后，磁化曲线趋于平行外置磁场强度
　　$†$磁滞（磁芯磁感应强度滞后于磁场强度归于磁中性）
　　$†$剩磁（remanence flux）$B_r$（外磁场归于磁中性时，仍保留部分磁感应强度）
　　$†$退磁曲线（通过外磁场反向消除剩磁）
　　$†$矫顽力（coercivity）$H_c$（为消除剩磁所需加入的反向磁场$\to$反应磁性材料保持剩磁的能力）
　　$†$基本磁化曲线（对同一材料以不同磁场强度反复磁化，将所得到的所有磁滞回曲线取平均）
　　$†$磁极化强度/内禀磁感应强度 $B_i$（退磁曲线 & 内禀退磁曲线 & 内禀矫顽力 & 内禀退磁矩形度（$B_i=0.9B_r$）（永磁材料被外磁场磁化所产生的内在磁感应强度）磁性能稳定性
　　$†$磁导率（permeability）$\mu$：起始磁化曲线与磁滞回曲线上任意一点的斜率（任意点$B$和$H$增量之比（${\mu }_{\Delta }=\frac{\Delta B}{\Delta H}\to$增量磁导率），软磁磁导率较大、永磁 & 硬磁磁导率较小）
　　$\odot$高磁导率材料顺磁性较好，漏磁现象不明显，电阻一般较低，常用于低频段，高频产生涡流损耗（制成薄片且相互绝缘重叠降低涡损）
　　$\odot$相对磁导率：介质中磁导率与真空磁导率之比（${\mu }_r=\frac{{\mu }_c}{{\mu }_0},{\mu }_0=4\pi \times 10^{-7}H/m$）
　　$\oplus$气隙：在磁芯材料中开气隙，增加磁芯磁感应强度，避免交流大信号或直流偏置导致的磁饱和（储能主要位于磁芯和气隙<主要存储>），既具有空气储能不饱和特性，也具有线性磁导率（仅针对电流驱动型）
　　$\oplus$气隙增加磁芯储能，越大气隙导致磁芯有效磁导率降低，相同电流下磁通密度减小
　　$E_g=\frac{B^2{A}_g{l}_g}{2{\mu }_0},A_g\&l_g$分别为气隙截面积 & 气隙长度（$l_g=\frac{0.4\pi \times N^2\times A_e(c{m}^2)\times 10^{-4}}{L(mH)}(mm),A_e$磁芯有效截面积）
　　$\oplus$稀释系数$Z$（$A_c$磁芯截面积，$l_c$磁芯链路长度）：对磁性材料磁导率进行稀释
　　$E=E_c+E_g=\frac{B^2{A}_c{l}_c}{2{\mu }_c}+\frac{B^2{A}_g{l}_g}{2{\mu }_0}\approx \frac{B^2{A}_c}{2}(\frac{l_c}{{\mu }_c}-\frac{l_g}{{\mu }_0})[A_e\approx A_c]$
　　加入气隙后等效磁链长度：$\frac{l_c}{{\mu }_c}-\frac{l_g}{{\mu }_0}=l_c(\frac{\frac{l_c+{\mu }_r{l}_g}{l_c}}{l_c})\Rightarrow Z=\frac{l_c+{\mu }_r{l}_g}{l_c}$
　　$\frac{E_g}{E}=1-\frac{1}{Z}(Z\ge 1)$
　　$\odot$有效磁导率（当磁性材料中加入气隙后须使用该量）
　　${\mu }_e=\frac{{\mu }_c}{Z},{\mu }_c={\mu }_r\times {\mu }_0$磁芯磁导率
　　$†$磁能积：退磁曲线上磁场强度与磁感应强度的积（电感储能）
　　$\bullet$磁材料种类对比
　　$†$软磁：磁滞回曲线窄，磁导率高，矫顽力 & 剩磁小
　　$†$硬磁（永磁）：磁滞回曲线宽、磁导率小，矫顽力 & 剩磁大
　　$†$矩磁：磁滞回曲线接近矩形，剩磁接近饱和磁感应强度，矫顽力大
　　
　　1）相关损耗
　　　（1）饱和磁强度（saturation）$H_m$：磁化过程中，使磁感应强度达到饱和值时的磁场强度，仅当充磁磁场强度高于该值时，才可得最大且稳定的退磁曲线，磁性能最佳
　　　（2）磁滞损耗（hysteresis loss）：磁化过程中磁化强度滞后于外置磁场强度，由于磁滞现象造成的能量损耗（经过一次循环磁芯每单位体积磁滞损耗正比于磁滞回曲线面积）
　　　经验公式：$P_h=k_h\times f\times B_m^{\eta }\times V(W)$
　　　其中：$k_h$磁滞系数，相关于磁材料，$\eta$史坦梅茨常数，相关于材料（$1.5\sim 2.5$），经验取$1.6$，$B_m$磁滞回磁通密度最大值，$V$磁材料体积$m^3$
　　　
　　　（3）涡流损耗（eddy current loss）：交变磁场中，垂直于磁力线截面感应出闭合环流，由环流产生的电阻损耗
　　　经验公式：$P_e=K_e\times f^2\times B_m^2\times V$
　　　其中：$K_e$涡流系数（相关于材料电阻率、截面积及形状$\to$实验测定）
　　　$\ominus$（4）电介质损耗：交变电场中部分电能转化为热能（正相关于绝缘层老化）
　　　经验公式：$tan\delta =\omega RC$
　　　其中：$\omega$交流电流角频率，$R$等效电介质电阻，$C$等效电介质电容
　　2）材料对比
　　常用材料对比
　　2021-9-23 18:06:14