【数字集成电路原理】【反相器】反相器当输入为0.5（中点）时PMOS和NMOS分别位于饱和区

解决的问题

在学习模拟或者数字电路的过程中，有的小伙伴可能会疑惑，在反相器中，输入逐渐增加，为什么NMOS直接从截止区变为饱和区，和一般认知输入电压增加，NMOS应该从截止区进入线性区再是饱和区出现了分歧。
这究竟是怎么回事呢？

基础知识

为了解决这个问题，我们首先回顾一下NMOS和PMOS的基础知识。

从这幅描述NMOS的Vds和Vgs与Id的关系图，可以看出：
①当Vds固定，Id随着Vgs增加最大值增加。
②当Vgs固定，Id随着Vds增加逐渐增加，然后趋于饱和（沟道长度调制效应）。

这样就简单明了了，平常我们认知的“电流随着电压逐渐增大，且从截止区进入线性区再到饱和区”这个结论是在Vgs固定的条件下得出的，在反相器中，Vgs和Vds同时变化，并不能直接套用结论想当然。

定性分析

（由于大家应该对NMOS比较熟悉，从NMOS表现入手）：
我们从Vin=0V逐渐增加至2.5V（就是下图曲线从上往下）考虑，首先NMOS截止（因为栅端电压过小，小于Vth），随着Vin逐渐增大，大于NMOS的Vth后。由于此时Vgs比较小，不妨认为是图中的Vgs1，而此时对于PMOS则是导通且电阻很小（因为PMOS栅端电压小的时候可以导通，大于某一个值不可以导通），所以对于NMOS来说它的Vds是比较大的，如图中①，在饱和区。
随着Vin升高，对于NMOS，Vgs逐渐增加，Vds逐渐减小，如图中③，可见会逐渐从饱和区变为线性区。

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