信号完整性分析5——电容的物理基础

信号完整性分析5——电容的物理基础

电容器实际上是由两个导体构成的，任意的两个导体之间都有一定量的电容。任意两个导体间的电容量本质上是对两个导体在一定电压下存储电荷能力的度量。

5.1 电容中的电流流动

理想电容器中，被分质材料隔离开的两个导体间没有直流通路。因为导体间是绝缘的介质，所以通常认为实际电容器中没有任何电流流过。那么，怎样才能使电流流过绝缘介质呢？如前所述，只有当两个导体间的电压变化时，才可能有电流流经电容器。

在两导体间的真空中怎么会有电流流过呢？真空中的两导体间没有真正的电流流过，然而却有明显的电流流动。例如，若增加两导体间的电压，就必须在一个导体上增加正电荷，并从另一个导体上取出正电荷。这看起来就像是把正电荷加到一个导体上，而这些正电荷又从另一个导体上出来。所以，当电压变化时，有等效电流 流经电容器。

“位移电流” ： 真空间的等效电流

5.2 球面电容

两导体间的实际电容旦与连接两导体的电力线的多少有关。两个导体离得越近，重叠的面积越大，两个导体间的电力线就越多，存储电荷的能力也就越强。

若导体的具体几何结构不同，则尺寸与电容量的关系式就不同。

一般来说，可以使用场求解器来精确计算一对任意组合的导体之间的电容量，如在接插件中的多个引脚之间的电容。还可以精确估算出几种特殊几何结构的电容，其中一种就是计算两个同心球面间（一个在里，一个在外）的电容量。

两个球面间的电容：
$$C=4\pi {\epsilon }_0\frac{r{r}_b}{r_b-r}$$
其中：
$C$ 表示电容量
${\epsilon }_0$表示自由空间的介电常数，为 0.089 pF/cm​ 或 ​0.225 pF/in​
$r$ 表示内球而半径，单位为m 或cm
$r_b$ 表示外球面半径，单位为m 或cm

当外球面半径大于内球面半径的10 倍时，球面电容可近似表示为：
$$C\approx 4\pi \times {\epsilon }_0\times r$$

这个关系式说明相对于某表面（ 包括地球表面，空间中的任何孤立导体都有一些电容。这个电容量不一定很小，而是有个与直径相关的最小值。导体距附近某个表面越近，它的电容量就越大。

5.3 平行板近似

如上图所示的两块平板，间距为h，总面积为A , 它们之间为空气，电容量可表示为：
$$C={\epsilon }_0\frac{A}{h}$$
其中：
$C$ 表示电容量
${\epsilon }_0$表示自由空间的介电常数，为 0.089 pF/cm 或 0.225 pF/in
$A$ 表示平板的面积
$h$ 表示平板间距

一般来说，平行板近似有点低估了电容植，由于板周围边缘场的作用，实际电容量要大千近似值。平行板间距等于其侧向尺寸时，它看起来就像是个立方体，这时两板间的实际电容量约等于平行板近似预测的电容量的两倍，这是个经验法则。也就是说当平行板间距与板宽相当时，板周围的边缘场产生的电容量与平行板近似预测的电容呈相等。

5.4 介电常数

导体间的绝缘材料会增加它们之间的电容量，这一引起电容增大的材料特性称为相对介电常数，通常用希腊字母 $\epsilon$ 加下标 $r$ (即 ${\epsilon }_r$ ) 来表示。它是相对于空气（其介电常数为 1 )的介电常数。所以作为一个比值，它没有单位。通常都省略掉”相对“这个词，简称为介电常数。

介电常数是绝缘材料的固有特性

绝缘材料介电常数的度量方法是：比较一对导体被空气包围时的电容量 $C_0$ 和被绝缘材料包围时的电容量 $C$ , 定义如下：
$${\epsilon }_r=\frac{C}{C_0}$$
介电常数越大，导体间的电容量的增加就越大。如果在导体周围的空间中均匀填充绝缘材料，则介电常数会使得导体间的电容量增大，这与导体的形状（不管是平行板、两根圆杆，还是邻近宽平面的导体）完全无关。

• 材料的介电常数大数与偶极子数和偶极子的大小有关。材料分子的偶极子数越多，则介电常数就越大
• 介电常数有时随频率而变化，为了消除不确定因素，有必要指明测量介电常数时的频率。

5.5 电源、地平面和去耦电容

平行板近似最重要的一个应用就是分析IC或多层印制电路板中电源和地平面间的电容最。

为了减小电源分布系统中的电压轨道塌陷，就要在电源和地之间加上多个去耦电容。在一定时间 δ t \delta t