2021-9-17 12:56:52
2021-9-22 09:32:28
1、
L
L
C
LLC
LLC谐振频率
Z
=
Z
p
r
e
+
Z
L
L
C
=
Z
p
r
e
+
j
ω
L
r
+
j
ω
L
m
+
1
j
ω
C
r
=
Z
p
r
e
+
j
(
ω
(
L
r
+
L
m
)
−
1
ω
C
r
)
Z=Z_{pre}+Z_{LLC}=Z_{pre}+j\omega L_r+j\omega L_m+\frac{1}{j\omega C_r}=Z_{pre}+j(\omega(L_r+L_m)-\frac{1}{\omega C_r})
Z=Zpre+ZLLC=Zpre+jωLr+jωLm+jωCr1=Zpre+j(ω(Lr+Lm)−ωCr1)
⇒
Z
m
i
n
→
Z
L
L
C
=
0
\Rightarrow Z_{min}\to Z_{LLC}=0
⇒Zmin→ZLLC=0
⇒
ω
=
1
(
L
r
+
L
m
+
C
r
)
\Rightarrow \omega=\frac{1}{\sqrt{(L_r+L_m+C_r)}}
⇒ω=(Lr+Lm+Cr)1
2021-9-23 07:59:48
1、磁芯材料
∙
\bullet
∙磁滞回曲线
†
\dagger
†磁畴:磁性材料内部存在的包含大量原子的元区域,且元区域内部的磁矩相同。在未加外磁场时,磁材料中所有元区域的磁矩为零(不同磁畴之间的交界面为磁畴壁)
†
\dagger
†磁化:磁材料在外磁场作用下,磁畴磁矩整体规则分布而对外显示磁性(磁矩合方向与外磁场方向一致)
†
\dagger
†起始磁化曲线(磁芯磁感应强度随外磁场强度变化曲线)
⋄
\diamond
⋄开始磁化时,外磁场较弱,磁感应强度缓慢增加
⋄
\diamond
⋄随外磁场增强,大量磁畴转向且趋于外磁场方向,磁感应强度整体趋于直线增加
⋄
\diamond
⋄外磁场强度继续增加,磁材料内部可转向磁畴逐渐减少,磁感应强度增长率放缓渐至饱和(磁感应强度增长率的切换点
→
\to
→膝点)
⋄
\diamond
⋄磁感应强度饱和后,磁化曲线趋于平行外置磁场强度
†
\dagger
†磁滞(磁芯磁感应强度滞后于磁场强度归于磁中性)
†
\dagger
†剩磁(remanence flux)
B
r
B_r
Br(外磁场归于磁中性时,仍保留部分磁感应强度)
†
\dagger
†退磁曲线(通过外磁场反向消除剩磁)
†
\dagger
†矫顽力(coercivity)
H
c
H_c
Hc(为消除剩磁所需加入的反向磁场
→
\to
→反应磁性材料保持剩磁的能力)
†
\dagger
†基本磁化曲线(对同一材料以不同磁场强度反复磁化,将所得到的所有磁滞回曲线取平均)
†
\dagger
†磁极化强度/内禀磁感应强度
B
i
B_i
Bi(退磁曲线 & 内禀退磁曲线 & 内禀矫顽力 & 内禀退磁矩形度(
B
i
=
0.9
B
r
B_i=0.9B_r
Bi=0.9Br)(永磁材料被外磁场磁化所产生的内在磁感应强度)磁性能稳定性
†
\dagger
†磁导率(permeability)
μ
\mu
μ:起始磁化曲线与磁滞回曲线上任意一点的斜率(任意点
B
B
B和
H
H
H增量之比(
μ
Δ
=
Δ
B
Δ
H
→
\mu_{\Delta}=\frac{\Delta B}{\Delta H} \to
μΔ=ΔHΔB→增量磁导率),软磁磁导率较大、永磁 & 硬磁磁导率较小)
⊙
\odot
⊙高磁导率材料顺磁性较好,漏磁现象不明显,电阻一般较低,常用于低频段,高频产生涡流损耗(制成薄片且相互绝缘重叠降低涡损)
⊙
\odot
⊙相对磁导率:介质中磁导率与真空磁导率之比(
μ
r
=
μ
c
μ
0
,
μ
0
=
4
π
×
1
0
−
7
H
/
m
\mu_r=\frac{\mu_c}{\mu_0},\mu_0=4\pi\times 10^{-7}H/m
μr=μ0μc,μ0=4π×10−7H/m)
⊕
\oplus
⊕气隙:在磁芯材料中开气隙,增加磁芯磁感应强度,避免交流大信号或直流偏置导致的磁饱和(储能主要位于磁芯和气隙<主要存储>),既具有空气储能不饱和特性,也具有线性磁导率(仅针对电流驱动型)
⊕
\oplus
⊕气隙增加磁芯储能,越大气隙导致磁芯有效磁导率降低,相同电流下磁通密度减小
E
g
=
B
2
A
g
l
g
2
μ
0
,
A
g
&
l
g
E_g=\frac{B^2A_gl_g}{2\mu_0},A_g \& l_g
Eg=2μ0B2Aglg,Ag&lg分别为气隙截面积 & 气隙长度(
l
g
=
0.4
π
×
N
2
×
A
e
(
c
m
2
)
×
1
0
−
4
L
(
m
H
)
(
m
m
)
,
A
e
l_g=\frac{0.4\pi\times N^2\times A_e(cm^2)\times 10^{-4}}{L(mH)}(mm),A_e
lg=L(mH)0.4π×N2×Ae(cm2)×10−4(mm),Ae磁芯有效截面积)
⊕
\oplus
⊕稀释系数
Z
Z
Z(
A
c
A_c
Ac磁芯截面积,
l
c
l_c
lc磁芯链路长度):对磁性材料磁导率进行稀释
E
=
E
c
+
E
g
=
B
2
A
c
l
c
2
μ
c
+
B
2
A
g
l
g
2
μ
0
≈
B
2
A
c
2
(
l
c
μ
c
−
l
g
μ
0
)
[
A
e
≈
A
c
]
E=E_c+E_g=\frac{B^2A_cl_c}{2\mu_c}+\frac{B^2A_gl_g}{2\mu_0}\approx\frac{B^2A_c}{2}(\frac{l_c}{\mu_c}-\frac{l_g}{\mu_0})[A_e\approx A_c]
E=Ec+Eg=2μcB2Aclc+2μ0B2Aglg≈2B2Ac(μclc−μ0lg)[Ae≈Ac]
加入气隙后等效磁链长度:
l
c
μ
c
−
l
g
μ
0
=
l
c
(
l
c
+
μ
r
l
g
l
c
l
c
)
⇒
Z
=
l
c
+
μ
r
l
g
l
c
\frac{l_c}{\mu_c}-\frac{l_g}{\mu_0}=l_c(\frac{\frac{l_c+\mu_rl_g}{l_c}}{l_c})\Rightarrow Z=\frac{l_c+\mu_rl_g}{l_c}
μclc−μ0lg=lc(lclclc+μrlg)⇒Z=lclc+μrlg
E
g
E
=
1
−
1
Z
(
Z
≥
1
)
\frac{E_g}{E}=1-\frac{1}{Z}(Z\ge1)
EEg=1−Z1(Z≥1)
⊙
\odot
⊙有效磁导率(当磁性材料中加入气隙后须使用该量)
μ
e
=
μ
c
Z
,
μ
c
=
μ
r
×
μ
0
\mu_e=\frac{\mu_c}{Z},\mu_c=\mu_r\times \mu_0
μe=Zμc,μc=μr×μ0磁芯磁导率
†
\dagger
†磁能积:退磁曲线上磁场强度与磁感应强度的积(电感储能)
∙
\bullet
∙磁材料种类对比
†
\dagger
†软磁:磁滞回曲线窄,磁导率高,矫顽力 & 剩磁小
†
\dagger
†硬磁(永磁):磁滞回曲线宽、磁导率小,矫顽力 & 剩磁大
†
\dagger
†矩磁:磁滞回曲线接近矩形,剩磁接近饱和磁感应强度,矫顽力大
1)相关损耗
(1)饱和磁强度(saturation)
H
m
H_m
Hm:磁化过程中,使磁感应强度达到饱和值时的磁场强度,仅当充磁磁场强度高于该值时,才可得最大且稳定的退磁曲线,磁性能最佳
(2)磁滞损耗(hysteresis loss):磁化过程中磁化强度滞后于外置磁场强度,由于磁滞现象造成的能量损耗(经过一次循环磁芯每单位体积磁滞损耗正比于磁滞回曲线面积)
经验公式:
P
h
=
k
h
×
f
×
B
m
η
×
V
(
W
)
P_h=k_h\times f\times B^{\eta}_m\times V(W)
Ph=kh×f×Bmη×V(W)
其中:
k
h
k_h
kh磁滞系数,相关于磁材料,
η
\eta
η史坦梅茨常数,相关于材料(
1.5
∼
2.5
1.5\sim 2.5
1.5∼2.5),经验取
1.6
1.6
1.6,
B
m
B_m
Bm磁滞回磁通密度最大值,
V
V
V磁材料体积
m
3
m^3
m3
(3)涡流损耗(eddy current loss):交变磁场中,垂直于磁力线截面感应出闭合环流,由环流产生的电阻损耗
经验公式:
P
e
=
K
e
×
f
2
×
B
m
2
×
V
P_e=K_e\times f^2\times B_m^2\times V
Pe=Ke×f2×Bm2×V
其中:
K
e
K_e
Ke涡流系数(相关于材料电阻率、截面积及形状
→
\to
→实验测定)
⊖
\ominus
⊖(4)电介质损耗:交变电场中部分电能转化为热能(正相关于绝缘层老化)
经验公式:
t
a
n
δ
=
ω
R
C
tan\delta=\omega RC
tanδ=ωRC
其中:
ω
\omega
ω交流电流角频率,
R
R
R等效电介质电阻,
C
C
C等效电介质电容
2)材料对比
常用材料对比
2021-9-23 18:06:14