第一节、晶体管的结构和工作原理
1、 晶体管,是一种把输入电流进行放大的半导体元器件
2、 两种类型:b-base,e-emieter,c-collcctor
三个极,三个区,两个结
第二节、晶体管的放大原理
1、 以NPN为例
表面上看NPN三极管似乎就是两个二极管反接形成的,实际上,我们对电路分析就可以发现,如果用两个二极管连接是无法实现放大功能的。所以晶体管的放大是有一定条件的。
必
须
保
证
外
部
偏
置
条
件
和
内
部
结
构
。
\color{red}必须保证外部偏置条件和内部结构。
必须保证外部偏置条件和内部结构。
2、 晶体管的内部条件
a、B基极中的P中,掺杂浓度低,多子空穴少,主要作用传送,控制载流子。
b、E发射区中的N中,掺杂浓度高,自由电子浓度高,主要发射载流子。
c、C集电极中N中,面积最大,主要收集载流子。
3、 外部条件
发
射
结
正
偏
,
集
电
结
反
偏
。
\color{red}发射结正偏,集电结反偏。
发射结正偏,集电结反偏。
4、 内部载流子运动规律和参数定义
a、运动规律
I
E
=
I
E
N
+
I
E
P
=
I
C
N
+
I
B
N
+
I
E
P
\color{SKYBLUE}I_E=I_{EN}+I_{EP}=I_{CN}+I_{BN}+I{EP}
IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP
I
C
=
I
C
N
+
I
C
B
O
\color{SKYBLUE}I_C=I_{CN}+I_{CBO}
IC=ICN+ICBO
I
B
=
I
B
N
+
I
E
P
−
I
C
B
O
\color{SKYBLUE}I_B=I_{BN}+I_{EP}-I_{CBO}
IB=IBN+IEP−ICBO
I
E
=
I
B
+
I
C
\color{RED}I_E=I_B+I_C
IE=IB+IC
I
E
在
B
极
和
C
极
之
间
的
分
配
比
例
主
要
取
决
于
基
区
带
宽
、
发
射
区
多
子
浓
度
I_E在B极和C极之间的分配比例主要取决于基区带宽、发射区多子浓度
IE在B极和C极之间的分配比例主要取决于基区带宽、发射区多子浓度
b、参数定义
α
‾
=
I
C
I
E
\color{RED}\overline{\alpha}=\frac{I_C}{I_E}
α=IEIC
α
‾
\overline{\alpha}
α称为共基极直流电流放大系数,
α
‾
\overline{\alpha}
α小于1而接近1
β
‾
=
I
C
I
B
\color{RED}\overline{\beta}=\frac{I_C}{I_B}
β=IBIC
β
‾
\overline{\beta}
β称为共发射极直流电流放大系数。
β
‾
=
α
‾
1
−
α
‾
\color{RED}\overline{\beta}=\frac{\overline{\alpha}}{1-\overline{\alpha}}
β=1−αα
重要结论
1、外部条件: 发射结正偏,集电结反偏。
2、电流分配关系
a、
I
E
=
I
B
+
I
C
I_E=I_B+I_C
IE=IB+IC
b、
I
C
>
>
I
B
I_C>>I_B
IC>>IB,
I
E
≈
I
C
I_E\approx I_C
IE≈IC
c、
I
C
=
β
‾
I
B
I_C=\overline{\beta}I_B
IC=βIB,
I
C
=
α
‾
I
E
I_C=\overline{\alpha}I_E
IC=αIE,
β
‾
=
α
‾
1
−
α
‾
\overline{\beta}=\frac{\overline{\alpha}}{1-\overline{\alpha}}
β=1−αα
3、小电流撬动大电流。
4、电流放大系数只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。
第三讲、晶体管的伏安特性
1、晶体管的伏安特性: 管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反反映了晶体管的性能。
a、输入特性曲线
对与小功率晶体管,
U
C
E
U_{CE}
UCE 大于1V的一条输入特性曲线可以取代所有
U
C
E
U_{CE}
UCE 大于1V的输入特性曲线
b、输出特性曲线
第四讲、晶体管工作区
1、 放大区
条件:发射结正偏,集电结反偏
也称为恒流区:
i
C
=
β
‾
i
B
i_C=\overline{\beta}i_B
iC=βiB,
i
C
=
α
‾
i
E
i_C=\overline{\alpha}i_E
iC=αiE
2、 截止区
条件:发射结与集电结都反偏
i
B
=
0
i_B=0
iB=0一下区域为截止区,有
i
C
≈
0
i_C\approx0
iC≈0
3 饱和区
条件:发射结与集电结都正偏
U
C
E
<
U
B
E
U_{CE}<U_{BE}
UCE<UBE,
U
C
E
≈
0
U_{CE}\approx0
UCE≈0,
i
C
<
β
i
B
i_{C}<\beta i_{B}
iC<βiB
4、 典型值
5、 晶体管工作状态判定