JFET放大电路实例设计仿真

最新推荐文章于 2023-04-10 13:18:45 发布
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参照《晶体管电路设计》中的例子 JFET 2SK184

JFET 2SK184 数据手册如下
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电路设计 共源放大
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步骤：1、静态工作点
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2N4416 1ma

2、RD和RS
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A=5 5:1
RS 2V /1m=2k RD 5k
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3、偏压VG
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根据传输特性 VGS-ID
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vgs=-0.7 vg=2-0.7=1.3
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400k^2/50k=8k
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4、耦合电容和旁路电容
耦合电容 利用RC高通滤波器 输入输出去除直流成分
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转折频率：
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输入耦合电容与输入电阻
输出耦合电容与负载电阻

实际中是，根据转折频率，输入阻抗，负载电阻来计算耦合电容

旁路电容
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实际仿真效果;

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RS通过电容接地
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两级放大 带宽减到几十

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零偏置源极接地
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为了增大增益，增大跨到gm或者RD
RD不能增加太大

RD的取值怎么定呢？？
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2SK330数据手册
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栅极接地
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1、漏栅极电流 IS ID
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大大U
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专栏目录
模电实验——实验二 JFET共源极放大电路
weixin_53402301的博客
06-14 2156
实验二 JFET共源极放大电路
基于JFET 的高精度可程控放大电路设计
10-24
本文基于结型场效应管的程控放大器以压控放大电路为核心，通过单片机C8051F020控制12位D/A输出，改变工作在可变电阻区的结型场效应管的栅极电压以改变反馈电阻，从而实现放大倍数精确调节，使整个系统操作起来更加简单、方便。
共源JFET放大器分析
01-20
共源JFET放大器使用结型场效应晶体管作为其主要有源器件，提供高输入阻抗特性。晶体管放大器电路（例如共射极放大器）是使用双极晶体管制造的，但是小信号放大器也可以使用场效应晶体管制造。与双极型晶体管相比，这些器件具有输入阻抗极高且噪声输出低的优点，因此非常适合用于输入信号非常小的放大器电路。　　基于结型场效应晶体管或“ JFET”（本教程中为N沟道FET）甚至金属氧化物硅FET或“ MOSFET”为基础的放大电路的设计与双极晶体管电路的原理完全相同用于上一教程中介绍的A类放大器电路。　　首先，需要找到合适的静态点或“ Q点”，以利用共源（CS），共漏（CD）或源跟随器（SF）的单个放大器配置对J
JFET 共源级放大电路设计
学习笔记
08-26 4722
1.要求： a.增益10db Av= 20log(Vout/Vin) Vout/Vin = 3; b.峰峰值：3Vp-p 2.管子种类不一样，IDSS不一样，2SK184GR IDSS范围：2.6ma~6.5Ma。 取Id值，设计RD\RS阻值，取值条件只需满足<IDSS即可，此处为了安全起见，选择ID=1Ma.Id决定了传导率和噪声，所以设计电路从ID...
JFET直耦级联放大电路：MPF102，2SK102
TSINGHUAJOKING
05-14 3774
使用两个JFET构成直接耦合级联放大，可以稳定的工作在输入和输出都是电感负载的情况下，而不发生自激振荡。本文通过测试MPF102构成的直耦级联放大电路，验证了这种电路的稳定性。对于环形磁芯，工字型磁芯，带有屏蔽的中周变压器以及表贴电感进行测试，验证在环境磁芯，表贴电感都可以避免电路由于外部磁耦合而产生自激振荡。
模拟技术中的基于JFET 的高精度可程控放大电路设计
11-03
摘要：微弱信号常常伴随大量的噪声且驱动能力较弱，给精确测量带来很大难度。基于结型场效应管的程控放大器以压控放大电路为核心，通过单片机C8051F020控制12位D/A输出，改变工作在可变电阻区的结型场效应管的栅极电压以改变反馈电阻， 从而实现放大倍数精确调节，使整个系统操作起来更加简单、方便。系统实现对信号1到1000倍放大并可程控，通过液晶显示输入、输出值和放大倍数。测试结果显示系统能够对最小1mv的输入信号进行预定放大且具有较高的精度；以JFET为核心的压控电阻工作速度快、可靠性好、控制灵敏度高，无机械触点使其噪声较低；系统12位A/D、D/A均集成在单片机内部，缩减了复杂的外围电路，可靠
双极结型三极管及放大电路基础
lushoumin的博客
09-23 1869
BJT BJT简介 NPN和PNP 和 BJT的工作原理 放大：发射结正偏，集电结反偏 饱和：发射结正偏，集电结正偏 截止：发射结反偏，集电结反偏 电流分配关系 其中， V-I特性曲线 温度对BJT的影响 温度升高，Vbe将减小，Icbo、Iceo、β将增大 基本共射极放大电路 电路组成、直流通路和交流通路 图解法 选择合适的工作点，可以避免输出电压落入饱和区和截止区引起失真。 小...
低噪声前置高增益放大器设计
zhi12345678的博客
07-14 4753
低噪声前置高增益放大器设计 设计一个低噪的高增益放大器，放大倍数在1000倍（60db)以上，如此高的增益，最容易发生的问题有两个： 1）放大器自激振荡，这可以通过PCB排板和电源滤波来解决，主要是制作工艺问题，我们不在此讨论。 2）温漂、偏置电压、偏置电流或外部的微小直流偏置都很容易导致放大器限幅而无法使用，本推文介绍一种超级伺服电路来解决此问题。 超级伺服电路就是一个积分器电路，对极低频偏移电压或外部直流电压进行积分补偿，以保证高增益电路只放大交流输入信号，而不放大偏移电压或外部偏置的直流电压，以保证交
3.8 晶体管驱动电路设计
weixin_42116023的博客
04-10 536
晶体管驱动电路设计：晶体管反相驱动电路、功率负载驱动电路
基于JFET的AGC电路设计-参数计算及仿真.zip
12-30
网上有很多应用JFET搭建AGC电路的帖子，大部分只讲解原理但没有参数计算。本文将手把手教大家如何推导关键元器件参数的计算公式，并用Multisim仿真。 附件包含： 1. 作者的原创文章（1800+字Word文件）：详细解析电路各个模块及公式推导。 2. Excel设计工具：输入已知量如电压、频率、输入输出信号等，自动计算元件参数。 3. Multisim仿真文件：当输入正弦信号频率为3kHz, 振幅峰值在0.1Vpk-1Vpk之间变化时，电路输出峰值为2V的稳定波形。
北邮信通院模电实验6_JFET-CS放大电路测试报告
01-10
实验目的： 学习了解场效应晶体管放大电路的基本结构、原理、测试过程。通过实验、仿真，了解JFET主要参数的获取、电路的静态工作点、增益等参数的计算和测试方法。
实验二 JFET共源极放大电路multisim源文件
06-14
实验二 JFET共源极放大电路multisim源文件
北京邮电大学_信通院_模电实验六_JFET-CS放大电路测试报告
03-16
北京邮电大学_信通院_模电实验六_JFET-CS放大电路测试报告
文氏桥振荡电路多类分析 LM386 DZ006套件
electron的博客
08-29 3189
文氏桥电路原理分析 文氏电桥振荡电路原理详解及Multisim实例仿真 最基本的，运算放大器的Vo = Av*(V+ - V-)。这是不变的，基于此，搭建最基本的文氏桥振荡电路就是 这个电路，当把RC串并联电路用复数域分析，得到的正反馈增益是约为1/3的，所以需要负反馈有3的放大倍数。但是实际电路中能够实现3是很难的，所以这个电路基本无实际应用。 那么就需要改进。 引入自动调节的负反馈网络。 当电路开始振荡时保证放大倍数大于3，这样可以使得电路容易起振，而当电路的振荡幅度增大到某个程度时，将其放大倍数
基于JFET 的高可程控放大电路设计
01-20
基于结型场效应管的程控放大器以压控放大电路为，通过单片机C8051F020控制12位D/A输出，改变工作在可变电阻区的结型场效应管的栅极电压以改变反馈电阻， 从而实现放大倍数调节，使整个系统操作起来更加简单、方便。...
北邮 模电实验 反相放大电路设计仿真报告
05-21
主要内容： 1、反相放大电路 2、反相加法电路 3、反相积分电路
JFET的采样和保持电路
一米阳光
04-12 897
这是JFET的采样和保持电路。在这个电路中，的逻辑电压同时施加到样品和持有JFETs。这里是电路： 　　 　　由于RDS的错误JFETs(上)，可以??尽量减少匹配的反馈电容和电阻和输入阻抗。因为FM1109单片双和固有匹配的RDS(ON)的漏电流匹配电路的性能大大提高。
jfet-cs放大电路
最新发布
11-10
JFET-CS放大电路是一种基于JFET（结型场效应晶体管）的放大电路。这种放大电路常用于信号放大和放大器设计。 JFET-CS放大电路由一个源极接地的结型场效应晶体管（JFET）组成，输入信号通过栅极加在晶体管上，输出信号从漏极处提取。此电路的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，并且具有较大的电压增益。 当输入信号施加到栅极上时，由于JFET具有控制栅极-漏极电流的特性，它会对输入信号进行放大。由于JFET的输入阻抗较高，所以它可以有效地接收来自信号源的输入信号，并将其放大。此外，输出信号从漏极提取，因此输出阻抗较低，可以驱动负载。 JFET-CS放大电路的电压增益取决于晶体管的特性和工作点的选择。通过调整偏置电压和电流，可以实现所需的增益。此外，这种放大电路还可以通过添加耦合电容和直流偏置电路来滤除直流偏置。 总之，JFET-CS放大电路是一种灵活、可靠且易于设计的放大电路。它可以在不同的应用中使用，如音频放大器、通信系统和测量设备等。

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