晶振电路中如何选择电容C1,C2?

晶振电路中如何选择电容C1,C2?



(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
(2):在许可范围内,C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。
(3):应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。
在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的应用中,需要注意负载电容的选择。不同
厂家生产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和品质都存在较大差异,在选用
时,要了解该型号振荡器的关键指标,如等效电阻,厂家建议负载电容,频率偏
差等。在实际电路中,也可以通过示波器观察振荡波形来判断振荡器是否工作在
最佳状态。示波器在观察振荡波形时,观察OSCO管脚(Oscillator output),应
选择100MHz带宽以上的示波器探头,这种探头的输入阻抗高,容抗小,对振荡波
形相对影响小。(由于探头上一般存在10~20pF的电容,所以观测时,适当减小
在OSCO管脚的电容可以获得更接近实际的振荡波形)。工作良好的振荡波形应该
是一个漂亮的正弦波,峰峰值应该大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%,可适
当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之,若峰峰值接近电源电压且振
荡波形发生畸变,则可适当增加负载电容。 
用示波器检测OSCI(Oscillator input)管脚,容易导致振荡器停振,原因是:
部分的探头阻抗小不可以直接测试,可以用串电容的方法来进行测试。 
如常用的4MHz石英晶体谐振器,通常厂家建议的外接负载电容为10~30pF
左右。若取中心值15pF,则C1,C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。同
时考虑到还另外存在的电路板分布电容,芯片管脚电容,晶体自身寄生电容等都
会影响总电容值,故实际配置C1,C2时,可各取20~15pF左右。并且C1,C2使
用瓷片电容为佳。 

问:如何判断电路中晶振是否被过分驱动? 
答:电阻RS常用来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升。可用一台示波器检测OSC输出脚,如果检测一非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动;相反,如果正弦波形的波峰,波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过分驱动。这时就需要用电阻RS来防止晶振被过分驱动。判断电阻RS值大小的最简单的方法就是串联一个5k或10k的微调电阻,从0开始慢慢调高,一直到正弦波不再被削平为止。通过此办法就可以找到最接近的电阻RS值。

<think>好的,我现在需要帮助用户了解单片机晶振电路的设计原理,包括图解。首先,我应该回顾用户提供的引用资料,看看有哪些相关的信息可以利用。 根据引用[1],单片机晶振电路的作用是产生时钟信号,同步内部操作。引用[2]详细描述了外部晶振的连接,包括启动电容电阻的作用。比如,8M晶振需要外接1兆欧电阻,而32.768KHz的可能内部已有电阻。引用[4]提到晶振频率对计数器模式的影响,例如12MHz时的最高计数频率限制。这些内容都可以整合到回答中。 用户的问题涉及设计、原理图解,所以需要分点说明。首先解释晶振电路的作用,然后设计要点,比如晶振选择、启动电容、电阻配置。接着是工作原理,包括振荡过程频率稳定性。图解部分可能需要描述典型电路图,但由于无法实际画图,可以用文字描述各部分组件及其连接方式。 需要确保使用正确的LaTeX格式,比如晶振频率写成$8\text{MHz}$。同时,生成相关问题时要围绕晶振电路的设计常见问题展开,比如电容选择、不起振的原因等。最后,引用资料中的例子要正确标注,如引用[2]中的电阻电容配置。 现在需要检查是否有遗漏的信息点,比如启动电容通常是20pF,电阻的作用是消除谐波,以及不同晶振的配置差异。此外,引用[4]中的频率限制可能关联到晶振选择的影响,比如高速低速晶振的应用场景。 总结回答结构:作用、设计要点、工作原理、图解描述、常见问题解答,然后生成相关问题。确保每个部分都有引用支持,并正确标注来源。最后使用代码块展示示例电路,如引用[2]中的8M晶振部分。</think>### 单片机晶振电路设计与原理详解 #### 一、晶振电路的作用 晶振电路为单片机提供稳定的时钟信号,是数字电路同步工作的基础。所有指令执行、数据传输、定时器计数等操作均依赖时钟信号的节拍[^1]。例如,当晶振频率为$12\text{MHz}$时,机器周期为$1\mu\text{s}$,直接影响计数器模式的最高计数频率[^4]。 #### 二、晶振电路设计要点 1. **晶振选型** - **高速晶振**(如$8\text{MHz}$):用于主时钟,驱动CPU核心逻辑。 - **低速晶振**(如$32.768\text{kHz}$):用于实时时钟(RTC)等低功耗场景[^2]。 2. **启动电容配置** 晶振两端需并联启动电容(通常为$20\text{pF}$),用于提供初始振荡能量并补偿频率偏差。 ```plaintext 示例电路: OSC1——|¯¯¯|——C120pF) |X|(晶振) OSC2——|___|——C220pF) ``` 3. **抗干扰电阻** - 高速晶振(如$8\text{MHz}$)需串联$1\text{M}\Omega$电阻(如R3),抑制高频谐波[^2]。 - 低速晶振因单片机内部已集成高阻电阻,无需外接。 #### 三、晶振工作原理 1. **振荡过程** 单片机内部反相器与晶振、电容构成皮尔斯振荡电路。晶振等效为高Q电感,与电容形成谐振回路,产生稳定的正弦波信号。 2. **频率稳定性** 晶振的切割方向与温度系数决定频率精度,公式为: $$f = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}$$ 其中$L$为晶振等效电感,$C$为负载电容(含启动电容与杂散电容)。 #### 四、典型电路图解(基于引用[2]描述) ```plaintext +-------------------+ | | | OSC1 R3(1MΩ) | 8M晶振----|--|¯¯¯|--/\/\/\----| | |X| | | |_| | | C1(20pF) | |-----||-----------| | C2(20pF) | |-----||-----------| | | | 单片机内部反相器 | +-------------------+ ``` #### 五、常见问题解答 1. **晶振不起振怎么办?** - 检查电容是否匹配(通常$15\text{pF}-30\text{pF}$)。 - 测量OSC引脚电压,正常时应为$V_{CC}/2$左右。 - 确认PCB布局避免高频干扰。 2. **如何选择晶振频率?** 根据需求平衡速度与功耗: - 高速通信(如UART)需$8\text{MHz}$以上。 - 低功耗模式可切换至$32.768\text{kHz}$。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值