论文简介
标题：Borrowed dislocations for ductility in ceramics
作者：L. R. Dong, J. Zhang, Y. Z. Li , Y. X. Gao, M. Wang , M. X. Huang, J. S. Wang, and K. X. Chen
期刊：Science（IF：44.7）
原文链接：
https://www.science.org/doi/10.1126/science.adp0559
研究背景
陶瓷在一系列应用中表现出极具吸引力的特性，包括高硬度、高强度、优异的耐腐蚀性和显著的耐高温性。陶瓷材料固有的脆性主要源于其刚性的离子或共价键结构，这种特性限制了原子运动，从而阻碍了位错在陶瓷中的形核。因此，通过位错工程策略来增强陶瓷的塑性变得极为困难。尽管预先引入的位错可以在一定程度上提高陶瓷的韧性，但一旦这些位错被耗尽，新的位错难以形核，导致化学键断裂并最终引发灾难性失效。因此，陶瓷中位错形核所需的高临界应力极大地限制了通过位错工程策略来改善塑性的潜力。为了克服这一挑战，研究者们提出了多种替代机制以提高陶瓷的塑性。然而，实现陶瓷的拉伸延展性仍然是一个更为艰巨的任务，主要原因在于拉伸载荷下位错形核的难度，即使是微小的缺陷也可能在位错启动之前引发早期裂纹。为此，本文提出了一种“借用位错”策略，通过设计有序键合的界面结构，使陶瓷能够从金属中借用大量位错，从而显著提高陶瓷的拉伸延展性。这一策略为增强陶瓷的拉伸延展性提供了一条新的途径。
论文速览
基于陶瓷材料在高温和高压环境下的优异性能，但其本质上的脆性限制了其在实际应用中的广泛使用。为了克服这一限制，研究团队提出了一种借用位错的策略，通过在金属-陶瓷界面上引入有序键合结构，促进位错从金属向陶瓷的转移，从而提高陶瓷的延展性。运用实验和理论计算的研究方法，结果表明，通过有序键合界面，位错能够从金属有效地转移到陶瓷内部，显著提高了陶瓷的拉伸延展性和抗弯折能力，为突破陶瓷的室温脆性问题提供了一种新的技术思路。
图文导读
图1. DB La₂O₃的微观结构和化学键计算 (A到C) 通过HAADF-STEM表征的DB La₂O₃样品中特定有序键合界面的原子结构，沿[001]Mo和2110 La₂O₃方向观察，显示出0002 ð ÞLa₂O₃和200Mo平面在界面处的优异原子级匹配。(B) (A)中红色虚线框的放大视图。具体来说，La₂O₃的(0002)平面用蓝色虚线表示，Mo的200平面用黄色虚线表示。结果表明，La₂O₃中(0002)平面的间距是Mo中200平面的两倍。(C) (A)中红色虚线框的相应FFT图案。Mo中200平面的衍射点间距是La₂O₃中(0002)平面的两倍，这与(B)中所示结果一致。(D到G) 有序La₂O₃-Mo界面的原子和电子结构的DFT计算结果。(D) 基于(A)到(C)中TEM观察到的原子结构构建的松弛界面模型。(E) 界面处Mo和O原子的PDOS。在-20.5到-18.5 eV范围内的O-2s和Mo-4d之间以及-6.5到2.0 eV范围内的O-2p和Mo-4d之间存在多个杂化峰，表明它们之间存在强化学键。(F) 界面的电荷密度差异图。结果表明界面处Mo和O之间存在强电荷转移。(G) 界面的ELF图，红色（蓝色）轮廓表示电子的强局域化（非局域化）区域。Mo和O原子之间的电子局域化表明Mo-O键具有混合的共价和离子特性。
图2. 室温下TEM原位拉伸测试 (A) 在拉伸变形过程中获得的片状DB La₂O₃和普通La₂O₃样品的工程应力-应变曲线，样品尺寸分别为1200 nm × 410 nm × 135 nm和1500 nm × 330 nm × 120 nm。拉伸应变速率为2 × 10⁻³ s⁻¹。这些陶瓷的衍射图案如图S5所示。结果表明，通过有序键合界面的调节，我们的借用位错策略成功地赋予了本质上脆性的普通La₂O₃陶瓷类似金属的拉伸延展性。(B和C) 样品在应变(e)为0和39.9%（DB La₂O₃；movie S1）以及0.0和1.8%（普通La₂O₃；movie S3）时的原位拉伸测试实时电影的快照。黄色虚线曲线表示La₂O₃陶瓷的形状。(B)和(C)的结果表明，经过界面调节后的DB La₂O₃样品即使在拉伸载荷下经历了大量变形后，仍表现出对界面脱粘和陶瓷断裂的高抗性。DB La₂O₃样品的断裂模式不同于普通La₂O₃陶瓷，后者通常经历脆性断裂。
图3. 陶瓷中的位错行为 (A到D) 拉伸至12%后的DB La₂O₃陶瓷中的位错。(A) 明场STEM图像。(B) 暗场和(C) 明场TEM观察在(A)中相同区域的两束条件下进行。DB La₂O₃陶瓷中可见大量hc + ai位错段（黄色箭头标出）。hai和hci位错段分别用绿色和蓝色箭头标出。(D) (B)和(C)中DB La₂O₃的相应衍射图案，表明(B)和(C)中TEM图像的观察方向。(E) 不同应变(e)下当前样品的中子衍射谱。(F) 通过(E)中的中子衍射测量的DB La₂O₃陶瓷中hai、hci和hc + ai位错的位错密度以及不同工程应变下Mo中的位错密度。结果表明，拉伸应变增加到35%后，韧性DB La₂O₃陶瓷的总位错密度与Mo金属相当，表明我们的借用位错策略有效地促进了陶瓷中位错的生成和增殖，即使在室温和大气压条件下也是如此。
图4. DB La₂O₃样品在TEM下的原位拉伸和弯曲测试 (A) 在不同时间捕获的原位拉伸测试实时电影(movie S4)的快照图像。(B) 在拉伸变形下有序键合界面处位错转移的更详细信息，显示当前定制的金属-陶瓷界面实现了从金属到陶瓷的位错转移，从而证明我们的借用位错策略成功赋予陶瓷卓越的拉伸延展性，如(A)所示。(C和D) 在不同时间捕获的DB La₂O₃样品原位弯曲测试实时电影(movies S7和S8)的快照图像，显示出异常高的抗弯折断能力，能够承受高达90°的角度而不产生微裂纹。(D) 在压缩应力下有序键合界面处位错转移的更详细信息，显示有序键合界面可以在弯曲变形过程中轻松地将位错束从Mo金属转移到La₂O₃陶瓷中。这个过程赋予陶瓷优异的弯曲塑性，包括压缩和拉伸塑性。红色虚线表示有序键合界面。彩色箭头表示依次发生的位错束。
图5. 提出的位错机制 (A) 拉伸变形后有序键合界面处的HAADF-STEM图像，显示多个位错。(B到E) (A)中虚线框的放大视图。具体来说，(B)和(C)是根据Mo和La₂O₃平面平行的标准选择的不同条件下的IFFT图像，显示了从金属到陶瓷的位错转变的一种可能机制。(D) 在有序键合界面处发现的一个典型滑移台阶。(E) 从(A)中选择的局部HAADF-STEM图像显示Mo和La₂O₃中位错的滑移平面位于相同的晶面上。(F) 基于实验观察的Mo001 ½ ==La₂O₃ 2110和Mo 020 ð Þ==La₂O₃ 0110界面模型，如图1D所示。(G) 通过沿Mo(001)[020]和La₂O₃ 1010 1210方向滑移一个La₂O₃(0001)晶面间距(a)跨界面的GSFE计算结果，如(F)所示。结果显示出双峰特征，最大GSFE为2288.5 mJ/m²，与体Mo中的2543.9 mJ/m²相当，但显著低于La₂O₃中的3897.1 mJ/m²。这种降低表明，与在体陶瓷中相比，部分位错在有序界面上的形核和逐步滑移在能量上是有利的。
试验方法
1. 高角环形暗场扫描透射电子显微镜（HAADF-STEM）
方法说明：HAADF-STEM是一种高分辨率成像技术，通过检测高角度散射电子来获得样品的原子级图像。由于散射强度与原子序数的平方成正比，因此HAADF-STEM可以提供元素对比度，适用于观察复杂材料的界面和缺陷结构。
案例说明：在本文中，HAADF-STEM用于表征La₂O₃-Mo界面的原子结构。通过HAADF-STEM图像，研究人员观察到界面处的有序键合结构，揭示了Mo和La₂O₃原子平面的优异匹配。这些观察结果为理解界面处的位错行为提供了基础。
2. 逆快速傅里叶变换（IFFT）分析
方法说明：IFFT分析是一种用于处理透射电子显微镜（TEM）图像的技术，通过逆傅里叶变换从频域回到空间域，增强特定晶面或缺陷的可见性。该方法可以揭示样品内部的晶体结构和位错分布。
案例说明：本文利用IFFT分析了La₂O₃-Mo界面处的晶体结构。通过IFFT图像，研究人员能够清晰地看到Mo和La₂O₃晶面之间的匹配关系，以及界面处的位错滑移平面。这些结果进一步支持了位错从金属向陶瓷转移的机制。
3. 原位拉伸测试
方法说明：原位拉伸测试是在透射电子显微镜（TEM）下进行的力学测试，通过实时观察样品在拉伸变形过程中的微观结构变化，评估其力学性能。该方法可以直接观察位错的生成、移动和增殖过程。
案例说明：本文在TEM下进行了原位拉伸测试，评估了DB La₂O₃样品的拉伸延展性。结果显示，经过界面调节后的DB La₂O₃样品在拉伸变形过程中表现出高抗界面脱粘和陶瓷断裂的能力，显著提高了陶瓷的延展性。
4. 原位弯曲测试
方法说明：原位弯曲测试是在TEM下进行的另一种力学测试，通过实时观察样品在弯曲变形过程中的微观结构变化，评估其抗弯折能力。该方法可以揭示样品在压缩和拉伸应力下的变形行为。
案例说明：本文在TEM下进行了原位弯曲测试，评估了DB La₂O₃样品的抗弯折能力。结果表明，DB La₂O₃样品在弯曲变形过程中能够承受高达90°的角度而不产生微裂纹，展示了优异的弯曲塑性。
5. 密度泛函理论（DFT）计算
方法说明：DFT计算是一种量子力学计算方法，用于模拟材料的电子结构和能量状态。通过DFT计算，可以获得材料的部分态密度（PDOS）、电荷密度差异和电子局域函数（ELF），从而揭示材料的化学键特性和力学性能。
案例说明：本文利用DFT计算模拟了La₂O₃-Mo界面的电子结构。计算结果显示，界面处Mo和O原子之间存在强化学键和显著的电荷转移，Mo-O键具有混合的共价和离子特性。这些结果为实验观察到的位错转移机制提供了理论支持，并揭示了界面调节对陶瓷延展性的影响机制。
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创新思路
本文的创新思路在于提出了一种“借用位错”的策略，通过在金属-陶瓷界面上引入有序键合结构，成功实现了位错从金属向陶瓷的有效转移，从而显著提高了陶瓷材料的拉伸延展性。这一策略绕过了陶瓷中直接位错形核的高能障碍，提供了一种全新的途径来增强陶瓷的塑性。此外，通过密度泛函理论（DFT）计算和高角环形暗场扫描透射电子显微镜（HAADF-STEM）等多种表征手段，系统揭示了界面处的微观结构和位错行为，为未来陶瓷材料的设计和应用提供了重要的理论和实验依据。
总结展望
本文通过引入有序键合界面，提出了一种“借用位错”的策略，成功提升了陶瓷材料的拉伸延展性，绕过了陶瓷中直接位错形核的高能障碍。未来的研究可以进一步优化界面结构，探索更多金属-陶瓷组合，以实现更广泛的应用。此外，结合先进的计算模拟和实验表征技术，可以深入理解界面处的微观机制，为设计高性能陶瓷材料提供新的思路和方法。这一研究为陶瓷材料在航空航天、电子和能源等领域的应用开辟了新的前景。
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