饱和型NMOS管中负载管的作用

最新推荐文章于 2023-11-28 08:00:00 发布
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分类专栏： proteus仿真
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用相同的nmos管仿真饱和型NMOS反相器，因为两个NMOS的内阻相同，所以得到的低电压不够低，结果如下图：饱和型NMOS管中负载管的作用

得到的高电平接近电源电压：

 

饱和型NMOS管中负载管的作用

 

用三极管代替nmos的仿真图如下：


饱和型NMOS管中负载管的作用饱和型NMOS管中负载管的作用

饱和型NMOS管中负载管的作用


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专栏目录
NMOS原理
xu15966695469的专栏
07-27 2416
 MOS门电路      MOS型集成门电路是单极型晶体管。绝缘栅场效应管也就是金属－氧化物－半导体（MOS）场效应管。MOS场效应管具有制造工艺简单，集成度高，功耗低，抗干扰能力强等优点，主要缺点是工作速度较低。MOS场效应管有N沟道和P沟道两类，每一类又有增强型和耗尽型之分。在本节集成门电路中用的都是增强型场效应管。    1. 下图NMOS“非”门电路，    称为驱动管
nmos导通流向_技术参数详解，MOS管知识全录！
weixin_42528534的博客
01-13 4622
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硬件基础_MOS管
weixin_59066431的博客
08-25 1745
我这个博客讲的比数电模电简洁概要多了。 嵌入式软件开发工程师不懂硬件怎么行， 硬件工程师的锅咱不能背。 不懂硬件就等着被硬件工程师甩锅喽。
NMOS 型的 LDO
u013749113的博客
02-12 1967
下图是描述的是 NMOS LDO 在一个 50mA 和 3A 的负载电流下需求的静态电流。我们可以看出由 NMOS 构成的 LDO 相对于晶体管而言它的静态电流是它一个最大的优势。的变化是比较大的，但是我们在静态电流上可以看待几乎是没什么变化的，因为 N 型 mos。下面这幅简化的原理图中示出了经由 NMOS 传输元件留至负载的电流。 要求输入电压高于输出电压（ 高出的幅度依据传输晶体管的 VGS 要求）；由上图可以看出在整个线路里面对输入于输出的压差构成限制的不在是晶体管的基极。
基于MOS管的负载开关电路
qq_40984643的博客
07-31 5486
如有错误在评论中指出，谢谢。 运行环境： W10 AD18.1.9 原理图： 简易的MOS管开关电路，通过Switch_signa来控制通断(未加滤波)。 Q1：增强型PMOS ，源极S接输入，漏极D接输出（开路输出加上拉电阻）。若Vgs < Vgs(th)，此处Vgs(th)为负值，PMOS导通，Vd = Vs = VCC。 Q2：增强型NMOS，漏极D接输入，源极S接输出。...
如何判定MOS管的带载能力，别告诉我看完这篇文章你还不懂！
最新发布
2301_79423731的博客
11-28 686
反过来说的话，如果负载内阻小了，那么如果放大器输出阻抗不变的话，放大器末级管子所分得的电压比例就会上升，所以现在的音响正是因为有了低内阻的MOS管，才得以向小阻抗的负载发展，以得到更好的动态效果。所以内阻越小，它在同样的电源消耗条件下对于相同阻抗的负载来说所分走并消耗在自身上的电压越低，而负载上的电压越高，可以带起功率更大的负载来。内阻越小，负载产生的分压越多，获得的能量就越大，说明带载能力越强，所以一般选用内阻较低的MOS管。内阻越大，管子自身消耗的功率越多，管子越容易发热，寿命变短，甚至炸裂。
【数字集成电路原理】【反相器】反相器当输入为0.5（中点）时PMOS和NMOS分别位于饱和区
u010106593的博客
09-14 3139
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11-18
Micrel公司推出的低饱和型线性稳压器IC——MIC47100，正是针对这一需求而设计的一款高性能产品。这款芯片的最大输出电流达到1A，适合为微处理器、数字信号处理器(DSP)、可编程逻辑器件(PLD)以及现场可编程门阵列...
第3章-晶体管放大器-综合文档
05-19
FET则有结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET），其中MOSFET进一步分为NMOS和PMOS。 在放大器中，晶体管的主要功能是放大微弱的信号电压或电流。其工作基于控制极（对于BJT是基极，对于FET是栅极...
mos管结电容等效模型_MOS管的防冲击防反接电路
weixin_29179583的博客
01-14 1300
MOS管的反接和抑制冲击一：原理分析MOS管由于生产工艺等因素，会产生相应的寄生电容，体二极管等。Mos管的寄生电容如图1所示，可以看到其具有三个寄生电容：G和S的电容Cgs；G和D的电容：Cgd，也称为反向传输电容、米勒电容、Crss；D和S的电容Cds。D和S之间的体二极管D1.图 1：MOS管等效模型寄生电容的数值可以从元器件的datasheet中得到,如图2，图3：Ciss(输入电容)=C...
ldo和dcdc功耗_DC-DC和LDO中功率管为何选用P管？
weixin_39568926的博客
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如题，文章中经常看到的DC-DC和LDO中功率管都选用的是P管。可是NMOS相比PMOS来说驱动电流能力强。如果用NMOS的话功率管的面积会小很多。那常用PMOS的原因是什么呢?if you read some basic paper about LDOyou will found the reasonNMOS can be used also. and it should have better...
MOS管的实际应用
莫比乌斯的硬件花果山
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继上一篇“认对画对MOS管”后，现在小结一下MOS管的具体应用： 应用MOS管前，理解MOS管每个参数的具体意义后，再额外注意一下管子本身的体二极管，本身Vf=1.6V，导通后管子本身阻抗一般是mΩ级；管子厂工作于以下三种状态：导通，截止和可变电阻区（又有线性放大区的说法）。 1. 作电平转换用 电路设计时，不同的子系统之间无可避免的需要数字信号传递，不同的系统之间或者设备之间，数字接口电平...
NMOS管2种接法差异总结
l694066619的博客
08-12 8534
最近做项目要控制HDMI转接板的供电电源（控制一个12V/2A的电源的开关），选型nmos管如图： 然后设计电路为： 按照上图3.3V的时候差不多可以通过20A以上电流了，但实际测试 PA5_HP高电平居然不导通？？？ 分析G端电压参考为S端，S为12，G端3.3当然不会导通，所以飞线修改电路为： PA5_HP高后，导通。忽然想起来之前老师傅说的话，三极管，NPN的
【运算放大器技术】——有源负载
OnePower
01-16 9312
晶体管和场效应管都是有源元件，如果它们作为负载就称为——有源负载。 提出问题： 共射放大电路的电压放大倍数，可见增大Rc可以提高电压放大倍数，但是Rc增大后，为了保持静态工作点不变，需要提高电源电压。显然，当电源电压增大到一定数值，设计就会变得不合理了。 一些思考： 为了解决上述问题，我联想到了恒流源，恒流源的特点是内阻很大，但是电流恒定，即保证静态工作点不变，而且提供很大的等效负载。
NMOS和PMOS管 电流方向和应用电路
学海无涯的专栏
03-25 3万+
1、分辨MOS管的方法 对于NMOS我们看下图中的箭头，都是远离源头。 对于PMOS我们看箭头，都是指向源头 P：POSITIVE积极的寻找自己的起源 N：NEGTIVE消极的远离自己的源头 首先明确一点，S是源极，D是漏极 对于NMOS，载流子是电子，我们知道电子的流向都是从源极到漏极，但是电流的流向是从漏极到源极。 对于PMOS，载流子是空穴对，空穴对的流向也是从源极到漏极，与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极，注意区分。 上图出现的二极管为体二极管，在驱动...
分析MOS管驱动电路的秘密，看到这里你就啥都懂了
weixin_43747182的博客
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  　　一、MOS管驱动电路综述 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。          　　1、MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N...
两种最基本的MOS管——N沟道与P沟道
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zhangzhaobin的专栏
06-06 6万+
原文地址：http://blog.sina.com.cn/s/blog_4a3946360100ox71.html 在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
数字集成：MOS管速度饱和的理解（V0.0）
光年之外
09-28 1万+
右键上拉回来：1、写在前面的话2、简化版专业解释3、个人寻找的理解 1、写在前面的话 主要讲下MOS器件的速度饱和，第一次接触这个概念，网上的文章很少，找了好几篇看，记录下。原文学习可参考数字集成电路（第二版），里面62、63页有专业的解释。这里提取简明扼要的东西。 2、简化版专业解释 一般而言，载流子速度正比于电场，斜率是载流子的迁移率；可当延沟道电场达到临界值（某个根据散射效应计算的值）时...
分析功率型MOS管在锂电池保护电路中的详细应用
weixin_43747182的博客
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　 　　通常，由于磷酸铁锂电池的特性，在应用中需要对其充放电过程进行保护，以免过充过放或过热，以保证电池安全的工作。短路保护是放电过程中一种极端恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOS管在这种工作状态的特点，以及如何选取功率MOS管型号和设计合适的驱动电路。         　　电动自行车的磷酸铁锂电池保护板的放电电路的简化模型如图1所示。Q1为放电管，使用N沟道增强型MOS管，实际的工作中，根...
MOS管反相器：负载NMOS线性区工作原理
这种特性使得NMOS管可以用作反相器中的负载元件，提供一定的电压放大作用。 在图3.2.2所示的线性区增强型负载NMOS管反相器电路中，NMOS管的栅极连接到输入端，而源极连接到电源，漏极则作为输出端。当输入电压低时...
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