芯片工艺中的7nm和5nm这两个数值,代表的是芯片晶体管导电沟道的长度,业内称之为“晶体管的栅极宽度”。
栅极宽度是芯片电路中最窄的线条,通常情况下,栅极宽度的数值越小,晶体管的尺寸就越小,芯片单位面积所能容纳的晶体管就越多,芯片的性能会随着晶体管数量的增多而变强,功耗也会随着晶体管尺寸的缩小而变小。
所以从理论上来说,同一单位面积下,5nm栅极宽度的芯片比7nm栅极宽度的芯片性能更强,功耗更低。
按照芯片制造工艺的技术角度来看,5nm制程工艺已经很接近极限了,但所谓的纳米级芯片制造工艺的数值,并不能真正的代表栅极宽度的数值。
拿台积电的7nm工艺为例,N7、N7+、N7P这些,所对应的晶体管密度是存在差距的,N7和N7P的密度为96.5MTr,而N7+的密度为113.9MTr,同为7nm工艺,N7+工艺下的芯片性能就会更强一些。
芯片所说的5nm和7nm这些,在当下只能算是一个名称,各芯片代工商对于芯片工艺的衡量标准不同,所以芯片的性能还是要以芯片的密度为参考标准更准确一些。
至于5nm芯片和7nm芯片的差别在哪里,除了工艺的技术难度不同,感知最强的差别就是性能了,拿5nm工艺的苹果A14和7nm工艺的苹果A13为例,A14有118亿个晶体管,A13有85亿个晶体管,A14相较于A13,CPU性能增幅大概16%,GPU性能增幅大概8.3。
虽说A14相较于A13的整体性能提升不大,但上文也说了,5nm工艺现在已经很接近极限了,A14芯片增加了5G基带的使用,对于芯片体积和兼容度要求大大提高,CPU和GPU能够提升到如此已经很难得了。
二个问题:CPU已经很小了,可以做大点吗?
智能手机是一种很精密的数码产品,内部空间可以说得上是“寸土寸金”,如果芯片的性能不再依靠工艺的突破而提升,而是依靠增大体积来增加性能,那手机内部可用的空间将会随之变小,无法容下更多的元器件,也就意味着手机的一些功能会随之丢失,这是智能手机该有的发展趋势吗?显然不是。
CPU作为芯片的重要组成部分,理论上来说,增大体积是可以增加晶体管数量的,性能也会随着芯片体积的增大而变强,试想一下,芯片制程工艺停滞不前,芯片性能全靠增大芯片体积来实现,未来的智能手机会不会变成“大哥大”那样尺寸的数码产品呢?这显然不是拥有“便携属性”的智能手机该有的样子。
所以,提升芯片的性能,可以通过提升芯片的尺寸来达成,但对于手机的发展、芯片的发展,乃至科技的发展,都是一个背道而驰的解决方案。