嵌入式linux驱动之路09：裸机开发之UART 串口通信简介

串行接口指的是数据一个一个的顺序传输，使用两条线即可实现双向通信，一条用于发送，一条用于接收，I.MX6U 自带的 UART 外设就是串口的一种，UART 是异步串行收发器。。 USART 是同步/异步串行收发器。相比 UART 多了
一个同步的功能，在硬件上体现出来的就是多了一条时钟线。

空闲位：
数据线在空闲状态的时候为逻辑“1”状态，也就是高电平，表示没有数据线空闲，没有数据传输。
起始位：
当要传输数据的时候先传输一个逻辑“0”，也就是将数据线拉低，表示开始数据传输。
数据位：数据位就是实际要传输的数据，数据位数可选择 5~8 位，我们一般都是按照字节传输数据的，一个字节 8 位，因此数据位通常是 8 位的。低位在前，先传输，高位最后传输。
奇偶校验位：
这是对数据中“1”的位数进行奇偶校验用的，可以不使用奇偶校验功能。
停止位：
数据传输完成标志位，停止位的位数可以选择 1 位、1.5 位或 2 位高电平，一般都选择 1 位停止位。
波特率：
波特率就是 UART 数据传输的速率，也就是每秒传输的数据位数，一般选择 9600、19200、115200 等。
编程思路步骤：
1.初始化对应io：复用，电器属性
2.初始化串口：配置UCR1 UCR2 UCR3（配置模式）UFCR UBIR UBMR（设置波特率）然后使能
3.发送与接受：等待上一次发送或接受完成（USR2寄存器）UARTx_URXD 即可获取到接收到的数据，如果要通过 UART 发送数据，直接将数据写入到寄存器UARTx_UTXD 即可。

DDR3驱动

一般 Cortex-A 芯片自带的 RAM 很小，比如 I.MX6U 只有 128KB 的 OCRAM。如果要运行 Linux 的话完全不够
用的，所以必须要外接一片 RAM 芯片。

DDR3 内存简介

RAM：随机存储器，可以随时进行读写操作RAM ，可以直接和 CPU 进行通信，速度很快，掉电以后数据会丢失。比如内存条、SRAM、SDRAM、DDR 等都是 RAM。RAM 一般用来保存程序数据、中间结果，，比如我们在程序中定义了一个变量 a，然后对这个 a 进行读写操作，示例代码如下：
1 int a;
2 a = 10；
我们可以随意的对 RAM 中任何地址的数据进行读写操作。
ROM：只读存储器。我们买手机，这个手机是 4+64 或 6+128 配置，说的就是 RAM 为 4GB 或 6GB，ROM 为 64G 或128GB。相比于RAM，向 ROM 或者 Flash 写入数据要复杂很多，因此意味着速度就会变慢(相比 RAM)，但是ROM 和 Flash 可以将容量做的很大，而且掉电以后数据不会丢失，适合用来存储资料。

SRAM 简介

SRAM 的全称叫做 Static Random-Access Memory，也就是静态随机存储器，这里的“静态”说的就是只要 SRAM 上电，那么 SRAM 里面的数据就会一直保存着，直到 SRAM 掉电。对于RAM 而言需要可以随机的读取任意一个地址空间内的数据，因此采用了地址线和数据线分离，我们以IS62WV51216 这颗 SRAM 芯片为例简单的讲解一下 SRAM，这是一颗 16 位宽(数据位为 16 位)、1MB 大小的 SRAM

①、地址线
这部分是地址线，一共 A0~A18，也就是 19 根地址线，因此可访问的地址大小就是2^19=524288=512KB。前面我们说了是 16 位宽的，也就是一次访问 2 个字节，因此需要对
512KB 进行乘 2 处理，得到 512KB*2=1MB。
②、数据线
IS62WV51216 是一个 16 位宽的 SRAM，因此就有 16 根数据线，一次访问可以访问 16bit 的数据，也就是 2 个字节。因此就有高字节和低字节数据之分
③、控制线
SRAM 要工作还需要一堆的控制线，CS2 和 CS1 是片选信号，低电平有效，在一个系统中可能会有多片 SRAM(目的是为了扩展 SRAM 大小或位宽)，这个时候就需要 CS 信号来选择当前使用哪片 SRAM。OE 是输出使能信号，低电平有效，也就是主控从 SRAM 读取数据。
WE 是写使能信号，低电平有效，也就是主控向 SRAM 写数据。
UB 和 LB 信号UB 为低电平的话表示访问高字节，LB 为低电平的话表示访问低字节。

SDRAM 简介

SRAM 最大的缺点就是价格高、容量小！但是应用对于内存的需求越来越高，必须提供大内存解决方案。SDRAM 全称是 Synchronous Dynamic Random Access Memory，翻译过来就是同步动态随机存储器，“同步”的意思是 SDRAM 工作需要时钟线，“动态”的意思是 SDRAM 中的数据需要不断的刷新来保证数据不会丢失，“随机”的意思就是可以读写任意地址的数据。
就以 W9825G6KH 为例，W9825G6KH 是一款 16 位宽(数据位为 16 位)、32MB 的 SDRAM

①、控制线：
CLK：时钟线，“同步”的意思就是时钟，因此需要一根
时钟线，这是和 SRAM 最大的不同，SRAM 没有时钟线。
CKE：时钟使能信号线
CS：片选信号，这个和 SRAM 一样，都有片选信号。
RAS：行选通信号，低电平有效，SDRAM 和 SRAM 的寻址方式不同，SDRAM 按照行、列来确定某个具体的存储区域。因此就有行地址和列地址之分，行地址和列地址共同复用同一组地址线，要访问某一个地址区域，必须要发送行地址和列地址，指定要访问哪一行？哪一列？
RAS 是行选通信号，表示要发送行地址，行地址和列地址访问方式如图 23.1.3.2 所示

CAS：列选通信号，和 RAS 类似，低电平有效，选中以后就可以发送列地址了。
WE：写使能信号，低电平有效。
②、A10 地址线
A10 是地址线， A10 地址线还控制着 Auto-precharge，也就是预充电。SDRAM芯片内部会分为多个 BANK，SDRAM 在读写完成以后，如果要对同一个 BANK 中的另一行进行寻址操作就必须将原来有效的行关闭，然后发送新的行/列地址，关闭现在工作的行，准备打开新行的操作就叫做预充电。
③、地址线
一共有 A0~A12，共 13 根地址线，但是我们前面说了 SDRAM 寻址是按照行地址和列地址来访问的，因此这 A0~A12 包含了行地址和列地址。不同的 SDRAM 芯片，根据其位宽、容量等的不同，行列地址数是不同的，比如 W9825G6KH 的 A0~A8 是列地址，一共 9 位列地址，A0~A12 是行地址，一共 13位，因此可寻址范围为：2^9*213=4194304B=4MB， 16 位宽(2 个字节)，得到 4*2=8MB，但是一个 32MB 的 SDRAM ，为什么算出来只有 8MB，8MB 只是一个 BANK 的容量，W9825G6KH 一共有 4 个 BANK。
④、BANK 选择线
BS0 和 BS1 是 BANK 选择信号线既然有4个BANK，那么在访问的时候就需要告诉SDRAM，我们现在需要访问哪个BANK，BS0 和 BS1 就是为此而生的，4 个 BANK 刚好 2 根线。
⑥、数据线
DQ0~DQ15，不同的位宽其数据线数量不同。
⑦、高低字节选择

SDRAM 在一个 CLK 周期传输一次数据，DDR 在一个 CLK 周期传输两次数据，也就是在上升沿和下降沿各传输一次数据，这个概念叫做预取(prefetch)，相当于 DDR 的预取为 2bit，因此DDR 的速度直接加倍！
DDR 的寻址流程是先指定 BANK 地址，然后再指定行地址，最后指定列地址确定最终要寻址的单元。BANK 地址和行地址是同时发出的，这个命令叫做“行激活”(RowActive)。行激活以后就发送列地址和具体的操作命令(读还是写)，这两个是同时发出的，因此一般也用“读/写命令”表示列寻址。在行有效(行激活)到读写命令发出的这段时间间隔叫做 tRCD。
CL 参数：当列地址发出以后就会触发数据传输，但是从发出命令到数据开始输出有一段时间，这段时间就是CL(CAS Latency)，也就是列地址选通潜伏期。一般 tRCD 和 CL 大小一样。

MMDC 控制器

MMDC 就是 I.MX6U的内存控制器，用于连接 DDR ，DDR 的引脚都是独立的，一般没有复用功能，只需要设置 DDR 引脚的电气属性即可。