垂直型氧化镓肖特基二极管Silvaco仿真代码分享

fengxiaoxiaoxi_

已于 2024-04-11 11:28:19 修改

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文章标签：经验分享笔记

于 2024-04-07 16:16:21 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/fengxiaoxiaoxi_/article/details/137465978

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这段代码展示了使用Goatlas进行的半导体器件仿真，涉及电场分布、正向与反向扫描操作，以及计算得到的反向击穿电压。代码提供了设备性能模拟的关键步骤和输出结果。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

仿真代码：

go atlas

mesh  space.mult=1.0

x.mesh loc=0.00 spac=2
x.mesh loc=10.00 spac=1
x.mesh loc=40.00 spac=1
x.mesh loc=50.00 spac=2
#
y.mesh loc=-0.3 spac=0.02
y.mesh loc=0.00 spac=0.05
y.mesh loc=10.00 spac=0.5
y.mesh loc=60.00 spac=2

region   num=1 material=air y.min=-0.3 y.max=0 
region   num=2 user.material=Ga2O3 y.min=0 y.max=10.00
region   num=3 user.material=Ga2O3 y.min=10.00 y.max=60
region   num=4 material=Nickel y.min=-0.3 y.max=0 x.min=10.00 x.max=40.00

electr reg=4 name=anode
electr name=cathode  bot

#....   N-epi doping 
doping  region=2 n.type conc=5e16 uniform

#....   N+ doping 
doping  region=3 n.type conc=1e18 uniform

material material=Ga2O3 user.default=GaN user.group=semiconductor \
         affinity=4.0 eg300=4.8 nc300=3.72e18 nv300=3.72e18 permittivity=10.0  \
         taun0=1e-9 taup0=2.1e-10 mun=118 mup=50 tcon.const tc.const=0.13 \
	     NSRHN=3.0e17 NSRHP=3.0e17 

models SRH fldmob  Auger print 
impact selb AN1=2.5e8 AN2=2.5e8 BN1=2.26e7 BN2=2.26e7 AP1=2.23e8 AP2=2.23e8 BP1=2.7e8 BP2=2.7e8

contact  name=anode workf=4.8 surf.rec barrier 

solve      init
method newton trap maxtrap=30
# 反向扫描
log outfile = sbd_Reverse.log
solve vanode=0 
solve vstep=-5 vfinal=-1000 name=anode
log off
tonyplot sbd_Reverse.log 
save outf=sbd_Reverse.str
tonyplot sbd_Reverse.str 

output   con.band val.band flowline ex.field

solve      init
# 正向扫描
log   outf=sbd_Forward.log
solve      vanode=0.05 vstep=0.1 vfinal=2  name=anode
log off
tonyplot sbd_Forward.log 
save outf=sbd_Forward.str
tonyplot sbd_Forward.str 

quit