电容与电场求解器数学描述

guihunkun

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分类专栏：数值算法文章标签： laplace 静电场电容

于 2022-10-21 18:36:21 首次发布

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前言

电容

电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下自由电荷的储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。

电容是指容纳电荷的能力。任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。

在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：
1法拉（F）= $10^3$ 毫法（mF）= $10^6$ 微法（μF）= $10^9$ 纳法（nF）= $10^{12}$ 皮法（pF）= $10^{15}$ fF

静电场问题

在这里插入图片描述
$\nabla^2u(x, y) = 0 \ \ \ \ in \ \ \Omega \ \ \ (1) \\ u = \bar{u} \ \ \ \ on \ \ \ \Gamma_u \ \ \ (2) \\ q = \frac{\partial u}{\partial \vec{n}} = 0 \ \ \ on \ \ \ \Gamma_q \ \ \ (3) \\ \varepsilon _a \cdot \frac{\partial u_a}{\partial \vec{n_a}} = -\varepsilon _b \cdot \frac{\partial u_b}{\partial \vec{n_b}} , \ \ \ u_a = u_b \ \ \ \ on \ \ \ \Gamma_I \ \ \ (4)$

等式 (1) 表示电势 $u$ 在每个介质区域内(橙色和黄色区域)满足 $L a pl a ce$ 方程。
等式 (2) 表示在导体表面满足 $D i r i c h l e t$ 边界条件(在主导体 P1 表面 $u = 1$ ；在环境导体 P3 表面 $u = 0$ )。
等式 (3) 表示区域外边界( $\overline{AB}, \overline{BC}, \overline{CD}, \overline{DA}$ )上满足 $N e u mann$ 边界条件
等式 (4) 表示在介质交界面上的电位移，电势连续条件， $\varepsilon _a , \varepsilon _b$ 分别为交界面两侧介质 $a, b$ 的介电常数。

注：上图在介质中插入了一个 Floating 导体 P2，其表面满足如下条件：P2 表面上 $u, q$ 均未知，但 P2 表面上任意两点的 $u$ 是相等的，且沿表面累加的 $q$ 等于零即 P2 表面向外不表现带电的属性(在边界元计算过程中， P2 表面也要剖网格， P2 表面的所有单元上 $u$ 是相同的； $\sum_{i=1}^{i=N}q_i = 0$ )。若某介质的介电常数设置为零，则表示不想电场线穿过此介质，即在此介质边界上是自然边界 ( $N e u mann$ ) 条件， $q = 0$ 。

注：metal fill 处理后 net 的 total cap 降低， cc cap 增大，可以想象上下两个板子中间放了一个 floating 导体，相当于压缩了 floating 导体占的空间，因为 floating 导体上下表面都是电子（正负电子和为零），其内部真空，从而让上下两个板子离得更近了， cc cap 增大。