解决的问题
在学习模拟或者数字电路的过程中,有的小伙伴可能会疑惑,在反相器中,输入逐渐增加,为什么NMOS直接从截止区变为饱和区,和一般认知输入电压增加,NMOS应该从截止区进入线性区再是饱和区出现了分歧。
这究竟是怎么回事呢?
基础知识
为了解决这个问题,我们首先回顾一下NMOS和PMOS的基础知识。
从这幅描述NMOS的Vds和Vgs与Id的关系图,可以看出:
①当Vds固定,Id随着Vgs增加最大值增加。
②当Vgs固定,Id随着Vds增加逐渐增加,然后趋于饱和(沟道长度调制效应)。
这样就简单明了了,平常我们认知的“电流随着电压逐渐增大,且从截止区进入线性区再到饱和区”这个结论是在Vgs固定的条件下得出的,在反相器中,Vgs和Vds同时变化,并不能直接套用结论想当然。
定性分析
(由于大家应该对NMOS比较熟悉,从NMOS表现入手):
我们从Vin=0V逐渐增加至2.5V(就是下图曲线从上往下)考虑,首先NMOS截止(因为栅端电压过小,小于Vth),随着Vin逐渐增大,大于NMOS的Vth后。由于此时Vgs比较小,不妨认为是图中的Vgs1,而此时对于PMOS则是导通且电阻很小(因为PMOS栅端电压小的时候可以导通,大于某一个值不可以导通),所以对于NMOS来说它的Vds是比较大的,如图中①,在饱和区。
随着Vin升高,对于NMOS,Vgs逐渐增加,Vds逐渐减小,如图中③,可见会逐渐从饱和区变为线性区。
新人作者,如果帮到您,还请点赞,感谢大家支持!