半导体晶圆制造良率提升的指标体系设计

针对半导体晶圆制造良率提升的指标体系设计，需紧密结合行业特有的工艺复杂性、缺陷模式、设备参数和材料特性，避免通用指标堆砌。以下是一套差异化指标体系框架，覆盖从晶圆加工到最终测试的全流程，融入行业关键要素：

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一、指标体系设计原则

1. 工艺导向：聚焦半导体制造核心步骤（光刻、蚀刻、薄膜沉积、CMP等）的物理特性。

2. 缺陷驱动：量化缺陷类型（颗粒污染、刻蚀残留、对准偏移等）与良率的因果关系。

3. 动态监控：引入实时过程控制（SPC）和故障检测分类（FDC）指标。

4. 跨工序协同：识别前后工序参数耦合对良率的影响。

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二、核心指标体系框架

1. 工艺稳定性指标（Process Stability）

指标分类	指标名称	定义与行业意义<